具有异质结的聚合物有机薄膜电致发光器件

本文报道了由一层电子传输材料ＰＰＱ和一层空穴传输材料ＰＤＤＯＰＶ构成的有机聚合物异常结发光二极管的实验结果。虽然双层器件的点亮电压高于由纯ＰＤＤＯＰＶ构成的单层器件,但是它在一定电压下,电流密度降低了一个数量级,而亮度却提高了近两个数量级。     

聚合物电致发光二极管发光层中的电场分布

以单层聚对苯乙炔（PPV）薄膜发光二极管为例,研究其薄膜中的电场分布,探讨其电场分布对载流子注入、输运和复合的影响,研究结果有助于揭示其发光机理,为提高发光效率提供了有益的启示。     

有机电致发光器件及其发光机理

有机电致发光器件是近年来国际上研究的一个热点,发展非常迅速.文章概述了有机电致发光(EL)器件的材料与结构,特别对其发光机理进行了详细介绍,展望了器件未来的发展趋势.     

半导体发光二极管的研究与分析

在简介半导体发光二极管的辐射复合基础上,。详细讨论了包括Ⅲ-Ⅳ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料和多孔硅（PS）等新发光材料在内的各种发光材料的发光机理,发光二极管的结构与特性,并介绍了半导体发光二极管在近代科学中的应用。     

有机聚合物及小分子材料的电致发光器件

论述了有机聚合物及小分子材料的电致发光原理 ,发光二极管的结构及影响器件稳定性、寿命的原因 ,总结了目前该领域所取得的成果 ,展望了下世纪有机发光材料的应用前景和商业化可能性 .     

聚合物发光二极管的研究进展

对共轭聚合物中进行电运输及电致发光器件－聚合物发光二极管的研究进展进行了综述。     

有机电致发光器件的研制及其性能测试

有机电致发光器件是当前国际上的一个研究热点。文中分别利用８－羟基喹啉铝和聚乙烯咔唑作为电子传输层和空穴传输层，通过染料掺杂制得发绿光的双层有机电致发光器件。器件的最大发射峰位于４９１ｎｍ；驱动电压为２２Ｖ时，发光亮度超过２００ｃｄｍ－２。另外，还讨论了器件发光光谱的电压效应，并测定了器件的电流－电压、亮度－电压曲线。通过对比器件在室温条件下保存一周前后的发射光谱，发现器件的发光强度在保存一段时间后有较大的衰减，但其发光光谱的形状则保持不变。     

基于喷涂工艺的反向聚合物太阳电池的制备

本文采用喷涂工艺制备了结构为Glass or PET/ITO/ZnO/P3HT∶PCBM/VOX/Ag的刚性或柔性反向聚合物太阳电池,其效率可与正向电池相媲美.首先将TIPD喷涂在ITO基底上作为电子传输层,然后依次喷涂P3HT∶PCBM溶液和氧化钒前驱体溶液(VOx),最后蒸镀150 nm的银作为阳极.结果表明:在一定厚度范围内,器件效率对厚度不敏感,易于大面积工艺制备;VOx层可以显著提高器件效率,然而过厚将会导致器件短路电流急剧下降.通过优化喷涂参数和热退火处理,获得了1.7％的器件效率.     

基于喷涂工艺的反向聚合物太阳电池的制备

本文采用喷涂工艺制备了结构为Glass or PET/ITO/ZnO/P3HT:PCBM/VOX/Ag的刚性或柔性反向聚合物太阳电池,其效率可与正向电池相媲美。首先将TIPD喷涂在ITO基底上作为电子传输层,然后依次喷涂P3HT:PCBM溶液和氧化钒前驱体溶液(VO)X,最后蒸镀150 nm的银作为阳极。结果表明:在一定厚度范围内,器件效率对厚度不敏感,易于大面积工艺制备;VOX层可以显著提高器件效率,然而过厚将会导致器件短路电流急剧下降。通过优化喷涂参数和热退火处理,获得了1.7%的器件效率。     

双层阴极结构BaO／Al聚合物电致发光器件电子注入的研究

介绍了用双层阴极BaO／Al和发光层MEH—PPV制成的聚合物电致发光器件(PLEDs)，研究了绝缘层BaO对电子注入所起的作用．实验发现，BaO对电子的注入起到显的促进作用．与直接用Al做阴极的器件对比，其发光亮度和效率分别提高了20倍和10倍，达到了1250cd／m^2和0．4％．同时也研究了不同厚度的绝缘层BaO对电子注入的影响，随着厚度的增加．外部量子效率和亮度先增加后减少，存在一个约为1nm的最佳厚度．另外，国外用绝缘层LiF和CsF做成器件，与他们的实验结果对比，发现是绝缘层BaO增强了电子的注入，而不是BaO解得到的金属Ba。     

等静压力及偏置电压下锆钛锡酸铅基反铁电体的介电行为

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电（AFE）／铁电（FE）相界附近的PbLa（Zr，Sn，Ti）O3（PLZST）反铁电陶瓷样品．通过测定样品的相对介电常数及损耗与各种参量的关系，得到了等静压力及偏置电压对反铁电体铁电／反铁电相变及反铁电／顺电（PE）相变温度影响的规律．研究发现：极化了的PLZST反铁电材料在一定等静压力的作用下，随着偏置电压的增加其峰值相对介电常数增大，相对介电常数最大值对应的温度降低，FE／AFE转变温度上升，AFE／PE转变温度下降；当等静压力为0．1MPa时，单位偏置电压引起的居里点变化率为-1℃／kV，单位偏置电压引起的FE／AFE相变温度变化率为5．2℃／kV，当等静压力为60MPa时，分别为-2．2℃／kV和3℃／kV。     

负偏压对电弧离子镀CrAlN涂层组织和性能的影响

采用电弧离子镀技术在高速钢基底上沉积CrAlN涂层.对CrAlN涂层的表面形貌、微观组织、显微硬度、结合强度、摩擦学性能进行了分析,研究了负偏压对CrAlN涂层组织和性能的影响.结果表明:在一定范围内随着负偏压的增加,涂层表面大颗粒数量逐渐减少,涂层变得更加致密;但过大的负偏压导致离子轰击作用过强,使涂层表面再次出现缺陷.当负偏压为 -200V时,涂层的晶粒尺寸最小,并具有良好的结晶度.涂层的显微硬度和结合强度均随负偏压的增加呈现出先增加后减小的趋势. 当负偏压为 -200V时,显微硬度达到最大值,为28.6GPa,同时具有最好的摩擦学性能.     

偏置电压对离子电流信号影响的试验研究

研究了在用火花塞作传感器直接测量发动机缸内燃烧状态时检测占所加的偏置电压对检测信号的影响,提出可获得所需离子电流信号的适当的偏置电压为200－600V,研究中发现：当偏置电压不同时,不仅离子电流的幅值和持续时间不同,而且其波形也有较大差异,在燃烧过程中会出现单峰,双峰和三峰现象,当偏置电压增至5KV时,驻燃烧过程中有离子电流信号,而且在进,排气冲程中,离子电流信号也异常突出,给出了不同偏置电压下离子电流的波形特征,获得了较为理想的离子电流信号的曲线,为用火花塞作为检测传感器实现汽油机缸内燃烧信号的检测奠定了试验研究基础。     

衬底负偏压溅射对ZrN薄膜性能的影响研究

本文采用S-抢磁控溅射系统淀积ZrN薄膜,用扫描电镜、X射线衍射、反射电子衍射、俄歇电子能谱和电学测量等方法研究了衬底负偏压溅射和溅射两种工艺方法淀积的ZrN薄膜的结构、组分和薄膜电阻率。结果表明,适当增大溅射功率,采用衬底负偏压溅射方法,有效地减少了氧的沾污,使得所淀积的ZrN薄膜的电学性能有明显改善。     

高速率电光调制器偏置电压自动控制技术

采用电光检测的方法和误差分析的方式判断和识别电光调制晶体半波电压的漂移。利用PID控制算法实现高速率电光调制系统偏置电压高精度自动调节。最后对将研究的偏置电压自动控制系统应用于电光调制晶体,进行高速率调制实验。实验结果表明:采用偏置电压自动控制技术,改变了给电光调制晶体加载一个固定偏置电压的传统方式,使电光调制器偏置电压始终位于线性区的中点,以保证不失真调制,克服了电光调制器的半波电压受环境温度等多种因素的影响变化而电光调制晶体的半波电压发生漂移的问题。     

非制冷热成像系统偏置电压的数值分析

在微测辐射热计理论分析的基础上,利用数值计算的方法讨论了偏置电压与噪声、噪声等效温差(NETD)及探测率D*性能参数的关系,确定了微测辐射热计最佳偏置电压范围在1.0~4.0 V,在该范围内可以获取67.7~41.1 mK的NETD,6.1×109~1.15×1010cmHz1/2/W的探测率,品质因子达到2.6~1.4。在1.0~4.0 V的偏置电压范围内,探测器的性能可达到最优化。     

雪崩光电二极管数控偏压源的设计

为保证雪崩光电二极管(APD)在温度变化的情况下始终处于最佳工作状态,人们研究了多种偏压控制方案。针对传统的偏压控制存在的缺陷,文章从APD的倍增机理出发,分析了温度对雪崩增益的影响,得到偏压与温度的特性曲线。基于偏压的虚警控制原理,利用单片机便于数据处理和存储的特点,设计了一个自动跟踪雪崩管击穿电压的数控偏压电路。该电路能在温度大幅度变化的情况下保证APD正常工作,适合于高频连续信号检测的光电系统。     

Electroluminescence and photoluminescence of dioctylfluorene and 4,7-dithien-2-yl-2,1,3-benzothiadiazole copolymers

Dioctylfluorene (DOF) and 4,7-dithien-2-yl- 2,1,3-benzothiadiazole (DB T) copolymers synthesized in our lab with different compositions of DBT (1%, 5%, 15% and 25%) were utilized to fabricate bilayered light emitting diodes. Extern al quantum efficiency (QE) of the diode fabricated from the copolymer with 15% D BT content reaches 1.4% (ph/el), over 1.0 cd/A in luminance efficiency at the driving voltage of 4.2 V. The highest luminance can reach 3780 cd/m2 at 8.2 V. Devices emit a saturated red light centered at 675 nm with chromaticity coordinate changed from x = 0.66, y = 0.32 for PDOF-DBT1 (1% DBT) to x = 0.70, y = 0.28 for PDOF-DBT25 (25% DBT).     

大功率LED蓝光危害随点灯条件的变化

研究了大功率白色LED蓝光加权辐射亮度和单位光通量内蓝光加权辐射亮度随驱动电流、环境温度和点灯时间的变化规律。首先采用LED光色电综合分析仪测量同一批LED在不同驱动电流、不同环境温度和不同点灯时间时的光谱。然后计算相对蓝光加权辐射亮度Lb和单位光通量内的蓝光加权辐射亮度Lb/Ф,并得到Lb和Lb/Ф随点灯条件的变化关系,最后分析了他们变化的原因。研究表明:Lb随驱动电流的增加线性增大,随着温度的增加而线性减小,随着点灯时间增加呈指数形式减小。Lb变化主要原因是辐射功率变化,随着驱动电流的增加,LED光谱不断蓝移,导致Lb/Ф呈指数增加。随着环境温度的增加,虽然LED峰值波长红移,但是光谱逐渐加宽;因此,Lb/Ф变化较小;Lb/Ф还随着点灯时间的增加而不断增加,这主要是由于荧光粉性能不断退化,蓝光在光谱中的比例不断增加所致。该研究对LED健康照明和光生物安全标准的修订具有重要意义。     

模拟掺杂和偏压对超晶格纵向输运的影响

结合宏观和微观模型,超晶格的纵向输运模型可以表达为以时间丁为独立变量的微分方程组．运用MATLAB软件进行模拟计算和优化,深入研究掺杂浓度和外加偏压的变化,对GaAs／AlAs掺杂弱耦合超晶格自维持振荡频率和振幅的影响．结果表明,电流振荡频率随偏置电压的增加而单调减小,振幅相对偏置电压也有大体上单调的变化．随着掺杂浓度的增加,振荡频率有非单调的变化,而振幅则单调地逐渐减小．电流振荡频率随偏置电压的变化趋势与已有的实验数据基本一致,其他模拟计算结果还有待进一步实验的验证．