辐射对半导体霍尔器件输入电阻的影响

用60Co、137Cs、90Sr-90Y放射源低剂量率对恒流激励、无磁场作用时的InSb、GaAs、Si、Ge等半导体霍尔器件进行短时辐照,测量了辐照过程中各器件输入电阻的变化。结果表明:因为位移效应所引起的辐射缺陷,三种辐照均导致各器件输入电阻增加,并与辐照时间成正比。比较相同射线、相同时间辐照所引起的输入电阻变化量,可以判定Ge器件的抗辐射能力最强,Si器件次之,InSb、GaAs器件最差。     

半导体激光逻辑器件研究综述

本文运用速率方程对半导体激光器实现逻辑器件的基本原理进行了分析，并介绍实现半导体激光逻辑器件一些基本方法。     

吸收倍增分离式雪崩光电二极管的噪声模型研究

针对雪崩光电二极管吸收区与倍增分离的特点及其噪声特性,在已经存在的SAM-APD的电路模型的基础上,应用载流子的速率方程,建立SAM-APD的噪声电路模型.仿真结果表明,该模型的输出特性与实际器件的实验数据基本相符.该模型也为APD器件的工艺制造奠定了一定基础.     

基于MEMS热电堆器件测试的红外辐射激励设计

在微机电系统(micro-electro-mechanical system,MEMS)热电堆器件的测试中,如何给热电堆器件施加合理的周期性红外辐射激励是能否得到正确器件参数的关键。在开发适用于MEMS热电堆器件的晶圆级测试系统的过程中,提出了一种光学能量传输方案,该方案采用MEMS红外光源JSIR450替代了传统黑体炉作为红外辐射激励源,采用快门替代了光学斩波器对红外信号进行周期性调制。通过实验证明了该方案的有效性,且通过积分的方法证明了MEMS红外光源能量发射端的黑体发射率满足项目要求。     

基于激子理论的硅基位错环发光器件模型参数的计算

针对硅基位错环发光器件,根据激子理论的速率方程描述了发光二极管的光电特性,提出了一种模型参数的计算方法,建立了便于计算机仿真的HSPICE模型,计算的参数与已报道的实验基本一致,特别是理想系数大于2,束缚激子的热激活能级为6．3meV,自由激子复合概率和束缚激子分裂概率的比为0,006等参数比较符合物理事实．并得到了束缚激子和自由激子的发光强度与温度和注入电流的相互关系、结果表明激子在位错环发光器件中具有重要作用。     

连续反应速率方程中速率常数的数值拟合

本文讨论了通过样条插值函数的数值拟合,以确定连续反应速率方程中的的未知参数的方法。强酸性溶液中硅酸聚合反应速率方程的拟合结果表明,这是一种行之有效的算法.     

漂移区槽氧高压SOI-LDMOS器件模型

为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷,提出了一种漂移区槽氧SOI-LDMOS高压器件新结构．利用漂移区槽氧和栅、漏场板优化横向电场提高了横向耐压和漂移区的渗杂浓度．借助二维仿真软件对该器件的耐压和比导通电阻特性进行了研究,结果表明该器件与常规SOI—LDMOS结构相比在相同漂移区长度下耐压提高了31％．在相同耐压下比导通电阻降低了34．8％．     

井下大功率多极子声波换能器激励源的设计

介绍了一种用于石油仪器的大功率多极子阵列声波换能器激励源的设计方案.该方案中,大规模复杂可编程器件执行DSP通过专用串行线路发送的命令,精确地控制多个激励源的激励时刻和激励宽度,实现了对声波辐射能量的最佳控制.对该方案进行了实验测试.测试结果表明,所设计的激励源能够保证控制电路系统在150℃环境温度下稳定工作,适于井下高温高压恶劣环境应用.     

井下大功率多极子声波换能器激励源的设计

介绍了一种用于石油仪器的大功率多极子阵列声波换能器激励源的设计方案。该方案中，大规模复杂可编程器件执行DSP通过专用串行线路发送的命令，精确地控制多个激励源的激励时刻和激励宽度，实现了对声波辐射能量的最佳控制。对该方案进行了实验测试。测试结果表明，所设计的激励源能够保证控制电路系统在150℃环境温度下稳定工作，适于井下高温高压恶劣环境应用。     

磁控溅射制备AlN过渡层ZnO薄膜及其性能研究

大量研究表明ZnO薄膜已在气敏器件、表面声波器件和压敏器件等方面得到较为广泛的应用。由于Si与ZnO的晶格常数及热膨胀系数的失配度均很大,难以实现高质量ZnO薄膜的外延生长,采用中间缓冲层是一种值得研究的工艺。由于AIN的晶格结构与ZnO相同,所以可作为生长高质量ZnO薄膜的缓冲层,并改善ZnO/AlN界面结构。实验采用射频磁控溅射制备了ZnO/AlN双层膜,研究了薄膜的结构和形貌。结果表明,相比于相同工艺下制备的ZnO/Si薄膜,双层膜的生长取向依然是(002),应力减小,结晶质量更好。     

气体光声效应速率方程的近似求解法

在研究气体光声效应的理论中,为求出受激态粒子数,文献[1]和[2,8,9]分别按光强作小信号正弦波调制和按矩形波调制而求解速率方程的.本文提出一种较普遍的求解速率方程的近似方法,并应用于实际中可能出现的几种光强调制的特殊情况.     

子波激励线性预测（WELP）的语音编码方案

从子波变换这个新的概念,给出了一种语音信号预测模型残差激励信号的分解方法,提出了一种语音信号编码方案,即子波激励的线性预测编码法(WELP),给出了部分实验结果,实验表明,在相同的音质条件下,WELP方法比其它方法能更进一步降低比特率,有希望在低比特率语音编码中得到应用。     

一维PN结二极管模拟程序mPND1D

在高功率瞬态源激励下 ,半导体器件的行为可由一组由电子连续性方程、空穴连续性方程和泊松方程等组成的耦合、非线性、刚性偏微分方程来描述。绝大部分的器件模拟程序只适合于器件正常工作模拟。从研究器件的烧毁机理出发 ,自行研制了一套计算机模拟程序mPND1D ,并全面介绍了一这程序。     

通用阵列逻辑GAL的破译

本文介绍一种实用的GAL器件破译方法,它是GAL器件破译仪的基础,能够对各种加密编程的GAL器件进行破译。在使用普通PC机作为主机的情况下,破译时间也只需几分到20多分。     

一维PN结二极管模拟程序mPND1D

在高功率瞬态源激励下,半导体器件的行为可由一组由电子连续性方程、空穴连续性方程和泊松方程等组成的耦合、非线性、刚性偏微分方程来描述。绝大部分的器件模拟程序只适合于器件正常工作模拟。从研究器件的烧毁机理出发,自行研制了一套计算机模拟程序mPND1D,并全面介绍了这一程序。     

用Simulink软件模拟分析量子阱半导体激光器

分析了单量子阱激光器（ＳＱＷ－ＬＤ）工作原理,阐述了载流子和光子在器件内部运动过程中,分别限制异质结构和量子阱之间引入过渡态（准二维态）的作用及必要性,在此基础上,给出了完的速率方程。使用Ｓｉｍｕｌｉｎｋ软件建立了ＳＱＷ－ＬＤ的数值分析模型。     

基于单级AC-AC变换器的无线输电系统

基于磁场耦合原理的无线输电系统中,高频电源作为发射线圈的激励源,其设计与实现对系统的整体性能至关重要。传统无线输电系统的激励源采用的是由整流和高频逆变构成的级联变换器,其结构和控制均较为复杂。提出了一种单级AC-AC谐振变换器,该谐振变换器通过一级功率变换,将低频交流电直接变换成无线输电系统所需的高频激励源,具有功率器件数量少、功率因数高等优点。通过实验,验证了所提出的变换器在串联-串联(SS)型谐振式无线输电系统应用中的可行性。     

激励理论对思想政治工作方法的启示

激励理论在管理学中得到广泛应用，思想政治教育也是一种“管理”行为。研究激励理论，有助于思想政治工作方法的创新。借鉴激励理论，在思想政治工作中加强目标激励、奖惩激励、情感激励和榜样激励，从而更好地达到思想政治教育的效果。     

适用于电力器件的磷扩散模型

针对电力半导体器件的特性和工艺特点,提出了一种适用于电力器件的磷扩散模型并应用MATHMATICA4对该模型进行计算,计算的结果与SUPREM IV.GS模拟软件在相同的工艺条件下得到的结果趋于一致.并且与实际扩散结果接近.此种方法为电力器件其他杂质的扩散工艺过程的模拟提供了一定指导作用.     

双导层结构横向功率器件的导通电阻模型及应用研究

横向高压器件是智能功率集成电路的核心器件,而漂移区结构参数是影响器件导通和击穿性能的重要因素。为此,提出了LDMOS三种经典结构的导通电阻模型并研究了漂移区结构参数对导通电阻的影响,它们分别是:Single RESURF,Double RESURF,Dual conduction layer结构。然后借助这些模型研究了漂移区掺杂浓度、漂移区长度、漂移区厚度对器件导通电阻的影响。利用MATLAB计算相同器件参数下模型的解析结果。对比模型的解析结果和仿真结果,发现解析结果和仿真结果基本一致,证明了解析模型的正确性。