金属间化合物RCo4B（R=Y,Pr,Nd,Gd,Er）的分子场理论分析

将二亚点阵分子场理论用于化合物ＲＣｏ４Ｂ，分析磁性与温度的关系，计算出了居里温度Ｔｃ，从理论上给出磁矩Ｍ（Ｔ）与温度的关系曲线，计算结果与实验相一致     

磁天平测量饱和磁化强度和居里温度方法的研究

本文利用磁天平测量饱和磁化强度(Ms)和居里温度(Tc)的原理，对磁天平测量饱和磁化强度和居里温度的装置进行了研究，并给出了具体的测量步骤．     

R3Co11B4中的磁作用

用两格点分子场理论分析了钴基合金R3Co11B4(R=Pr,Nd,Tb,Dy)的自发磁化随温度变化的关系,采用数值拟合的方法计算出了描述3种磁作用的分子场系数n(RR),n(RCo)和n(CoCo),得到了居里温度,给出了交换场强度随温度变化的曲线.     

R2Fe17-xCrx (R=Y, Dy, x≤3)化合物的磁交换作用

利用 X射线衍射的方法及磁性测量手段研究了 R2 Fe17- x Crx(R=Y,Dy,x 3 )化合物 ,给出了其居里点的变化情况 ,即随 x的增大 ,居里温度增大 ,在 x近似为 1 .0时达到最大值 .利用分子场理论计算了磁交换作用系数并从磁交换作用出发 ,对其居里温度的变化情况进行了分析 .     

应用MFT分析R_2Fe_(17-x)M_x(R=Pr,Nd;x=0.2;M=Al,Ga)合金的磁性

用两亚点阵ＭＦＴ分析了Ｒ２Ｆｅ１７－ｘＭｘ合金的饱和磁化强度与温度的关系。得到了分子场系数ｎＲＲ、ｎＲＦ和ｎＦＦ，计算出了居里温度，给出了分子场ＨＲ（Ｔ）、ＨＦｅ（Ｔ）与温度的关系曲线。计算结果表明，在Ｒ２Ｆｅ１７中用Ａｌ、Ｇａ替代部分Ｆｅ离子后，分子场系数ｎＦＦ明显增大，除Ｐｒ２Ｆｅ１７的ＨＲ（Ｔ）外，分子场强度在很大温度范围内显著增加     

一类钴基化合物的分子场理论分析

根据两格点分子场理论，在考虑重稀土与钴的磁矩偏离反平行倾角的基础上，分析了钴基化合物RCo5(R=Y，Pr，Nd，Gd，Tb，Dy)的磁化与温度的关系，采用数值拟合的方法得到了描述3种磁作用的分子场系数n(CoCo)，n(RCo)和n(RR)，计算出了Tc，结果表明，RCo5中的磁作用主要由钴3d电子问的交换所决定。     

分子场理论分析R2Fe17—xMx和R2Fe17N3稀土合金

用分子场理分析分析了稀土化合物Ｒ２Ｆｅ１７－ｘＭｘ和Ｒ２Ｆｅ１７Ｎ３（Ｒ＝Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ：Ｍ＝Ａｌ；ｘ＝０，２）的温度磁化曲线，计算出分子场 数ｎＲＲ，ｎＲＦ，ｎＦＦ。由分子场系数，计算了Ｆｅ－Ｆｅ、Ｒ－Ｒ、Ｒ－Ｆｅ的相互作用对Ｔｃ的贡献ＴＦＦ、ＴＲＲ、ＴＲＦ。     

用MET分析NdFe_（10）V_2，NdFe_（10）V_2N_（0．5）Nd

用两格点分子场理论分析了ＮｄＦｅ１０Ｖ２，ＮｄＦｅ１０Ｖ２Ｎ０．５，ＮｄＦｅ１０Ｍｏ２，ＮｄＦｅ１０Ｍｏ２Ｎ０．５的饱和磁化强度随温度的变化关系，得到了分子场系数ｎＦＦ，ｎＦＲ和ｎＲＲ，计算结果与实验基本一致，计算结果表明，氮元素增大了交换场ＨＲ．     

R2Fe17—xCrx（R=Y,Dy,x≤3）化合物的磁交换作用

利用Ｘ射线衍射的方法及磁性测量手段研究了Ｒ２Ｆｅ１７－ｘＣｒｘ（Ｒ＝Ｙ,Ｄｙ,ｘ≤３）化合物,给出了其居里点的变化情况,即随ｘ的增大,居里温度增大,在ｘ近似为１．０时达到最大值。利用分子场理论计算了磁交换作用系数并从磁交换作用出,对其居里温度的变化情况进行了分析。     

Er2Fe17-xSix合金的分子场理论分析

用两格点分子场理论分析了合金Er2Fe17-xSix(x=0,1,2)的饱和磁化强度随温度的变化关系，得到了分子场系数nEE,nEF,nFF,计算机了居里温度，给出了分子场强度HEr(T),HFe(T)随温度变化的曲线，结果表明，当x增加时，分子场系数nFF明显增大，分子场强度HFe(T）亦随之增大，而HEr(T)在较低温区减小，在较高温区增大，并且nFF的增大是居里温度提高的主要原因。     

MFT对R—T化合物R2Fe17Mx（R=Pr,Nd：Mx=0,N3或D4.8）的磁性分析

】用二亚点阵ＭＦＴ分析Ｒ２Ｆｅ１７Ｍｘ的饱和磁化与温度的关系。得到了分子场系数ｎＲＲ、ｎＲＦ和ｎＦＦ，计算出了居里温度，给出了交换场ＨＲ（Ｔ）、ＨＦｅ（Ｔ）与温度的关系曲线。结果表明，在Ｒ２Ｆｅ１７中渗入Ｎ或Ｄ后，Ｍ２Ｆｅ（０）和ｎＦＦ明显增大，交换场也相应增大，居里温度主要取决于Ｍ２Ｆｅ（０）和ｎＦＦ。     

过渡金属掺杂CuGaS2的磁学性质

应用基于自旋极化的第一性原理系统地对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)掺杂CuGaS2的磁学性质进行理论计算.通过对过渡金属对CuGaS2掺杂,在铁磁状态下取代不同离子(Cu和Ga)结合能的比较,我们发现:过渡金属在CuGaS2中比较容易占据Ga的位置.通过对稀磁半导体(DMS)磁性稳定性的研究,可以发现到:在Cr、Mn掺杂的CuGaS2中,DMS表现为铁磁状态,其居里温度将可能高于(Ga,Mn)As,其他过渡金属掺杂时,DMS则表现为反铁磁状态.并验算了一条判断DMS磁性状态的简单规律.     

结构无序对磁性薄膜磁特性的影响

采用Monte Carlo模拟方法研究了结构无序对磁性薄膜磁特性的影响,其中交换耦合常数J通过Monte Carlo随机发生器使其具有一定的涨落δJ,并遵从一定的概率分布.模拟结果表明,随着交换耦合常数J的涨落δJ的变化,磁性薄膜的磁化强度M随温度T的变化有相当大的差异,同时,磁性薄膜的居里温度TC随δJ的增大而逐渐减小.     

Nd2(Co1-xFex)17-yCr y化合物的结构和磁性研究

利用X射线衍射和磁性测量研究Nd₂(Co_1-x Fe_x)_17-yCr_y化合物的结构和磁性. 实验结果表明， 这些化合物都具有Th₂Zn₁₇型结构， Cr和Fe替代Nd₂Co ₁₇化合物中Co并未改变晶体结构， 但能引起晶格膨胀. 所有化合物在室温下都表现为易面各向异性. 化合物的居里温度 随着Fe含量的增加和稳定元素Cr含量的减小而升高， 在x=0.5和y=3.3时达到最大值， 而后逐渐减小.     

RMn6Sn6（R=Nd,Sm）的结构和磁性研究

应用Ｘ－射线衍射确定ＲＭｎ６Ｓｎ６（Ｒ＝Ｎｄ,Ｓｍ）的结构和晶格参数。使用多种磁学仪器测量化合物的热磁曲线,磁化曲线等磁性能。