CH3CSNH2／NH4OH钝化GaAs（100）表面的XPS表征

一种新的含硫化合物ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液被用来钝化ＧａＡｓ（１００）表面．应用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）表征了该钝化液处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，能有效地消除Ｇａ和Ａｓ的氧化物，并且Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这标志着ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液对ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，Ａｓ的硫化物不稳定，进一步与ＧａＡｓ衬底反应，生成稳定的ＧａＳ钝化层，此种钝化液可直接应用于半导体器件钝化工艺对ＧａＡｓ表面处理     

常压MOCVD法在多孔硅上生长GaAs

采用自己发展的ＨＦ化学预处理技术和常压ＭＯＣＶＤ法在多孔硅（ＰＳ）上首次生长出了基本上是单晶的ＧａＡｓ膜，研究了ＧａＡｓ膜的结构和光学特性．通过对Ｓｉ、ＰＳ、ＧａＡｓ／Ｓｉ和ＧａＡｓ／ＰＳ的Ｒａｍａｎ散射分析，初步论述了ＰＳ的Ｒａｍａｎ散射谱的峰肩起源可能与表面氧化有关．     

碱土金属氟化物／三氧化二钆催化剂的甲烷氧化偶联性能

考察碱土金属氟化物／三氧化二钆在甲烷氧化偶联反应中的催化性能．发现在Ｇｄ＿２Ｏ＿３中添加碱土金属氟化物，Ｃ＿２选择性和收率都有明显提高。当Ｇｄ＿２Ｏ＿３摩尔含量相同时，催化性能按Ｃａ－Ｓｒ－Ｂａ顺序递增，在８０％ＢａＦ＿２／Ｇｄ＿２Ｏ＿３催化剂上Ｃ＿２选择性和收率分别达５９．５％和１８．７％．ＸＲＤ分析结果表明，在含氟催化剂中出现了四方Ｇｄ＿４Ｏ＿３Ｆ＿６新相，其结构与立方ＣａＦ＿２，ＳｒＦ＿２和ＢａＦ＿２相似．可能有利于物相之间的匹配及载流子传递．ＸＰＳ测试发现，催化剂表面上存在着（或Ｏ￣－）物种．与Ｇｄ＿２Ｏ＿３相比，在含氟的催化剂中，Ｏ＿１ｓ结合能较高，表明该吸附氧物种所带电荷较少，对提高Ｃ＿２选择性有利。     

钙对杂交水稻离体叶片衰老的影响

以叶绿素和蛋白质的质量分数下降作为衰老的生理指标,研究了Ｃａ２＋和Ｃａ２＋的螯合剂ＥＤＴＡ对杂交水稻离体叶片衰老的作用．结果表明,Ｃａ２＋能延缓杂交水稻离体叶片中叶绿素和蛋白质的质量分数的下降,提高超氧化物歧化酶（ＳＯＤ）、过氧化氢酶（ＣＡＴ）、抗坏血酸过氧化物酶（ＡｓＡ－ＰＯＤ）和谷胱甘肽还原酶（ＧＲ）的酶活性;增加抗坏血酸（ＡｓＡ）和谷胱甘肽（ＧＳＨ）的的质量分数;降低膜脂过氧化产物丙二醛（ＭＤＡ）的质量摩尔浓度．１～２０ｍｍｏｌ／ＬＥＤＴＡ降低叶片中叶绿素和可溶性蛋白质的质量分数;降低ＡｓＡ－ＰＯＤ和ＣＡＴ的酶活性;降低ＡｓＡ、ＧＳＨ的质量分数;提高ＳＯＤ酶活性,但对ＧＲ酶活性的影响不大．外加Ｃａ２＋可使ＥＤＴＡ的抑制作用减轻．     

DEPENDENCEOFFLUXCREEPTIMEt0ONSAMPLESIZEFORYBa2Cu3O7

ＤＥＰＥＮＤＥＮＣＥＯＦＦＬＵＸＣＲＥＥＰＴＩＭＥｔ０ＯＮＳＡＭＰＬＥＳＩＺＥＦＯＲＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７ＤｉｎｇＱｉＸｕＪｉａｎｊｉａｎ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｙｓｉｃｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖ...     

HARMONIC AC SUSCEPTIBILITY FOR TEXTURED YBa_2Cu_3O_7

ＨＡＲＭＯＮＩＣＡＣＳＵＳＣＥＰＴＩＢＩＬＩＴＹＦＯＲＴＥＸＴＵＲＥＤＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７ＧｅＹｏｎｇ１）ＤｉｎｇＳｈｉＹｉｎｇ２）（１）ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ,ＮａｔｉｏｎａｌＬａｂｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒ...     

￣（45）Ca跨膜流动测定技术用于中药钙拮抗作用的研究

应用￣（４５）Ｃａ跨膜流动测定技术研究钙拮抗剂ｖｅｒａｐａｍｉｌ、中药西红花（ＣｒｏｃｕｓＳａｔｉｖｕｓＬ．）、“地奥心血康”（ＤＡＸＸＫ）、川红花（ＣａｒｔｈａｍｕｓｔｉｎｃｔｏｒｉｕｓＬ．）及银杏叶（ＧｉｎｋｇｏｂｉｌｏｂａＬ．）等对大鼠主动脉￣（４５）Ｃａ跨膜内流的作用，以确定其对细胞膜Ｃａ￣（２＋）通道影响。实验结果表明：西红花、川红花、ＤＡＸＸＫ对平滑肌细胞膜上电压依赖Ｃａ￣（２＋）通道（ＰＤＣ）和受体操纵Ｃａ￣（２＋）通道（ＲＯＣ）都有阻滞作用，并以西红花的阻滞作用最强；而银杏叶对细胞膜Ｃａ￣（２＋）通道无阻滞作用。     

应用Auger电子能谱仪研究清除GaAs表面碳沾污的有效方法

在制作ＧａＡｓ负亲和势光电阴极中。ＧａＡｓ表面碳的沾污往往严重地降低其光电产额。为了去 除ＧａＡｓ表面碳的污染，我们用Ａｕｇｅｒ电子能谱仪对采用不同化学腐蚀处理的ＧａＡｓ表面进行分析 研究，证明在ＧａＡｓ表面有意形成一氧化膜并装进超高真空系统中加热到－５８０℃，对去除ＧａＡｓ 表面碳污染非常有效。     

新型Si光电发射材料的激活技术及激活装置

介绍了新型反射式Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－ｃｓａｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ的激活技术．给出了新型Ｓｉ光电发射材料的逸出功、灵敏度及其稳定性并与Ｓｉ和Ｎａ２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的性能进行比较，简要讨论了影响灵敏度和稳定性的一些因素．叙述了为制备新型Ｓｉ光电发射材料所设计并加工的碱金属源、锑源、氯源及其激活系统．     

GaAs600门门阵列及电路设计系统的研究

本文提出一种以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ双层金属布线工艺和ＳＤＦＬ电路形式为基础的ＧａＡｓ６００门门阵列基片的结构，阐述了实用ＧａＡｓ单元库的设计准则和方法，并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式，几何结构，内部布线及对输入输出的考虑，实用ＧａＡｓ门阵列设计系统已在ＣＯＭＰＡＣＡＤ工作站上建立，文中给出了一个用该系统设计的应用实例。     

GaAs纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究

采用射频磁控共溅技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜，GaAs在薄膜中所占分子百分比达19．0％，光电子能谱分析表明随着基片温度升高，薄膜中元素Ga，As的被氧化程度有所增强，但元素Ga，As仍主要以化合物半导体GaAs的形式，元素Si,O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中。     

用四极型SIMS对砷化镓中硅定量分析的研究

ＧａＡｓ中Ｓｉ的定量分析是典型的ＳＩＭＳ分析课题，有明确的应用背景。文中对影响ＳＩＭＳ定量分析的一些基本因素进行了实验研究，用Ｏ２＋源和Ｃｓ＋源对均匀掺硅和离子注入硅的ＧａＡｓ样品进行了定量分析，考察了实验的稳定性。     

TiO2颗粒表面包覆Al2O3纳米膜及其表征

采用连续法在TiO2颗粒表面进行了纳米层Al2O3的包膜,通过TEM、HRTEM、EDS、XPS、ICP和光学性质表征,证明了Al2O3在TiO2颗粒表面形成了一层连续的纳米膜,该层纳米膜比较疏松,厚度为7—10nm。XPS证明Al2O3为物理包覆,没有Ti—O—Al键形成。光学性质的检测表明了Al2O3包膜后TiO2其消色力、白度、光泽性都有明显提高,并且其在表面憎水性增强,油中分散性提高。     

磷钨杂多酸铯盐的制备及催化性能

采用室温沉淀法制备了一系列铯取代磷钨杂多酸盐(CsxH3-xPW12O40,x=0.5,1.0,1.5,2.0,2.5,3.0),考察了不同铯取代度对所制杂多酸盐结构及其催化苯甲醛氧化制苯甲酸反应性能的影响.利用液氮吸附-脱附(N2adsorption-desorption)、扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、固体紫外可见漫反射光谱(DR UV-vis)等手段进行了表征.结果表明:CsxH3-xPW12O40完好地保持了H3PW12O40的Keggin晶相;随着铯取代度x的增大,CsxH3-xPW12O40的颗粒逐渐均匀,同时晶胞参数逐渐减小,表面积和孔容则随之增大.在相同的实验条件下,所制CsxH3-xPW12O40均呈现出较高的催化活性:在Cs3PW12O40催化作用下,苯甲酸的收率达到72%,而其他催化剂作用下达到76%,均优于H3PW12O40的催化活性(71%).     

锰表面和氧气及二氧化碳反应的电子能谱研究

用XPS和UUP法,通过Mn2p_2~3、O_(1s)和C_(1s)及X射线诱导的MnLMM Auger谱图的变化,研究了Mn的清洁表面与O_2及CO_2的反应.在室温下把Mn暴露于O_2中,530.1eV的Ols峰逐渐增强,同时Mn~0 2p逐渐峰代替了Mn~0 2p峰,X射线诱导的Auger峰明显减弱且L_3M_(23)M_(23)和L_3M_1M_(23)峰最终消失.由O_(1s)峰计算所得的表面氧浓度与~lj Mn2p及MnLMM的改变相对应,由此表征了Mn的氧化态.CO_2在清洁Mn表面分解为O~(2-)、C、CO_3~(2-)和CO 上述Mn与O_2及CO_2的反应也由UPS得以证实.     

复合助剂对VPO催化剂物性的影响

以V2O3、浓H3PO4为原料,浓Hcl和柠檬酸作还原剂,加入一定含量不同金属离子作为助剂采用超临界流体干澡法制备了VPO催化剂,并在不同气氛下进行活化．应用BET、XRD、XPS等表征手段,考察了各VPO催化剂粒子的比表面积、晶相结构及表面V离子价态等物性．实验表明：采用超临界流体干燥法可使催化剂的比表面积显著增加,助剂的种类和量不同,活化气氛不同,对催化剂比表面积的影响也不同,助剂的种类对催化剂的晶相结构也有一定的影响．但对催化剂表面V离子价态影响不大．     

静电辅助的气溶胶化学气相沉积法制备Y2O3薄膜

采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积的方法成功地在Si(100)衬底上制备了Y2O3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XRP)对薄膜进行了表征.SEM分析结果显示,薄膜的颗粒为纳米级的,并且薄膜致密、平整.AFM分析结果表明,薄膜的粗糙度为11nm.由XPS分析可知,薄膜为基本上符合化学计量比的氧化物.附着力测试表明,Y2O3薄膜与Si衬底的附着力为4.2N.X射线衍射分析结果表明,沉积得到的Y2O3薄膜在热处理前为非晶结构,热处理之后薄膜具有立方晶体结构,并且沿(111)面择优生长.     

低压铜基甲醇含成催化剂活性表面的XPS和TPD表征

对用共沉淀法制备并经氢预还原活化的三组份 Cu-ZnO-Al_2O_3 和四组份Cu-ZnO-Al_2O_3-M_2O_3(M=Sc~(3+)、Cr~(3+)或In~(3+))铜基甲醇合成催化剂进行 XPS,XPS-Augcr,TPD谱表征及CO吸附量测定,研究铜基甲醇合成催化剂活性表面铜的化学态。根据原子价补偿原理及本实验结果,在温和还原条件下,催化剂活性表面存在少量Cu~+,它是 CO、H_2 的吸附活性位。     

Si夹层对GaAs/AlAs异质结的影响

用MBE生长了GaAs/Si/AlAs异质结及其对比样,通过深能级瞬态谱技术(DLTS)和X射线光电子谱测量(XPS)研究了Si夹层的引入对异质结的影响,研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷,异质结仍保持较好的质量,但使GaAs/AlAs的带阶发生了改变。