光致负阻效应及其机理探讨

本文介绍了由间接耦合光电探测器产生的光致负阻现象、并以实验为依据，基于一些合理的简化和假设，提出了一种物理模型。由此建立的几个基本的物理方程及进一步的理论推导的结果表明：该物理模型可以较好地对耦合区电流的负阻特性进行定性地解释。     

PLBT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器

首次报道了 PL BT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器的初步研究结果 ,介绍了硅光电负阻器件 (PL BT)的特性并对用该器件所构成的光控正弦波振荡器进行了实验研究     

光电负阻晶体管PNEGIT的研制

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流下分别达到了０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性。     

负阻效应的原理与应用

在对负阻元器件特性进行研究和分析的基础上引出负阻效应的概念,对负阻效应产生方式和原理进行了论述。NIC(Negative Impedance Converter)是一种广泛运用于设计的负阻抗器件,提出了两种构成NIC的方式,给出了利用NIC来实现阻抗变换的设计原理和方法。运用由运算放大器构成的NIC对现有的LC阻尼振荡实验进行了改进,并给出了具体的电路,使实验结果更接近理论分析结果,还可使观察到的实验现象更加多样化。对负阻效应在几种实际电子线路中的应用进行了研究和总结。     

线性测量系统中光电探测电路的设计

在一些线性测量系统中一个重要的环节就是光电转换,光电转换由光电探测器来实现,光电探测器的好坏直接影响到最后的实验结果,为了得到好的实验结果,必须要求设计出响应快、灵敏度高、稳定度好、测量线性好、信噪比高的光电探测电路.本文就实验系统中所涉及到的光电探测电路进行研究设计,采用硅光电二极管作为光电探测器.文中分析了硅光电二极管的基本结构、等效电路、噪声等情况,并给出了实用的光电探测电路.　　1　硅光电二极管的基本特性　　1.1　基本结构和等效电路硅光电二极管的等效电路如图1所示,图中is是电流电生器,它是硅光电二极管…     

晶闸管电路分岔,混沌行为研究

对包含晶闸管这一双稳负阻器件非线性电路交流响应的研究发现，在这一定的工作条件下，电路出现倍周期分岔和混沌以及间歇混沌现象，对实验结果进行了理论验证和分析，从而建立了简洁的理论模型，较好地模拟了实验结果。     

晶闸管电路分岔、混沌行为研究

对包含晶闸管这一双稳负阻器件非线性电路交流响应的研究发现，在一定的工作条件下，电路出现倍周期分岔和混沌以及间歇混沌现象．对实验结果进行了理论验证和分析，从而建立了简洁的理论模型，较好地模拟了实验结果     

锗合金扩散晶体管负阻特性的研究

兰大技革组已从实验上发现,只要时3AG63锗合金扩散晶体管进行适当地脉冲“处理后”,它的Ⅰ-Ⅴ特性就具有典型的负阻特性。文中探讨了这种负阻现象的物理机理,借用电子计算机求解了热—电传导方程式,所得结果同实验一致。     

基于信息传递过程的综合实验设计

从信息传递的过程出发，在分析了光电信息工程专业现有实验体系的基础上，提出以信息的产生、变换、传递和探测为主线的综合实验设计方法。系统分析了以信息传递为基础的综合实验设计的可行性，介绍了综合实验的设计过程，通过细丝直径测量进行实例说明，为光电信息工程专业综合实验的设计与研究提供了一种新方法。     

含分段线性负阻的RLC串联电路动力学行为

对一个含分段线性负阻特性的ＲＬＣ串联电路进行了研究，数值模拟结果表明，该系统在不同的参数范围内分别出现倍周期分岔序列，３Ｐ序列，混沌带反序列ｎＩ及混沌现象，为电路实验研究提供了依据。     

有机反转电致发光器件的负阻特性

对结构为Si/Al/Alqs/PVK:TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件Ⅰ-Ⅴ特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明:高电压注入时,器件内形成了高浓度的等离子体;载流子寿命和迁移率随注入电压变化;特别是体内出现了严重的电导调制效应使得器件由高阻区变为低阻区,这些是形成负阻特性的主要原因.通过引入双极迁移率和双极扩散系数将空穴和电子的电流连续性方程联合起来,解释了具有负阻区段的Ⅰ-Ⅴ特性曲线.     

光电信息工程专业综合实验设计与研究的新思路

此文从光电信息工程专业的特点出发，分析了现有实验体系的基础上，提出以信息的产生、变换、传递和探测为主线的综合实验设计思路，在不需要额外大量增加投入的条件下大大丰富了光电信息工程专业综合实验的设计与研究方法，并可以为相关专业综合实验的设计提供新的思路。     

光电信号采集中利用 FFT 实现快速、精确自动对焦

光电信号采集中利用ＦＦＴ实现快速、精确自动对焦程守澄孙新华（军械工程学院光学教研室石家庄０５０００３）在任何光电测试系统中，为获得准确的信号采集必须将光学信号像面精确定位在光电器件探测器表面。如果图像轴向偏离探测面即产生离焦现象，此时光电信号采集将出...     

二维材料偏振响应光电探测

各向异性二维材料由于其晶体结构的特殊性,在电学或者光学性质(如光致发光光谱、拉曼光谱、光吸收谱和电导率等)上表现出各向异性。这些性质引起了研究人员的广泛关注,特别是在光电探测方面的研究进展非常迅速,为其在光电器件的设计和开发中提供了巨大的应用潜力。文章从本征偏振探测和结构改进两方面综述了近几年来各向异性二维材料在偏振光电探测领域的发展和成果。首先阐述了各向异性二维材料的晶体结构特点和各向异性的来源,然后介绍了基于这类材料制备的多种偏振敏感光电探测器,接着提出了各向异性二维材料在光电探测应用上的重要性,最后基于现状提出了其所面临的挑战及机遇。     

钴原子激发态光电离的实验研究

文章报道了在300-310nm波长范围内3d过渡金属Co原子共振增强多光子电离(REMPI)的实验研究结果.实验中采用激光烧蚀和高压脉冲超声分子束相结合的技术制备等离子体,获得的等离子体与探测激光作用形成光电离产物,由飞行时间质谱仪对光电离产物进行甄别.通过分析光电离产物产额随探测激光强度的变化关系,得到了Co原子激发态的绝对光电离截面.     

绝缘子光电检测系统的研究

本文总结了近几年来在绝缘子光电检测系统方面的研究成果。重点介绍了光电系统的特性;研制了适用于探测单元中的关键元件气体发光管,解决了光电传输稳定性与远距离传输问题,为制造更高电压等级的光电式测杆提供了实验结果和完整的数据。     

中国科学院深圳先进技术研究院成功开发超灵敏光电探测器

<正>2019年4月,中国科学院深圳先进技术研究院材料界面研究中心副研究员李佳团队在超灵敏光电探测器研究领域取得新进展。研究团队巧妙地设计了一种新型的复合式分层有机光电晶体管结构,在充分利用电荷俘获效应的同时兼顾了高效的电荷分离和输运,从而实现了光电探测性能的大幅提升。相关成果《基于新型复合式分层结构有机     

多层薄膜的巨磁电阻效应及其应用

本文介绍了多层薄膜的巨磁电阻效应。由铁磁材料与非磁材料相间构成的厚度在几纳米的多层膜超晶格结构,具有特殊的磁电效应,在磁场作用下呈现电阻剧烈下降现象,即所谓巨磁电阻效应。该效应在硬盘磁头读出器、弱磁探测等方面具有广泛应用价值。     

光电导光谱在半导体及其微结构研究中的若干应用

在简要介绍半导体光电导现象的基本分类和实验测量方法的基础上，结合作者的工作领域，具体介绍了光电导光谱在半导体及其微结构研究中的若干应用．     

基于高速微弱光电探测相关技术的浅析

高速微弱光电探测技术在激光通信中应用广泛,如何在噪声环境中检测出所需信号是一个难点。首先对光电探测器主要部分(光电二极管与放大器)的参数进行分析,然后分析了光电二极管输出信噪比,得出提高光电探测灵敏度关键在于选择恰当的器件以及设计合理的放大电路。通过搭建具体的实验电路,经过测试,该电路在工作波长为1 550 nm脉冲信号,传输速率为2.5 Gb/s条件下,误码率为10-12时,探测器灵敏度可达到-24.8 dBm,实现了高速微弱信号的探测。