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相似文献
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1.
通过高温熔融法制备了Tb3+离子掺杂的磷酸锌玻璃/玻璃陶瓷,并观察到在254 nm紫外光激发后有绿色长余辉发光现象.通过激发与发射光谱、余辉光谱、热释光谱等得到的信息,研究了Tb3+离子掺杂的磷酸锌玻璃/玻璃陶瓷的发光性质.  相似文献   

2.
通过高温熔融法制备了Tb^3+离子掺杂的磷酸锌玻璃/玻璃陶瓷,并观察到在254nm紫外光激发后有绿色长余辉发光现象。通过激发与发射光谱、余辉光谱、热释光谱等得到的信息,研究了Tb^3+离子掺杂的磷酸锌玻璃/玻璃陶瓷的发光性质。  相似文献   

3.
采用高温熔融法制备了Tb单掺和Ce/Tb共掺硅酸盐闪烁玻璃,并测试样品的密度和荧光光谱.结果表明:玻璃样品具有较大的密度,均超过4.0 g/cm3.在空气氛围下熔制的Ce/Tb共掺硅酸盐玻璃中同时存在Ce3+和Ce4+离子.Ce3+在激发波长为290~380 nm时,通过无辐射能量传递强烈敏化Tb3+的发光;而Ce4+则在不同波段激发光的激发下分别与Tb3+和Ce3+存在竞争吸收,因此随着Ce O2含量的增多Tb3+的发光强度减弱.  相似文献   

4.
采用高温熔融法一次成型制得了一种高亮度硼铝锶长余辉发光玻璃陶瓷.研究了B2O3含量对Eu2 ,Dy2 共掺杂硼铝锶长余辉发光玻璃陶瓷晶相组成和发光性能的影响.XRD结果表明:随着B2O3含量增加,样品中SrAl2O4相减少,SrAl2B2O7等杂相增加,从而发光性能降低.样品的激发光谱和发射光谱显示:长余辉发光玻璃陶瓷的激发峰位于370 nm,发射峰位于520 nm,归属于Eu2 的5d→8S7/2特征发光;改变B2O3含量并不会改变样品的激发峰位和发射峰位.增加B2O3含量,降低熔点,发光亮度也降低,余辉时间缩短.B2O3的摩尔百分含量为18.53%时各项性能最佳,初始亮度可达16 cd/m2,激发停止330 min时仍能达到7.96 med/m2,余辉时间长达50h.  相似文献   

5.
采用高温熔融冷却法制备了Tb3+,Ce3+掺杂和Tb3+/Ce3+共掺硼酸盐玻璃,并利用荧光光谱研究了其发光性能。结果表明:在紫外光激发下,Tb3+掺杂玻璃最强发射峰位于545 nm;Ce3+掺杂玻璃的发射光谱是峰值位于387 nm附近的不对称宽带;Tb3+/Ce3+共掺玻璃的发射光谱是由380 nm附近的不对称宽带和491,545,588,623 nm附近的4个发射峰组成;在Tb3+/Ce3+共掺玻璃中,Ce3+是Tb3+的高效敏化剂,Tb3+的发射强度是Tb3+掺杂玻璃的8倍以上。  相似文献   

6.
为了探索高效的应用于玻璃大棚的荧光材料,我们制备了一系列掺杂Eu~(3+)、Mn~(2+)和Sm~(3+)离子的磷酸盐玻璃陶瓷.通过详细分析样品的光致发光光谱,我们发现:在氙灯激发下,Eu~(3+)/Mn~(2+)/Sm~(3+)三掺磷酸盐玻璃陶瓷通过吸收紫外光和蓝绿光,能发射强的红橙光.Eu~(3+)/Mn~(2+)/Sm~(3+)三掺样品展示了宽的光谱吸收带和高效的发光强度,它有望应用于光学玻璃大棚.  相似文献   

7.
采用高温熔融法制备了掺Tb3+硅酸盐闪烁玻璃,并加入多种具有敏化功能的稀土离子(Ce3+/Ce4+,Dy3+),通过测量样品的激发光谱和发射光谱研究各种稀土离子对Tb3+发光性能的影响.结果表明:Tb3+掺杂浓度过高时会出现浓度淬灭现象,Tb3+质量分数为10%的样品发光强度最大.空气气氛下熔制的玻璃中同时含有Ce3+和Ce4+,由于Ce4+离子与Tb3+离子存在对能量的竞争吸收,使Tb3+的发光强度减弱.加入适量的Dy3+离子可以敏化Tb3+离子的发光.  相似文献   

8.
采用溶胶-凝胶法制备了Tb3+/Eu3+共掺Zn Al2O4微晶玻璃,研究了热处理温度对材料显微结构的影响以及不同稀土离子掺杂材料的发光性能.X射线粉末衍射测试结果表明,干凝胶样品在900℃温度热处理后可得到透明的含尖晶石结构Zn Al2O4微晶玻璃.发射光谱分析表明,在900℃热处理Tb3+∶Zn Al2O4和Eu3+∶Zn Al2O4微晶玻璃样品中,Tb3+离子与Eu3+离子分别发射绿光和红光.Tb3+/Eu3+∶Zn Al2O4发黄橙光,并且发光颜色随着Eu3+离子浓度的变化可调,该材料在白光LED领域具有潜在的应用前景.  相似文献   

9.
长余辉发光玻璃的研究已经历了50年的发展,其发光机理是由于材料中的稀土激活离子发生能量跃迁而引起的.经逐步改进的三种长余辉发光玻璃制备方法,即熔融法、合成法和溶胶-凝胶法,各有优缺点。今后研究还应在寻找新材料、拓展应用领域等方面不断深入.  相似文献   

10.
选择硼硅酸盐体系,采用两步法制备了Eu,Dy掺杂的硼硅酸盐基质玻璃,并对其进行了激发光谱和发射光谱的分析.实验结果表明:该发光玻璃经紫外光激发后,发光峰位于482nm,为Eu2+的典型发射峰.发光粉的最佳掺入量为40%,同时随着烧制时间的延长,发光玻璃的发光时间及余辉强度都逐渐下降.  相似文献   

11.
实验测定了电子俘获材料CaS:Eu,Sm的荧光激发谱,辐射谱以及红外上转换光激发光谱,发现可见光对红外上转换辐射光的激发灵敏度高达50%,而紫外光只有18%,具有可见光激发的优势,根据电子俘获材料的能级模型,电子俘获发光机理以及稀土离子在立方晶场中的能级结构,并结合光谱测试所提供的信息,分析了电子俘获材料CaS:Eu,Sm在光激发过程中的能量传递途径,阐明了电子俘获材料CaS:Eu,Sm可见光激发优势的机理。  相似文献   

12.
本文用拉曼谱和光致发光谱研究了PbSnS3纳米棒的光学性质.PbSnS3纳米棒的拉曼谱可用两种声子模式解析.PbSnS3纳米棒在紫外线激发下发蓝光.  相似文献   

13.
利用单泡声致发光光脉冲间期短以及与声场精确同步的特点,首次把高时辨的光子计数器用于单泡声致发光光谱的测量,极大程度地提高了信噪比,在较高的灵敏度下亦可达到较高的分辨率.利用该方法得到了稳态单泡声致发光的光谱曲线,并且对原始光谱曲线进行了校准.  相似文献   

14.
该文章采用水热法制备了NaCl:Tb3+荧光材料。测量并分析材料在室温下的激发光谱及相应的发射光谱。结果表明材料通过监测545nm的激发峰是由Tb3+离子的f→f跃迁和基质吸收引起的激发峰组成。材料在500nm-750nm范围内的发射光谱由Tb抖离子的。D4→7FJ(J=5,4,3,2,1,0)跃迁引起的发射峰组成。,  相似文献   

15.
利用包络函数和有效质量理论计算了GaN柱形量子点的电调制反射谱, 并用Airy函数表示其柱坐标下薛定谔方程的解. 着重分析了重空穴轻空穴共同作用下的GaN柱形量子点电调制反射谱的Franz-Keldysh振荡, 并比较了与重空穴、轻空穴单独作用下波形的不同. 随着调制电压逐渐增大, 重空穴轻空穴共同作用下的电调制反射谱与其单独作用时一样出现Stark频移, 即量子限制Stark频移.  相似文献   

16.
基于简单遗传算法,通过求解超定方程组的非负最小二乘解,优化单色发光二极管(LED)匹配光源组合,实现用白光LED取代部分单色LED模拟太阳光谱,并讨论白光LED可以取代几种不同峰值波长的LED.仿真结果表明:在300~1 100 nm范围内,随着白光LED取代单色LED种类的增加,所用LED总数减少,光谱匹配度均下降;当取代3种不同峰值波长LED时,该算法拟合的相关指数为0.903 5,可减少15.6%的LED个数,模拟光谱与目标光谱基本吻合.该方法的光谱失配度小,可精确分辨标准太阳光谱AM1.5的两个吸收谷.  相似文献   

17.
采用迈克尔逊干涉装置测定了钠光灯和汞灯的干涉图,利用傅里叶光谱中存在的干涉图和光谱图的变换关系,通过快速傅里叶变换(FFT)的方法分析了钠光灯和汞灯的辐射光谱.Matlab仿真分析结果表明,采用傅里叶变换光谱可以清晰地展现辐射源的辐射光谱.  相似文献   

18.
转光农膜的光谱特性分析   总被引:5,自引:0,他引:5  
测试分析了转光农膜的透光值、辐射强度、量子流密度等光谱特性,并给出了北京地区自然光和转光膜透过光的光谱分布。分析表明:转光剂的引入使透光值提高1.39%~1.75%,透过光中紫外光和绿光减少,红光辐射强度提高可达4.69%;提出农膜转光值表征方式,得到620nm处的红光转光值为2.0%~6.9%,340nm的紫外光为—0.5%~—2.7%。北京地区自然光及试验膜透过光辐射分布呈不均匀状态,600~660nm橙红光较为充足,在可见光中占29.16%,绿光占23.11%,而紫外光含量仅占300~1100nm日光辐射的0.27%。  相似文献   

19.
新型偶氮卟啉荧光化合物的合成、表征及光谱性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
以对氨基苹甲醛和苯酚(或蔡酚)为原料通过重氮化和偶合反应合成偶氟醛,偶氮醛与吡咯反应得到2种新型偶氮卟啉——四对(4-羟基偶氮苯基)苯基卟啉(3)和四对(2-羟基偶氮萘基)苯基卟啉(4).通过核磁氢谱、红外和质谱对其结构进行了表征,研究了紫外和荧光光谱性质,并与无取代的四苯基卟啉的光谱性质进行了比较.新化合物紫外吸收有红移现象,且能在红光区发射荧光.化合物4的荧光光谱有较大红移,且在851nm处发现荧光发射峰.  相似文献   

20.
高灵敏度光纤气体传感器的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了差分吸收式光谱吸收型光纤气体传感器.基于NO2的光谱吸收特性,设计了一种检测NO2浓度的光纤传感系统,以LED作为光源,采用双波长差分检测技术,有效消除了由光源、光纤和传感头的不稳定所引起的检测误差,提高了检测灵敏度,大大增加了该传感器的适用性.  相似文献   

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