一个0.9 V电源电压16位300 μW音频ΣΔ调制器

设计了一个应用于0.9 V电源电压,精度达16 bit,功耗仅为300μW的音频ΣΔ调制器.调制器采用了前馈单环三阶结构,以降低整个调制器的功耗;并采用时钟自举电路以实现低电压下CMOS开关的良好导通.芯片采用SMIC 0.18μm一层多晶六层金属工艺进行设计和仿真,芯片核心部分面积为0.7 mm×0.66 mm.后仿真结果显示该调制器在20 kHz的音频信号带宽范围内信噪比可达93 dB.     

恒定、匹配的大电流输出电荷泵电路

用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一种应用于5 GHz锁相环型频率合成器中的电荷泵电路.该电路运用单位增益运放电路和自偏置共源共栅电流源电路实现了充放电流的高度匹配.充分利用单位增益运放电路减小电荷泵输出端的电荷共享现象,使电荷泵电路结构较简单并减小了功耗.Spectre后仿真表明,在电源1.8 V、输出电压0.5-1.3 V,充放电流失配率小于0.8%,电流绝对值偏移率小于0.6%,最大功耗8.53 mW.     

低功耗UHFRFID射频/模拟前端解决方案

提出了用于无源超高频射频识别(UHF RFID)芯片的射频/模拟前端.该射频/模拟前端通过系统分区和分时供电优化了系统功耗,子电路包括整流电路、基准电路、三轨稳压电路、解调/调制电路、上电复位电路以及时钟电路.通过引入阈值补偿,将全CMOS整流电路的整流效率提升至不低于48%;电流求和型亚阈值基准电路在保证基准精度的同时,有效降低了功耗和芯片面积;无需大尺寸无源器件的解调电路,并从系统架构层面解决了解调失真的问题.该射频/模拟前端电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺库仿真并投片验证,测试结果表明:直流功耗为3.6μA,芯片有效面积为0.27mm2.将该射频/模拟前端电路集成至一款UHF RFID标签芯片中,采用商用阅读器进行测试,其读取距离6m,平均读取速率达到89.9个/s.     

一种高速低功耗内容寻址存储器的设计

提出了一种适用于TLB的低功耗内容寻址存储器电路,该电路用两级比较的方法实现TLB的查找功能．由功耗模型的分析得到低功耗CAM的最优设计参数,通过减小电压摆幅的办法进一步降低功耗．电路在0．18／μm 1P6M标准CMOS工艺上实现,仿真结果表明64路TLB的最大比较延迟为0．983ns,功耗为4．59μW／bit．     

一种极低功耗CMOS运算放大器设计

提出了1种两级结构极低功耗CMOS共源共栅运算放大器,电路采用了体驱动技术,其主要MOS管工作在亚阈值状态.采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计,Spectre仿真结果表明,电路稳定工作电压可低至0.5 V,工作电流小于0.2μA,功耗小于0.1μW,开环增益为90.3 d B,单位增益带宽为3.2 k Hz.     

一种低功耗、高性能BICMOS DC-DC限流电路的设计

采用0.6μm BICMOS工艺,设计了一种高性能、低功耗的限流电路,并成功地将其应用于一款高效率、宽输入电压范围的DC-DC升压型开关电源管理芯片中.该电路作为整个芯片的核心模块,主要由限流比较器、软启动和斜坡补偿电路组成,其中限流比较器引入了动态偏置的思想,提高了电路性能,降低了功耗.分析了各个电路的设计原理和过程,并给出了芯片的仿真和测试结果.结果表明该比较器在电源电压为3.3 V时,增益达117 dB,总静态电流仅15μA.     

一种基于开关逻辑结构的低功耗SAR ADC的设计

设计并实现了一款10位逐次逼近型模数转换器,该电路采用了改进型开关逻辑结构降低了开关的动作频率,提高了数模转换器的线性度,同时降低了模数转换器的功耗.仿真结果表明,该模数转换器在Chartered 0.35μm 2P4M工艺下实现了10位精度,转换速率为250 kHz,信噪比大于60 dB,功耗小于2 mW.流片后测试结果显示芯片达到设计指标要求,平均功耗为1.97 mW.     

基于白光LED的可见光通信接收机专用集成电路设计

可见光通信接收机集成电路采用UMC 180μm标准CMOS工艺设计,与传统光纤通信接收机不同,发射端基于白光LED.接收机电路使用有源电感、后均衡和负米勒电容技术以提升带宽,采用直流偏移消除反馈网络稳定电路直流电平.仿真结果表明,电路-3 d B带宽大约为436.5 MHz,输出稳定增益50 dB,功耗为7.06mW.对比传统分立元件搭建的电路系统,集成光接收机不仅功耗和便携性上有优势,带宽提升也有潜力.     

一种用于锁相环的正反馈互补型电荷泵电路

给出了一种新型的互补型电荷泵电路．采用正反馈技术,电路由CSMC1．2μm CMOS工艺实现,可工作在2V的低电压下．Spectre仿真结果显示,电荷泵的工作频率为100MHz时,功耗为0．08mW,输出信号的电压范围宽(0～2V),电路速度快,波形平滑,抖动小,在不增加电路功耗的前提下消除了传统电荷泵电路的电压跳变现象．该电荷泵电路可以很好地应用于低电源电压、高频锁相环电路．     

应用于可穿戴脉搏血氧检测的G_m-C低通滤波器

为了解决可穿戴脉搏血氧检测芯片滤波器面积大、功耗高的问题,改进设计了一个三阶巴特沃斯G_mC低通滤波器.线性跨导器采用源极负反馈结构来增大线性范围,并且输入管工作在亚阈值区降低了功耗,然后通过密勒效应放大电容来减小面积;同时,该滤波器通过开关电容调谐电路调制滤波器的截止频率,降低工艺偏差.仿真结果表明:在SMIC 0.18μm CMOS工艺,1.8V电源电压供电下,该低通滤波器的截止频率为7.9Hz,面积为0.14mm~2,功耗为6.7μW,相比其他的设计方案,在功耗和面积上都有大幅优化.     

考虑暂态电压稳定的二级电压紧急控制

建立暂态电压稳定分析的微分代数方程组,并提出应对暂态电压稳定问题的二级电压紧急控制策略.该紧急控制策略在常规二级电压控制的基础上减小二级电压控制的时间常数,并将系统发生故障后电压失稳最严重的负荷母线的电压偏差引入到二级电压控制的目标函数中,采用有效集法求解紧急二级电压控制的二次规划模型.在PSAT仿真环境下建立含二级电...     

割集电压与独立节点电压之间的关系

整个推导过程都是以现代网络场论中积分形式的两组独立方程组为源,没有依靠线图。文中介绍关联矩阵、独立割集矩阵的概念．据此得到支路电压,分别与割集电压、独立节点电压之间的关系式．推导出割集电压与独立节点电压之间的关系．同时还举出1个验证示例,以说明所得结论的正确性。     

微机有载调压变压器自动调压装置

探讨以ＭＣＳ－５１单片微型计算机为基础的自动调压装置及在有载调压变压器上的应用。给出为实现该装置主要功能而配置的硬件系统和主要软件的设计，并提出旨在电力系统中应用这种新型装置的几点看法。     

电压的测量

分析了各种电压表的结构与性能特点，提出了一种提高精确度和灵敏度的新方案。     

一种低压高精度基准电压源的设计

提出一种新型基准电压源,通过低阈值源跟随电路和新颖的启动电路实现输出的低压高精度.低阈值源跟随电路通过降低运放的输出阻抗减少系统增益,减少运放失调对输出电压精度的影响,同时低阈值耗尽型管的采用,降低了电源电压和基准电压间的压差,使得该结构可工作于低压系统中;启动电路通过实时监测基准输出电压,加速启动速度的同时消除输出电压过冲现象.该基准电压源已应用于一款线性稳压电源(Low dropout voltage regulator,LDO)中,并基于标准0.35μm CMOS工艺用Cadence的Spectre工具进行仿真验证.仿真结果表明:输出电压启动过程平缓无上冲,基准电压稳定输出为1.215 V@VCC≥1.5 V,静态电流为9 uA@6 V;在-40℃～100℃下,温度系数为26 ppm/℃,电源电压抑制比为85 dB@1 kHz;在电源电压为3 V～6 V下,线性调整率为4.57 ppm/V.     

超高压线路潜供电弧电压的频率特性分析

针对潜供电弧状态对超高压线路单相自动重合闸影响的问题，提出了一种基于故障相电压谐波情况的电弧状态判断方法．该方法在分析了一次及二次电弧的特性及不同补偿度下电弧熄灭后系统振荡特性的基础上，通过引入总谐波畸变（THD）来反映故障相电压谐波含量的变化．对不同补偿度的系统运用EMTP进行了仿真，结果表明电弧熄灭后，故障点电压的THD值将显著降低，为利用故障点电压的谐波情况来判断电弧状态提供了依据．     

用倍压整流方法对电缆进行直流耐压试验

倍压整流适用于电压高、电流小的场合,常用于电缆的耐压试验。详细介绍了如何用倍压整流方法对电缆进行直流耐压试验及泄漏电流的测量,并对试验结果进行了判断。     

低压线路允许长度和电压损失的估算方法

根据线路的允许电压损失和导线的允许电流，得出了不同截面导线所允许的输电距离的估算方法，并按此方法计算了不同截面常用导线的允许输电距离。     

高压低饱和压降GTR最佳设计

本文提出了高压低饱和压降ＧＴＲ的最佳设计方法。分析表明，高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。并论证了穿通因子（Ｎ＝Ｗｅ／Ｘｍ）的最佳值为０．７左右。在此范围内，在保证高击穿电压的条件下，可使他和压降ＵＣＥＲ较低，发射极面积Ａｅ最小，大注入下的电流增益大。     

一种低电压、低功耗CMOS基准电压源的设计

本文设计了一种低电压、低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压源。该电路基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比。SPICE仿真显示,在1V的电源电压下,输出基准电压为609mV,温度系数为72ppm/℃,静态工作电流仅为1.23μA。在1-5V的电源电压变化范围内,电压灵敏度为130μV/V,低频电源电压抑制比为74dB。该电路为全CMOS电路,不需要用到寄生PNP三极管,具有良好的CMOS工艺兼容性。