二氧化钛修饰电极的光伏特性研究

二氧化钛修饰电极的光伏特性研究方靖淮（南通师范专科学校，南通２２６００７）顾建华陆祖宏（东南大学分子与生物分子电子学开放研究实验室，南京２１００１８）用有机染料和窄禁带半导体修饰敏化宽禁带半导体以增加太阳光的利用率是太阳能电池研究的一个重要领域．在...     

β-折叠蛋白质的二维网格模型及其能带计算

根据β-折叠蛋白质电子传递机制，建立了一种蛋白质的二维网格模型，并计算了其能带结构，所得禁带宽度基本符合A．Szent-Gyioergyi提出的一般蛋白质禁带宽度标准（2～5eV）．     

闪锌矿和纤锌矿结构GaN静态性质计算

闪锌矿和纤锌矿结构ＧａＮ静态性质计算何国敏，郑永梅，王仁智（物理学系）ＧａＮ是宽禁带血一Ｖ族化合物半导体，兼有闪锌矿（立方）和纤锌矿（六角）两种结构，它们在短波光电器件（如蓝色、紫色发光二极管和近紫外短波激光器）、微波半导体器件和大功率、耐高温器件中...     

介质厚度对一维三元结构光子晶体透射谱的影响

用传输矩阵法研究各介质层厚度对一维三元光子晶体（CBA）m（ABC）m透射谱的影响,结果发现：在很宽的禁带范围内,仅出现一条透射峰,且随着m的增加透射峰越加精细;随着A、B、C各介质层厚度的增加,透射峰均向长波方向移动,三者厚度同时增加时透射峰移动速度最快,单层厚度增加时,增加C层厚度透射峰移动最快,B层次之,A层最慢;随着各层介质厚度增加,光子禁带向长波方向移动,各层厚度同时增加时主禁带移动的速度最快,单层厚度增加时,移动速度快慢依次为C层、B层、A层。随着各层介质厚度同时增加或是C、A单层增加,禁带加宽,但B层厚度增加禁带反而变窄。一维三元结构光子晶体的这些特性,为光子晶体设计不同频率范围的光学滤波器、反射器等提供指导。     

宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展

 宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点，概述了半导体材料的划代，综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展，并展望了未来的发展方向和前景。     

砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响

采用5种经不同砷压但相同生长温度（1000℃）和时间(5h)处理的半绝缘（SI）GaAs样品，利用表面光伏（SPV）方法，测量和计算了SI－GaAs在室温（300K）下的主要施主浓度EL2、禁带宽度Egг和双极扩散长度La，并从理论上给相应的解释。     

光子在密度呈正弦变化的一维“声子晶体”中的传播

强调了用声学方法可以获得密度呈正弦平方规律变化的声子晶体,指出了光子在这种声子晶体中的传播等同于电磁波在光子晶体中的传播．描写电磁波运动的麦克斯韦方程化为了熟知的Mathieu方程．数值分析表明,在参数（δ,ε）平面上出现了一系列稳定和不稳定区（禁带）．当参数｜ε｜→0时,这些不稳定区退化为一点,给出了禁带的中心频率,并用摄动法近似地求出了禁带宽度．结果表明,一阶和二阶不稳定区（禁带）宽度与介质的参数和入射光子频率有关．只需适当选择这些参数,就可以有效地调节光子晶体的带结构,并按需要得到不同性能的光子晶体．     

从三元黄铜矿结构CuM（M=In,Ga）X2（X=Se,S）到CuIn0.5Ga0.5Se2的价电构、熔点和光电性能的关联性分析

应用＂固体与分子经验电子理论＂（Empirical Electron Theory,EET）系统地研究了三元黄铜矿结构CIGS的价电子结构,以此为基础分析了CIGS（Cu（In,Ga）（Se,S）2）的熔点和光吸收性质.计算结果和实验值符合的很好,计算得到Cu的3d电子与In,Ga的s电子杂化后的跃迁可以使CIGS吸收光子.CuInSe2的禁带宽度在1–1.16eV之间,CuGaSe2的禁带宽度在1.54–1.74eV之间,CuInS2的禁带宽度在1.4–1.61eV之间,CuGaS2的禁带宽度在2.36–2.44eV之间.用球磨、退火的方法得到CuIn0.5Ga0.5Se2单相,通过XRD得到晶体结构,差热分析得到熔点.根据晶体结构和熔点,用EET计算得出CuIn0.5Ga0.5Se2吸收光子的能量主要分布在1.17–1.56eV之间,禁带宽度接近较小值.黄铜矿结构的CIGS都可以吸收紫外光,其中CuInSe2的吸收效率最高,主要吸收峰在紫外区,CuGaSe2吸收紫外光的效率最低.     

铁磁和反铁磁晶体中非线性电磁波的传播特性

本文对在铁磁和反铁磁晶体中传播的电磁波的下列非线性贡象作了简要论述：（１）非线性磁化效应引起的静磁波的频率转换，（２）周期皱纹波导中非线性静磁表面波的禁带频移，（３）静磁波激发的光波模耦合，（４）电磁波经反铁磁膜层透射的功率多稳效应．     

硫对砷化镓表面悬挂键的饱和作用

利用集团模型探讨了硫对砷化镓（１１０）理想表面悬挂键的饱和作用，着重于定性讨论硫去除禁带内砷化镓表面态的可能性，这有助于了解硫钝化砷化镓表面的机理，计算采用电荷自洽的ＥＨＴ方法，结果表明，硫确能与表面砷化镓原子形成较强的共价键，并把悬挂键形成的表面态移出禁带，其中硫与镓的相互作用更为强烈。     

MS计算半导体性质的应用

主要通过系统能量最低,结构最稳定原理,采用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）赝势平面波方法,对半导体的电子结构（能带结构、电子态密度）和光学性质（复介电函数、折射率、反色率、吸收系数、能量损失函数及能量损失谱）等进行了理论计算,能带结构计算表明是属于间接或者是直接带隙半导体以及禁带宽度;其能态密度确定的是哪个原子层电子来决定能态密度;计算了半导体的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等。比较计算结果与已有的实验数据是否符合较好。     

Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算

使用简化相干势近似（SCPA）计算了Ⅲ-Ⅴ族三元混晶InGaN的禁带宽度，结果表明，该方法与实验数据吻合较好，可用于Ⅲ-Ⅴ族含氮三元混晶相关常数的计算。     

磁控溅射制备参数对ZnO:Al光学性能的影响

ZnO：Al（ZAO）透明导电薄膜是一种n型半导体，有高的载离子浓度和大的光学禁带宽度，具有优异的电学和光学性能，有极广的应用前景．着重分析了磁控溅射制各参数对光学性能的影响．     

高频MOS－CV特性的界面态形变及其测量

讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Ｑ（ｉｔ）对高频ＭＯＳ－ＣＶ特性线的形变规律，提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法，以此算出Ｑ（ｉｔ）密度在禁带中的分布，并对常规高频ＣＶ法的测量误差作了讨论和修正，由于数据的采集和处理可以由微机完成，使这种方法变得简便、准确并易于在工艺线上推广使用。     

Gal-xZnxNO光催化剂粉体的制备及其表征

在氮化镓中添加其他元素，有可能使其宽禁带变窄，从而提高其作为光催化剂的光利用效率．在1123K的氮化温度下，用氧化镓（Ga2O3）和氧化锌（ZnO）粉末与流动的NH3反应900min制备出黄色的氮化镓与氧化锌的固溶体Gal-xZnxNO探讨了制备工艺对所得粉体的影响，通过x射线衍射（XRD），扫描电镜（SEM）以及紫外可见吸收光谱（UV—Vis）研究Gal-xZnxNO的晶体结构和光学性能．所得Gal-xZnxNO的粉末呈六角纤锌矿结构，紫外可见吸收光谱表明该物质的吸收峰位于可见光范围内．     

化合物半导体纳米复合材料的制备和结构及光学特性研究

利用溶胶－凝胶工艺和原位生长技术制备了Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体纳米复合材料，得到了ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄｘＨｇ－ｘＴｅ（ｘ＝１＝０．７）纳米微晶与多孔ＳｉＯ２凝胶玻璃的复合材料。用ＸＲＤ研究了不同复合材料的结构特点，利用吸收光谱和透射光谱研究了复合材料的光学特性，发现纳米微晶的禁带宽度大于其相应体材料的禁带宽度，并且复合材料具有明显的非线笥光特性。用简并四波混频测试了样品的三阶非线性     

中性水溶液中碳钢钝化膜的光电响应

用光电响应方法测量了pH=8.4硼砂－硼酸缓冲溶液中碳钢电极上钝化膜的光电化学行为,通过研究光响应电流iph与入射光能量hv（波长λ）和外加扫描电位U的关系,指出碳钢电极在中性溶液中形成的钝化膜具有n型半导体的性质,半导体特征参数（禁带能量Eg和平带电们和Ufb）表明,钝化膜为晶形和无定形（主要为无定形）γ－Fe2O3组成的无序结构,其禁带能量为2．01eV（晶形）和2．34eV（无定形）,平带电位为－0．10V,这和钝化膜的X射线衍射（XRD）实验结果一致,并导出了无定形半导体材料的光响应电流iph与外加电位U之间的一般关系式。     

转移矩阵方法与一维声子晶体的带结构

声子同物质（比如液体、气体或细长竿等）相互作用可以归结为声子在不同＂声阻抗＂场中运动。所谓声子晶体就是物质的声阻抗周期变化的晶体。当声子在这种介质中运动时,它的能量（频率）将分裂成带。利用转移矩阵方法分析了声阻抗呈阶跃型分布的一维声子晶体带结构,讨论了系统的稳定性、禁带宽度。结果表明,材料的禁带特征与它的参数有关,只需适当选择介质或适当调节介质参数就可以得到不同声学性质的声子晶体。     

介电常数呈阶跃型分布的一维光子晶体带结构

借助加速器概念和矩阵转移方法对介电常数呈阶跃型分布的一维光子晶体进行了研究,自动呈现出了光子晶体的带结构,禁带宽度由公式△ω=c/ηx0[π-2/[1＋l/（2x0）]^1/2]给出.结果表明,禁带宽度与宽度比l/x0有关.宽度比l/x0越大,禁带越宽.     

直流反应溅射α-C:H薄膜

用直流平面磁控反应溅射制备了含氢非晶态碳膜（α－Ｃ：Ｈ），在０．３５－２．５μｍ波长范围内确定了它的光学常数ｎ，ｋ与禁带宽度，包括刚沉积（ＡＤ）与经真空烘烤４５０℃４０ｍｉｎ（ＨＴ）的α－Ｃ：Ｈ膜。红外透射谱、拉曼光谱与电子衍射等分析表明：α－Ｃ：Ｈ为无定形碳与金刚石共存物。热处理后，Ｃ－Ｈ与Ｃ＝Ｏ键减少，而Ｃ＝Ｃ键增加。α－Ｃ：Ｈ作为减反射膜的α－Ｃ：Ｈ／渐变ＳＳ－Ｃ／Ａｌ选择性吸收表面，具有太阳吸收率α≈０．９３（ＨＴ）．发射率ε≈０．０６（８０℃）。