LP—MOVPE生长InGaAs应变超晶格

本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。     

MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP／InP量子阱

报导了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ体材料和量子阱的生长，生长的与ＩｎＰ匹配的１．５５μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ材料，在７７Ｋ时光光半峰宽达１８．７ｍｅＶ，ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱的半峰宽为１８．０ｍｅｖ。     

1.3μmInGaAp／InP高频大功率SPB—BC激光器

提出一种高频大功率选择性质子轰击掩埋新月型ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器结构。用Ｐ－ＩｎＰ做衬底。     

AlGaAs／GaAs超晶格价带的自旋劈裂

对由ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ，ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ和ＧａＡｓ三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究。通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自旋向上和自旋向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方。     

热壁外延生长ZnSe薄膜的质量研究

研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度，用喇曼光谱的空间相干模型，对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇谱形变化进行分析，定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣，分析认为，经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量     

测量InGaAsP／InP异质界面的化学斜面法

本文利用ＡＥＳ测量了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质界面的组分分布和界面宽度，提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法，同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响。     

GaAs／GaAlAs双异质结脊型波导无间距方向耦合器

本文对具有金肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导无间距方向耦合器进行了研究。通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度，适当控制脊高和包层中Ａｌ含量以及采用剥离掩膜，反应离子蚀刻等技术使器件总损耗降为１２．２ｄＢ，串音达－２５．９ｄＢ。     

砷化镓表面P2S5／NH4OH钝化研究

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子分别有效地成键，阻止了砷化镓表面氧化物的组成，并消除了表面存在的悬挂键，从而大大优化了ＧａＡｓ（１００）面的特性．ＰＬ实验结果支持了上述结论．实验结果表明钝化后ＧａＡｓ表面复合速度下降，表面态密度降低．     

HBT的PN结偏移效应

采用流体动力学输运模型详细分析了发射区ＰＮ结偏移对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件性能的影响，提出了器件优化设计的原则，在等和小的偏压下为了提高，β，ＰＮ结应向宽禁带层偏移，而为了得到大电流下的大电流放大倍数则应采用ＰＮ结是质结对准的结构。     

调制增益导引GaAs／GaAlAs锁相激光器阵列

首次利用液相外延标准光刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作 了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。     

粒子群优化的深海图像暗边缘检测优化算法

为解决深海资源探测图像识别难题,提出一种基于粒子群优化的图像暗边缘检测优化算法。该算法通过指数型线性单元和高斯误差线性单元改进激活函数,根据Marr-Hildreth算子检测结果并结合改进激活函数构建暗边缘检测算法,利用粒子群对改进暗边缘检测算法进行训练和优化。最后,采用不同算法对水下11个数据集进行比较的结果表明：改进算法的峰值信噪比、结构相似度和边缘保持指数最高,分别达到18.769 6 dB、0.660 7和0.834 5;图像均方误差最低,为3 750.225 3;平均检测时间为0.667 4 s,比其他对比实验中性能最好的算法缩短了14%。     

灰质泥岩特征及测井响应——以胜坨地区沙三下亚段为例

胜利油田某地区沙三下亚段浊积岩、三角洲沉积体时空展布复杂,大量分布的灰质泥岩对沉积体系空间描述造成了影响。为更好地对该类沉积体系进行研究,基于常规测井资料、岩心观察、薄片鉴定及XRF(X-ray fluorescence)元素测试等资料,从沙三下亚段富灰质泥岩岩石类型分析入手,对不同尺度灰质泥岩岩石学及测井响应特征进行了总结,划分不同的岩石类型组合并建立了测井响应模式。研究结果表明,深灰色灰质泥岩具有低GR(自然伽马)中AC(声波时差)特征,砂质泥岩及深灰色泥岩呈现高GR、高AC特征。砂质泥岩的GR均值大于深灰色泥岩,而声波时差值则偏低。研究区岩石划分为灰质泥岩—砂岩型、泥岩—砂岩型、灰质泥岩—泥岩型、灰质泥岩—砾岩型四种类型,建立了相应的测井解释模型。     

暗诱导绿豆叶片衰老期间多酚氧化酶、过氧化物酶和过氧化氢酶活性的变化

绿豆(PhaseolusraditusL.)五日龄连体叶片暗诱导衰老过程中,叶绿素和可溶性蛋白含量分别干暗培养的第2和第3天开始降低,多酚氧化酶、过氧化物酶和过氧化氢酶活性在衰老起始后明显增加。黑暗培养7天,多酚氧化酶和过氧化氢酶活性增加了2倍,过氧化物酶活性增加了5倍左右。衰老叶片的总酚含量则相应减少。本文对以上酶活性的变化与衰老的关系进行了讨论。     

结合模糊熵和遗传算法的双阈值图像分割

在火炮身管弯曲度测量系统中,为了能从光靶图像中同时提取标定图案和激光光斑,提出了一种双阈值图像分割方法. 基于模糊数学理论和最大模糊熵判据,把光靶图像中的像素灰度级分为黑、灰和亮3 个模糊子集,用于畸变校正的标定图案的像素灰度级隶属于黑模糊子集,用于测量的激光光斑的像素灰度级隶属于亮模糊子集.使用改进的模糊指数熵作为分类判据,提高了分类准确性. 通过遗传算法确定模糊熵参数的最优组合,降低了计算复杂度,并且最大模糊熵判据仅含有4 个模糊熵参数,减小了搜索空间. 针对光靶图像进行了双阈值分割实验,并与最大类间方差双阈值法、模拟退火模糊熵法和使用未改进的模糊指数熵的遗传模糊熵法进行了比较. 实验结果表明,所提方法能自动而有效地选取双阈值,且分割效果优于其他3 种双阈值分割方法.     

a-C∶H/Si太阳电池的研究

本文报导了a-C∶H/Si太阳电池的结构、制备方法和已达到的性能。测试发现电池的暗I-V特性及在200～1000nm波长范围内的反射光谱特性均优于单晶硅太阳电池。进而讨论了这种电池成为一种性能优良的太阳电池的可能性。     

用于射电频谱分析的高分辨率TeO2声光偏转器

七十年代前后,由于新型固体声光材料的发现和高频超声技术的进步,声光技术得到迅速发展.随机光偏转和多频谱工作模式以及小信号工作时的优良线性,为电信号的光学模拟过程提供了很好的方法.     

降低Si基有机光电探测器暗电流的研究

报道了以P型Si单晶为衬底,在其表面真空蒸发有机半导体材料苝四甲酸二酐（PTC-DA）,由此制作的异质结PTCDA/P-Si（有机/无机）光电探测器,通过Si单晶表面处理及衬底温度的控制可降低其暗电流提高灵敏度的方法.     

金属杂质在硅中的分凝及其在器件工艺中的应用

以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10pA/mm~2的暗电流值.该技术也适用于降低一般硅器件的结反向漏电流.经磷吸除后硅材料产生寿命值的提高也作了介绍.     

影响马铃薯试管薯形成的几种因素

通过正交试验方法,阐述激素、温度、糖度及光照诸因素对马铃薯试管薯形成的影响.结果表明:在黑暗条件下,所试品种选用MS+6BA0.5mg/L+60g/L蔗糖,18℃,最适宜试管薯形成.     

萘乙酸对丁香幼苗生长的影响

用 1 0 - 9mo1 /L ,1 0 - 1 0 mo1 /L ,1 0 - 1 1 mo1 /L萘乙酸的营养液分别培养丁香幼苗 ,可使其根茎伸长 ,真叶分化 ,以其浓度为 1 0 - 1 1 mo1 /L的萘乙酸营养液效果最佳 .萘乙酸通过促进茎伸长 ,根加长、加粗 ,起到壮苗的作用 ,提高幼苗的成活率