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低温甲醇洗工艺流程模拟——甲醇洗涤塔的模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
利用Aspen Plus软件对低温甲醇洗系统的甲醇洗塔进行了模拟计算.通过应用该软件提供的不同模型进行模拟计算对比,可以确定RKSWS模型较为接近,对二元交互作用参数进行修改 ,修改后的模型是一种适用于模拟甲醇洗涤塔工艺过程计算的模型.模拟计算分析结果表明 :温度和流量的误差都很小,各组分含量的误差也很小,均在1%之内.由此可知,修改后的模型可以较好的应用于甲醇洗涤塔工艺流程中. 相似文献
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本文介绍了利用CCD线阵器件对特制的钨--镍二极管辐射特性进行测试与分析的工作,这项工作不仅为在大学物理实验教学中开设黑体辐射创造了条件,而且为分析物体的辐射牧场生提供了一种光电图象的新方法。 相似文献
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随着分子束外延技术的发展,人们对半导体超晶格和量子阱结构各种性质的研究产生了极大的兴趣。人们如此重视这个领域是因为它不仅在技术上有着广泛的应用,而且提供了在实际观察电子运动量子化行为的理想条件。 极化子磁光学的研究与实验联系更紧密,从回旋共振的测量,可以直接获得电子-声子作用的信息,因而人们尤其感兴趣电子在磁场中的回旋共振的研究。随着研究的深入,人们也开始重视在有限温度下研究极化子的性质。本文将讨论有限温度下,GaAs-GaAlAs量子阱中的磁极化子的自能、回旋质量与温度的关系。 相似文献
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连续波激光诱导扩散区温度的不接触测量 总被引:11,自引:0,他引:11
激光诱导扩散中曝光区的大小在10μm数量级,其温度分布的测量是比较困难的,该文报道一种曝光区中极微小面元的不接触测量,文中介绍了测量原理,实验装置,给出了实验结果,并特地介绍了测量系统的定标。 相似文献
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本文分析了在设计连续Hopfield(CHNN)模拟软件时,如何设定时间步长(△t和tanh(gu)函数中的增益g的取值等问题.在神经元状态范围为[-1,1]的假定下,提出了以连接权和阀值确定△t和以浮点数范围确定g的实现方法.A/D转换实验表明了本方法的可行性. 相似文献
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在常规BiCMOS技术基础上,该文充分考虑了低温下MOS电流驱动能力增强,双极器件增益与频率性能退化,PN结正向导通电压增加和结电容减小等因素的影响,并由此建立起统一的低温BiCMOS数字电路延迟时间的非线性解析分析模型,所得到的有关结论对低温超高速BiCMOS电路的优化设计有现实的指导意义。 相似文献
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建立了计算无缝线路临界温升的有限元法。为了便于应用本法,导出了道床、扣件的扭转铡度。对具有不同结构参数的轨道结构,研究了由于钢轨温度升高引起的结构稳定性问题。分析结果表明,本文方法具有一定的实用价值。 相似文献
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在室温和液氮温度下,压强在0—20kbar(1bar=10~5Pa)变化范围内,测量了NiCr-NiCu热电偶的压力热电势随压强的变化关系.测量结果表明:在室温和液氮温度下,压力热电势均随压强增高,在0.1K的温度测量精度、0—20kbar的压强范围内,压力热电势不会对温度测量带来影响. 相似文献
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对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管,该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下,根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用、建立了发射区注入电子电流Jn和基区注入空穴电流Jps的一维非线性解析模型。该模型可适用于低温和不同的注入偏置条件,对低温双极器件交直流性能的模拟既快速方便,同时精度也较高,可作为低温器件多维数值模拟的重要补充以指导其优化设计。 相似文献
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研究了小滞后情况下可控硅控温系统中干扰对炉温波动的影响,导出了炉温波动的数学表达式,分析了炉温波动与系统参数间的关系,并与实验结果进行了比较,为进一步提高系统的控温精度提供了理论依据. 相似文献
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温差电材料室温热导率测试装置的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了半导体致冷材料在室温条件下热导率测试装置的制作原理及方法。本装置的特点是采用绝对稳态法测试,样品做得薄,侧面散热小,测试误差小。 相似文献
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本文详细讨论了微机辅助条纹动感投影片设计实现基础,并首次给出辅助设计(基本直线条纹动感投影片)的程序。该程序对广大教师和专业技术人员创作有关投影教材,具有较强的实用价值和经济效益。 相似文献