超薄基区SiGe HBT基区渡越时间模型

通过分析ＳｉＧｅＨＢＴ超薄基区中非平衡效应对载流子温度,扩散系数等参量的影响,建立了超薄ＳｉＧｅＨＢＴ基区渡越时间模型。     

a—Si∶H/a—Ge∶H多势垒结构中的隧道效应

本文通过对反应溅射法制备的a—si∶H/a—Ge∶H多势垒异质结电流——电压关系的测量,研究了多势垒异质结的载流子输运机理,在室温观察到了强场下通过多势垒结构的隧道电流,并检测了热电子的产生。     

金刚石薄膜／立方氮化硼异质结的制备

利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料,采用恒浓度高温扩散方法制备ｎ型立方氮化硼半导体材料。通过化学气相沉积方法在ｎ型立方氮化硼上外延生长ｐ型金刚石薄膜。在基础上,通过欧姆接触电极的制作,制备出金刚石薄膜／立方氮化硼异质ｐｎ结,并给出ｐｎ结的伏安特性曲线。     

GaN基发光二极管波长偏移的研究

在不同环境温度及不同驱动电流条件下,测试GaN基绿光发光二极管峰值波长的变化,结果表明,环境温度及驱动电流的增加,均会引起结温的增加,但是峰值波长的变化却有区别.在环境温度不变,驱动电流增加过程中,出现LED峰值波长的蓝移现象;在驱动电流不变、环境温度变化过程中,出现LED峰值波长的红移.用能带及极化场耦合模理论,分析实验结果,得到In0.25 GaN0.75阱层的极化场强为3.304MV/cm,垒层的极化场强为-0.826MV/cm;首次引入能隙变量随结温变化率的概念,在LED额定驱动电流范围内,热效应、载流子对极化效应引起的内建电场的屏蔽作用所引的能隙变量随结温变化率分别为3.637×10-4ev/k及1.3025×10-3ev/k,研究认为,二种效应引起的能隙变量随结温的变化率决定着峰值波长偏移的方向.     

窄栅效应的二维数值分析

在MOS器件的二维窄栅效应(NGE)的数值分析中;引入了迁移率模型.改进了chung-Sah的常数迁移率近似的结果.发现其电导曲线的斜率随棚压增大由增加变为减少;其阈值电压的窄栅效应变化比常数迁移率时的大,并提出了新的窄栅效应阈值电压模型公式.当从实验上或二维计算中已知一个窄栅器件以及宽栅器件的电导——栅压特性后,就可推知其它栅宽器件的阈值电压.此模型公式用二维计算值及实验值进行了验证.     

PTCDA/p-Si异质结势垒的形成及电流传输机理分析

根据有机半导体材料 PTCDA与无机半导体 p型 Si能够形成同型异质结PTCDA/p- Si,分析讨论了它在正、反向偏压作用下的能带结构及其电流～电压特性。     

PTCDA/p-Si异质结势垒区特性理论的研究

有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)是弱p型半导体材料,其载流子浓度为5×1015/cm3,禁带宽度为2.2eV,可与多种材料形成异质结.详细计算了PTCDA/p-Si异质结势垒形成的电势分布,电场分布和电流-电压(伏安)特性,计算结果与实验结果一致.     

对“新的p－n结光生伏特效应”提法的异议──与刘忠厚等同志商榷

本文对刘忠厚同志否定经典光伏理论的实验提出质疑，并指出他的“新的ｎ－ｎ结光生伏特效应”理论的不妥之处．     

对“新的p—n结光生伏特效应”提法的异议：一与刘忠厚等同志商榷

本文对刘忠厚同志否定经典光伏理论的实验提出质疑，并指出他的“新的ｐ－ｎ结光生伏效应”理论的不妥之处。     

(112)面CdTe/Cd1-yZnyTe,Hg1-xCdxTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜

用X射线双晶衍射(XDCD)法测得分子束外延(MBE)法生长的CdTe/Cd0.959Zn0.041Te(112)B异质结的倾斜角为0.2185°,而且朝［1-1-1］晶体学方向倾斜.为了获得较精确的倾斜角值,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度φ之间的准正弦函数.为高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)分析制备了MBE法生长的Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs(1-12)B多层异质结的横截面薄膜.CdTe/GaAs异质结的HRTEM明场象表明CdTe(1-12)缓冲层相对于GaAs(1-12)衬底朝［1-11-］方向倾斜约3°,并且在Hg0.535Cd0.465Te/CdTe异质结,Hg0.535Cd0.465Te(1-12)外延膜相对于CdTe(1-12)缓冲层在［11-1］方向,即［1-11-］的反方向倾斜约1°.也分析了Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs多层膜之间的倾斜角关系.     

晶体管集电结电容对放大电路的影响

晶体管集电结电容C_b′c在放大电路中引入一内部反馈,阻容耦合放大时,这个内部反馈是一个电压并联负反馈,反馈系数小,可忽略不计。当放大器的负载为电感性时,通过C_b′c的反馈为电压并联正反馈,从而产生自激振荡。本文通过计算和实验两个方面加以证明。     

半导体PN结光电成像

该文描述半导体ＰＮ结，在不同偏置电压下，受强度调制光照射时，产生的光生电压的测量结果，并对ＰＮ结进行了静态（非工作状态）和动态（外加工作电压）光电成像。从理论上探讨了ＰＮ结光电成像的物理机制，得到了ＰＮ结光电成像的一般规律，由此为集成电路等半导体器件进行静态或动态光电成像检测及分析提供依据。     

介质-磁头系统的场分布

用有限元方法,对数字磁记录中的磁头-介质系统进行了计算机模拟,得到磁头-介质一体化的磁场分布以及磁力线分布.介质磁化过程遵循矢量磁滞模型,用磁头材料的测量值作为磁头的磁滞模型.     

计算机运态仿真技术在机器人轨迹规划中的应用

本文首先建立了PUMA-560机器人的数学模型,然后,依次建立了机器人点到点(PTP)运动的轨迹模型和机器人沿连续路径(CP)运动的轨迹模型。在此基础上,以PUMA-560机器人为例,借助计算机图形学中的动画技术,在IBM-XT计算机屏幕上显示出了该机器人的动态运动过程及相应的轨迹曲线,效果相当理想。由此证明计算机动态仿真技术在机器人的轨迹规划中可以发挥相当重要的作用。     

定向凝固固——液界面温度场的测量及其计算机模型(英文)

作者以A1-7.0%Si-0.3%Mg合金定向凝固为实验对象,应用自行设计的定向凝固设备,测定了不同时刻,不同位置的定向凝固固-液界面温度场。作者以T=B_1exp(B_2x十B_3τ)+B_4为目标函数,探索了确定温度场系数的数学原理,并建立了相应的计算机模型,对所测定的温度场进行了计算机处理运算,并由实验确定了固-液面温度场方程的系数。作者还应用温度场和各热参数的关系,由计算机确定了各热参数值。     

聚变堆第一壁材料溅射的计算机模拟

用基于两体碰撞近似的蒙特卡罗模拟方法，研究聚变a粒子对反应堆第一壁材料（C，W，B ,SiC及不锈钢Fe073Cr0.18Ni0.09)的溅员伤，着重讨论上述材料溅射产额随入射能量的变化及家它与实验结果的比较，并且给出具有一定能量分布的α粒子 轰击第一壁时，各种材料的溅产额，溅射粒子能谱，角分布和源深度分布，以及β粒子入射角对溅产额的影响，计算结果表明，在相同入射条件下，不锈钢的溅 额较大，其余几种材料的溅射产额几乎相等。     

流水线计算机的性能评价

首次为流水线计算机系统结构建立了排队模型－多重定长休假，循环服务的M／D／1／∞／FCFS。用建立向前方程的方法解析了多重休假式M／G／1／∞／FCFS，实现了流水线计算机在理想状态和非理想状态下的数学解析，同时用模拟方法对其性能进行了评价，这些工作对设计高性能的流水线计算机有一定的指导意义。     

光电积分测色局部颜色最小二乘修正

本文介绍了一种用于光电积分测色的局部颜色最小二乘数值修正法。该法能使光电积分测色的准确度，在一定的色品坐标范围内达到分光测色的水平。最后还通过筛子式系统误差仿真实验验证了上述结论。     

日本七鳃鳗脊髓中细胞连接和肾脏超微结构的研究

本文对日本七鳃鳗脊髓和肾脏的超微结构进行了较详细地观察。其结果表明:日本七鳃鳗脊髓中已见到有化学突触(轴一树突触和树一树突触)、桥粒和半桥粒三种细胞连接。肾小体滤过屏障可分为内皮、基膜和足细胞次级突起的裂孔三层。肾小管的上皮由明、暗两种细胞构成,该两种细胞主要差别是处于不同的功能状态,细胞器致密程度不同所致。上皮细胞的侧面有连接复合体。     

(CdTe—ZuTe)/ZnTe/GaAs(100)超晶格结构的X射线测定

用X射线衍射,并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(100)应变超晶格材料的结构进行了研究,得到了其结构参数和信息.