用SEM考察合成条件对TS—2分子筛晶体形貌的影响

以扫描电镜方法（ＳＥＭ）系统地考察了不同合成条件下ＴＳ－２分子筛的晶体形貌。结果表明：在ＴＳ－２分子筛合成过程中，模板剂用量增加使得分子筛结晶度提高；增加Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２比使分子筛晶体粒径增大，但过高的Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２比导致结晶纯度下降；Ｓｉ／Ｔｉ比提高会减少晶体中杂晶数量，晶体形状更加规整、均匀；调高胶液ｐＨ值时，分子筛晶粒增大，但结晶纯度下降。     

直流PCVD方法制备α—Si：D／H薄膜

将Ａｒ（９５％）－ＳＨ４（２．５％）－Ｄ２（２．５％）混合气体等离子体直流正辉区用化学敢相沉淀（ＰＣＶＤ）方法制备α－Ｓｉ：Ｄ／Ｈ薄膜，采用双探针技术测量了混合气体等离子体参数，红外照相方法测量了反应腔壁温度，结果表明，基片支架对反应腔的等离子体有干扰，反应腔壁温度分布不均匀；基片温度高的区域薄膜沉淀速度大；加大电源功率可提高薄膜沉淀速率。     

白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱

对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比．结果表明：ＧａＡｓ中Ｓｉ￣＋注入掺杂，在低剂量注入时，Ｓｉ的两性是影响激活率的主要原因；高剂量注入时，残留间隙Ｓｉ原子的存在是导致激活率低的主要因素。     

硫酸中Ti／RuO2阳极性能研究

本文用ＳＥＭ观察了Ｔｉ／ＲｕＯ２电极的表现形貌，考察了该电极在２．５Ｍ Ｈ２ＳＯ４中不同温度下的使用寿命，测定了不同温度下的极化曲线，并求出其动力学参数ａ、ｂ、ｉ。     

Ca8Mg（SiO4）4Cl2中Ce^3＋的光谱与晶体学格位

合成了新型蓝色光致发光材料Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ４：Ｃｅ＾３＋，并对其进行了光普测试。分析了Ｃｅ＾３＋在Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中应占据的晶体不格位。测试结果表明，在紫外光激发下，Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ＾３＋的发射光谱为一峰为在４１０ｎｍ－４２５ｎｍ之间的宽谱带，经分析确认作为发光中的Ｃｅ＾３＋占据Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中多面体八配位的Ｃａ格全。     

Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究

利用Ｎｉ金属诱导晶化（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ,ＭＩＣ）的方法制备ｐ－Ｓｉ薄膜ＸＲＤ,Ｒａｍａｎ光谱研究结果表明,ａ－Ｓｉ／Ｎｉ经４４０℃２ｈ以上退火处理后,形成多晶相结构用ＳＥＭ,ＸＰＳ等分析手段对薄膜的结构进行分析,并对金属Ｎｉ诱导晶化的机理进行简要的探讨。     

Na3＋xLuxZr2—xSi2PO12钠快离子导体研究

Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２Ｐｏ１２系统的钠快离子导体，由Ｎａ２Ｃｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＺｒＯ２，ＳｉＯ２和ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４为原料经高温（１０００－１２００℃）固相反应２０－２８小时制得。一个具有Ｃ２／结构的Ｎａｓｉｃｏｎ相可在起始组成为ｘ＝０－０．８范围内发现，Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２ＰＯ１２系统的晶胞体积在Ｘ≤０．４时是随Ｘ增大而增大，当Ｘ〉０．４时则是随Ｘ增大而缩小，该系统的起始组成     

GexSi1—x／Si应变超晶格的质量鉴别

采用分子束外延方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格，利用Ｘ射线双晶衍射，小角衍身宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线，运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析，模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据，并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价。     

固体超强酸SiO2／SO^2—4催化合成乙酸丁酯

本文介绍了固体超强酸ＳｉＯ２／ＳＯ＾２－４制备方法及其在合成乙酸丁酯中的催化作用。在ＳｉＯ２／ＳＯ＾２－４催化下乙酸丁酯产率可达９０％以上。     

水溶性金属卟啉光敏化还原甲基紫精动力学：——金属卟啉化…

用中－甲（对二甲基丙磺基胺基）苯基卟啉作光敏剂，在电子给体三乙醇胺（ＴＥＯＡ）和电子受体甲基紫精（ＭＶＩ２）存在的情况下，研究了ＴＥＯＡ／ＭｅＴＰＳ／ＭＶ＾２＋／ＤＭＳＯ＋Ｈ２Ｏ（Ｖ／Ｖ＝８０：２０）体系的光敏化还原ＭＶ＾２＋动力学，并由动力学参数ａ，光诱导时间ｔｉ，初始反应速度ｖｏ来衡量光敏剂的优劣。     

a-Si∶H薄膜的激光诱导结晶

利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统制备了a-Si:H薄膜.使用KrF准分子脉冲激光对a-Si:H薄膜进行辐照,使a-Si:H晶化.拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明经过激光辐照后在a-Si:H层形成纳米硅颗粒.     

非晶超晶格多层膜的形成及其光学特性的研究

介绍利用波长为193nm的ArF准分子激光的光化学反应,分解Si₂H₆和C₂H₂原料气体制备a-Si:H/a-Sic:H非晶超晶格多层膜以及讨论这种膜的量子尺寸效应,紫外吸收等光学特性.     

a—Si∶H/a—Ge∶H多势垒结构中的隧道效应

本文通过对反应溅射法制备的a—si∶H/a—Ge∶H多势垒异质结电流——电压关系的测量,研究了多势垒异质结的载流子输运机理,在室温观察到了强场下通过多势垒结构的隧道电流,并检测了热电子的产生。     

Hochschhild(T-)上同调的广义(T-)导子的提升

由Hochschild(T-)上同调中的(T-)导子提升问题,考虑代数到其双模上的广义(T-)导子的提升,即定理1:设I为域F上的结合代数A的双边理想,M是A-双模,且作为域F上的向量空间是有限维的,N是M的A-双子模且IMNM若H~2(A,N)=0,则对于任意由A/I到M/N的广义导子f_0∈Z~1(A/I,M/N),存在由A到M的广义导子f∈Z~1(A,M),使得p'f=f_0p;和定理2,3,4。     

杂多钨酸盐K_n[MW_(11)O_(39)Ni(H_2O)]·xH_2O的氧化还原性质研究

通过极谱和循环伏安法,结合紫外光谱和X射线光电子能谱研究了过渡元素K（?）〔MW_(11)O_(39)Ni(H_2O)〕·xH_2O(M=Si、Ti、Ga、Zr)在溶液中的氧化还原性质,提出了它们的还原机理,杂多阴离子的极谱半波电位顺序为Zr>Ti>Ga>Si,发现杂多阴离子的E_(1/2)与M元素的电负性有线性关系.     

荧蒽系统的Zagreb指标的比较

图的第一类Zagreb指标M1（G）和第二类Zagreb指标M2（G）分别定义为：M1（G）=∑_uaV（G）^（d（u））^2 和M2（G）∑_uaVE（G）^d（u）d（v）,其中d（u）表示G中顶点u的度．本文证明了荧蒽系统H的Zagreb指标仅依赖于H的顶点数、六角形个数和进口（inlet）数，并且得到了H的第一类Zagreb指标和第二类Zagreb指标的关系式．     

von Neumann代数上广义反导子的线性映射

设M是复Hilbert空间H上的von Neumann代数,主要刻划了von Neumann代数M上的在零点(单位)广义反可导的范数连续的线性映射是M上的广义内导子.     

a-C∶H/Si太阳电池的研究

本文报导了a-C∶H/Si太阳电池的结构、制备方法和已达到的性能。测试发现电池的暗I-V特性及在200～1000nm波长范围内的反射光谱特性均优于单晶硅太阳电池。进而讨论了这种电池成为一种性能优良的太阳电池的可能性。     

电子束蒸发的α—Si1—xCOx薄膜的光吸收特性

研究了电子束蒸发的掺过渡金属Co的非晶硅基薄膜α-Si_(1-x)Co_x的光吸收特性,结果表明,这类薄膜的组分变化,对近红外长波的吸收特性影响灵敏.0.10at%相似文献