InGaAs MSM—PD肖特基势垒增强层的研究

通过在ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸收层与金属接触间加入ｐ型ＩｎＧａＡｓ势垒增强层的方法，来提高势垒高度，使其暗电流大为下降，并对其进行了实验研究。     

a—Si：H薄膜的激光诱导结晶

利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统制备了a—Si：H薄膜．使用KrF准分子脉冲激光对a-Si：H薄膜进行辐照，使a-Si：H晶化．拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明经过激光辐照后在a—Si：H层形成纳米硅颗粒．     

a-C∶H/Si太阳电池的研究

本文报导了a-C∶H/Si太阳电池的结构、制备方法和已达到的性能。测试发现电池的暗I-V特性及在200～1000nm波长范围内的反射光谱特性均优于单晶硅太阳电池。进而讨论了这种电池成为一种性能优良的太阳电池的可能性。     

PTCDA/p-Si异质结势垒的形成及电流传输机理分析

根据有机半导体材料 PTCDA与无机半导体 p型 Si能够形成同型异质结PTCDA/p- Si,分析讨论了它在正、反向偏压作用下的能带结构及其电流～电压特性。     

SnO_2簿膜(掺Sb)光学气敏选择性的实验研究

郑顺旋等人观察到常用的气敏-电阻型材料氧化锡薄膜的光学性质和气敏特性有关.这一发现突破了近半个世纪以来氧化物的气敏特性仅与电阻有关的模式.使得可以用光学量去探索至今还未清楚的氧化物气敏机理.也为新型气敏传感技术提供了有效的敏感材料.然而与气敏-电阻效应一样,纯SnO_2器件的气敏-光学效应对各种还原性气体的灵敏度几乎相同,因此制造出气体选择性良好的元件很不容易.为了提高SnO_2薄膜气敏光学效应的气体选择性,在纯SnO_2薄膜中掺杂了0.1wt%的Sb.实验观察     

CVD金刚石薄膜表面晶形研究

本文较详细地研究了采用ＨＦＣＶＤ方法在Ｓｉ、Ｍｏ等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜，讨论了生长条件（衬底温度、碳源浓度、反应压强）对金刚石薄膜晶粒形貌的影响．结果表明在ＨＦＣＶＤ方法中，金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感，生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长．     

基于组件的C/S计算模式研究

本文在计算机服务的信息系统中拓展了传统的C／S模式的应用。     

新型硬件结合的S／H方法

利用Ｓ／Ｈ环节前后置器件的特性,结合软件提出一种电路更简洁成本极低的Ｓ／Ｈ电路形成方法     

碳硼烷(C2B10H11)2稳定性的从头算研究

对两种不同构型的(C2B10H11)2(分别为D5h和D5d对称性)进行了几何优化计算．从总能量,HOMO-LUMO能隙,原子净电荷,以及键长等数据,讨论和比较了它们的稳定性．结果表明：交叉式的D5d构型稳定,二聚体中上下笼是以C-C单键相连接的．     

针灸改善睾丸功能和精液质量的实验研究

选取肾俞、关元、中极、三阴交等俞穴，施以针刺补法，并重灸关元穴，对腺嘌呤诱发的肾阳虚睾丸功能损害家兔模型，进行针灸治疗的实验观察。结果显示，针灸能使其动物机体功能增强，生精功能显著改善，精子数量、精液质量参数明显提高；能够修复和改善受损家兔的睾丸组织，使萎缩变性的事丸组织恢复并接近正常；能够显著结抗腺嘌呤对睾丸组织的损伤作用，表明针灸具有补肾助阳、培元生精、扶正解毒的作用。     

Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。     

Zn1-xSrxS:Cu薄膜电致发光特性的研究

首先我们制备了结构为：ITO／SiO2／ZnS:Cu／SiO2／Al的薄膜电致发光器件,其电致发光为绿色的宽带发射．然后将发光材料换成Zn1-xSrxS：Cu,制备同样结构的薄膜电致发光器件．结果发现电致发光光谱由原来的550nm单个峰的宽带发射变成了双峰发射．峰值位置分别为430nm和530nm左右,而且随Sr浓度的变化而不同．该体系Cu离子的蓝光发射主要是由于Sr的掺入使ZnS基质的禁带变宽以及蓝色发光中心能级上的电子不易被离化到导带所致．