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ZnO—Bi2O3—Sb2O3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析 总被引:3,自引:0,他引:3
用X射线衍射及电子探针微区成分分析技术,研究了ZnO-Bi2O3-Sb2O3-BaO为基的压敏陶瓷的显微结构。除通常的ZnO,Bi2O3和Zn2.33Sb0.67O4晶相之外,发现了一新的晶界相。分析表明,新的晶界相是固溶有微量Zn的BsSb2O6晶相;它以颗粒状夹杂于弥散的Bi2O3晶界相中;随钡含量增加,BaSbO6相的数量增多,粒径也增大,相应地Zn2.33Sb0.67O4相的则减少。 相似文献
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用X射线衍射及电子探针微区成分分析技术,研究了ZnO-Bi2O3-Sb2O3-BaO为基的压敏陶瓷的显微结构.除通常的ZnO、Bi2O2和Zn2.33Sb0.67O4晶相之外,发现了一新的晶界相.分析表明,新的晶界相是固溶有微量Zn的BaSb2O6晶相;它以颗粒状夹杂于弥散的Bi2O3晶界相中;随钡含量增加,BaSb2O6相的数量增多,粒径也增大,相应地Zn2.33Sb0.67O4相的数量则减少.同时还发现,晶界层中组分及结构的这种变化,使压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性得到改善. 相似文献
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本文采用液相沉淀法以SnC l2.H2O代替SbC l3制备了ZnO(含有5%的B i,Mn,Co,Sn)变阻器.通过SEM和XRD技术确定了我们制备的ZnO基变阻器的晶相及其分布情况,结果表明微观结构包括ZnO主相,Zn2SnO4尖晶石相和富B i2O3相.分析了SnO2对变阻器电性能的影响.当SnO2含量增加时,漏电流明显增大;而非线性系数只对低浓度的SnO2有明显的依赖关系,且存在一个使非线性系数达到极值的临界浓度(1.0 mol%).SnO2的含量对压敏电压没有明显的影响.添加适当含量的B i2O3会提高变阻器的电性能,而过量时则会使变阻器性能劣化.我们得到了漏电流为0.34 A,非线性系数为62,压敏电压为1063V1 mA/mm性能良好的变阻器. 相似文献
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纳米氧化锌薄膜的光致发光特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文报道了利用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化,制备高质量的纳米氧化锌(ZnO)薄膜。X-射线衍射(XRD)结果表明,氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构,在900℃退火的样品的光致发光(PL)中,在长为3.3eV处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射,紫外发光强度与深能级发射强度之比是80,表明纳米ZnO薄膜的高质量结晶。 相似文献
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张孔辉 《哈尔滨师范大学自然科学学报》2004,20(5):40-42
利用直流射频磁控溅射制备了氧化锌薄膜,测量了不同温度下的氧化锌薄膜的光致发光,氧化锌薄膜的室温紫外发射谱是由两个发射峰构成,峰的中心位置分别是在3.31和3.22eV,它们分别为自由激子发射和自由激子的一阶声子伴线(1-LO).而在82K下,紫外发射谱是由光子能量分别在3.371eV,3.358eV,3.316eV,3.235ev和3.166eV峰组成.它们分别是自由激子,束缚激子和自由激子的一阶(1-LO)、二阶(2-LO)和三阶(3-LO)的声子伴线.根据变温光谱结果,我们提出室温下的紫外发射的低能带尾是来自自由激子的一阶声子(1-LO)伴线。 相似文献
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本文论述了碱式盐与硫化钡溶液反应制取高含量硫化锌的立德粉、副产一种减的基本原理与合成方法,确定了原料配比、时间、温度等参数对反应的影响,认为是一种可行的方法. 相似文献
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本文对华南产水车前属四种植物的种子进行了形态学的比较研究,包括它们的大小、形状、外种皮的形态结构以及附属物的显微观察。结果表明:它们各有特性,易于区别,可作为该属分种的一个性状。 相似文献
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刁洪滨 《哈尔滨师范大学自然科学学报》2005,21(2):54-57
本文对ktus Workflow的工作流机制进行了初步探讨.介绍了其工作流引擎的组成和概念,对其各个单元之间的关系和流程的建立、运行过程进行了分析. 相似文献
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光亮剂EN—96在化学镀溶液中行为的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过电化学方法探讨了光亮剂EN-96对化学镀镍液的影响。局部阳极和局部阴极极化曲线说明,EN-96的加入对H2PO2^-的氧化反应和Ni^2 的还原反应都有抑制作用。这与实际中获得EN-96对化学镀溶液具有抑制作用的结果相吻合。 相似文献