Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。     

用不同模板剂考察成胶因素对TS分子筛合成及催化性能的影响

本文考察了ＴＳ分子筛合成中不同结构的有机胺类模板剂对硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和钛酸丁酯Ｔｉ（ＢｕＯ）４水解成胶的影响，我们发现ＴＥＯＳ和Ｔｉ（ＢｕＯ）４的水解速度、水解产物的存在形式，胶液的ｐＨ值以及水解时是否有协同作用对分子筛的合成和催化性能有重大影响。苯酚羟基化结果表明：具有分子筛结构的催化剂显示出较高的催化活性，产物主要是邻苯二酚和对苯二酚。而含Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３结构的无定形钛硅氧化物也有一定的活性，但只生成邻苯二酚而没有对苯二酚。     

分子筛结构和无定形结构中Ti-O-SiO_3键的IR特性

在对用ＸＲＤ表征确证分属于ＴＳ－２分子筛和无定形ＴＳ氧化物（简称ＡＴＳ）结构的一系列样品进行红外表征时，首次发现在分子筛骨架与无定形表面都存在Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３健，但这两者在红外上是可区分的，前者作为骨架钛振动带出现在９６２．５～９６６．７ｃｍ－１处，而后者作为非骨架钛振动带则出现在９４５～９５６ｃｍ－１处，即后者明显发生了红移．分子筛骨架振动带（１２２６，５５６ｃｍ－１）强弱对其Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３带的位置影响不大，比较而言骨架带弱的约有２．０ｃｍ－１的红移．苯酚羟基化结果表明在分子筛骨架上的Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３活性位上苯酚羟基化生成邻苯二酚和对苯二酚；而处于无定形表面的非骨架Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３活性位上只生成邻苯二酚     

ZnO－Bi_2O_3－Sb_2O_3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构．除通常的ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ２和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相．分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢａＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂ２Ｏ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的数量则减少．同时还发现，晶界层中组分及结构的这种变化，使压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性得到改善．     

CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。     

分子筛结构和无定形结构中Ti—O—SiO3键的特性

在对用ＸＲＤ表征确证分属于ＴＳ－２分子睡无定形ＴＳ氧化物结构的一系列样品进行红外表征时，首次发现在分子筛骨架与无定形表面都存在Ｔｉ－ＳｉＯ３键，但这两进在红外是可区分的。     

ZnO—Bi2O3—Sb2O3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构。除通常的ＺｎＯ，Ｂｉ２Ｏ３和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相。分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢｓＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂＯ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的则减少。     

共掺杂痕量Bi~（3＋）的Sr_2SiO_4：Eu~（3＋）等发光体中Bi~（3

共掺杂痕量Ｂ能使Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ３＋．ＳｒＳｉＯ３：Ｅｕ３＋发光强度明显增强．使用高温灼烧、高温高压及溶胶—凝胶共沉淀三种方法制备了样品，研究了此发光体中共掺杂痕量Ｂ对ＥＵ３＋离子的能量传递机理．发现与大多数稀土离子能量传输方式—共振方式不同，Ｂ对ＥＵ３＋的能量传递是通过再吸收的方式进行的．     

Na3＋xLuxZr2—xSi2PO12钠快离子导体研究

Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２Ｐｏ１２系统的钠快离子导体，由Ｎａ２Ｃｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＺｒＯ２，ＳｉＯ２和ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４为原料经高温（１０００－１２００℃）固相反应２０－２８小时制得。一个具有Ｃ２／结构的Ｎａｓｉｃｏｎ相可在起始组成为ｘ＝０－０．８范围内发现，Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２ＰＯ１２系统的晶胞体积在Ｘ≤０．４时是随Ｘ增大而增大，当Ｘ〉０．４时则是随Ｘ增大而缩小，该系统的起始组成     

用SEM考察合成条件对TS—2分子筛晶体形貌的影响

以扫描电镜方法（ＳＥＭ）系统地考察了不同合成条件下ＴＳ－２分子筛的晶体形貌。结果表明：在ＴＳ－２分子筛合成过程中，模板剂用量增加使得分子筛结晶度提高；增加Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２比使分子筛晶体粒径增大，但过高的Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２比导致结晶纯度下降；Ｓｉ／Ｔｉ比提高会减少晶体中杂晶数量，晶体形状更加规整、均匀；调高胶液ｐＨ值时，分子筛晶粒增大，但结晶纯度下降。     

磁控溅射薄膜的厚度分布

论述了磁控溅射薄膜的厚度分布,从理论上分析了固定基体、基体转动和自转加公转三种状态下的膜厚分布.计算表明,膜厚分布很大程度上取决于基体高度.适当调节基体高度和靶的距离,可以得到很好的膜厚均匀性.实验证实了这个结果.     

a-Si∶H薄膜的激光诱导结晶

利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统制备了a-Si:H薄膜.使用KrF准分子脉冲激光对a-Si:H薄膜进行辐照,使a-Si:H晶化.拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明经过激光辐照后在a-Si:H层形成纳米硅颗粒.     

真空紫外薄膜光学常数的多约束非线性方程组计算

本文推导出目标函数的导数公式，改进了利用“多约束非线性方程组”计算真空紫外光学常数的方法，我们自编了ＶＵＶ－ＲＯＣＰ微机软件，可由真空紫外反射率求出真空紫外薄膜光学常数和入射光的偏振度。运用该软件对不同工艺的Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ样品的反射率进行解析，得到了它们的真空紫外薄膜光学常数，并与国外报道的结果进行了比较。     

全淀粉热塑性塑料薄膜的制备及性能研究

对马铃薯淀粉进行醚化改性,在改性后的淀粉中加入水、PVA、甘油等助剂,制备全淀粉热塑性塑料薄膜。研究了交联剂含量、淀粉含量对淀粉薄膜力学性能的影响,用红外光谱对其进行表征、用扫描电镜研究其形貌,研究其在实验室条件和雨水条件下降解时的质量和力学性能的变化。     

ZnO薄膜发光特性的实验研究

室温下测量了以石英为衬底的ZnO薄膜的吸收光谱及发光光谱,从谱图可以看出,样品具有较好的结晶状态.另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位.     

氮化铝薄膜微波换能器的研制

阐述用直流平面磁控溅射法在z-LiNbO_3传声介质上淀积出优质氮化铝薄膜,并制成了一维纵模微波换能器,还由它制成了微波体声波延迟线.该延迟线在中心频率为2.21GHz、延迟时间为1.83μs下插损为22dB,带宽(3dB)为13％.对在微波频率下应用的这种AlN压电薄膜,由导纳法经实验曲线和理论计算结果的拟合获得这种横向受夹厚度模压电薄膜的机电耦合系数为0.13,这个结果略小于块材AlN的值,可能主要是由于所生长的AlN薄膜微晶晶粒的c轴方向有一定的分散性和c轴反向性所致.从电导测定结果表明换能器中有一等效的串联电阻,它可用于说明匹配和调谐换能器存在损耗的原因.     

锂掺杂氧化锌薄膜晶体管的研究

采用溶胶凝胶法(sol-gel)在P型硅基底制备了锂掺杂氧化锌薄膜.以锂掺杂氧化锌薄膜为沟道层,制备了底栅结构的薄膜晶体管.XRD实验结果表明,500℃退火得到的锂掺杂氧化锌薄膜为纤锌矿结构,具有c轴择优取向.SEM实验结果说明,薄膜晶粒大小约为25nm,尺度分布均匀.电学测试结果显示器件是N沟道增强型.     

氮化碳(C3N4)的研究进展

概述了新型超硬材料－－氮化碳（Ｃ３Ｎ４）的晶体结构、实验室人工合成方法、实验测试手段和结果。从而进一步探讨研究了Ｃ３Ｎ４薄膜在科学技术中潜在的应用前景和科学意义。     

非均匀基底薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

利用Monte Carlo方法对薄膜生长过程进行了计算机模拟,研究了在有缺陷的基底下,沉积粒子的能量和入射率对薄膜生长的影响.通过模拟发现,随着沉积粒子的能量提高或入射率的降低,沉积在基底上的粒子逐步由各自独立的离散型分布向聚集状态转变形成岛核.分析表明,这些变化是由于能量粒子的介入使得表面粒子的扩散能力增强,而入射率越小,每一步中对应粒子的扩散时间就越长,所以大量粒子能够充分扩散.     

不同复合方式的铁电薄膜极化性质研究

为了优化人工复合铁电薄膜的性能,建立三种材料复合而成的新型铁电薄膜的理论模型,采用Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)唯象理论,三种组元间采取不同的复合方式,同时引入一个分布函数来描述它们之间过渡层的性质,在不同的复合方式下,重点对复合铁电薄膜的极化性质展开了研究。研究表明复合方式的变化引起了薄膜内部极化强度分布的显著变化,该复合薄膜的平均极化强度随温度的变化与体材料的相应关系有显著区别。随着温度的逐渐升高,在未达薄膜相变温度前,平均极化强度出现了一处突降,这一性质在复合铁电薄膜热释电性质及其器件的应用上有十分重要的意义。