电子束蒸发氧化镍薄膜的电致变色性能

在充氧气氛的真空室中用电子束快速蒸发ＮｉＯ粉末颗粒的方法制备了氧化镍薄膜,所制备的薄膜－０．６～＋０．８Ｖ电势下无需活化即已具有很好的电致变色性能,在５５０ｎｍ波工的透射率变化范围达２３．４％～９２．０％,在初始的几十次电化学循环中,薄膜致色深度随循环次数的增加而加深,稳定后的最大透射率调制范围在可见光谱达２０．５％～７７．４％太阳光谱为２７．２％～６９．１％薄膜在致色时的电流响应时间为１５ｓ,消     

PEVOH磺酸钠薄膜的制备及其电致形变性能研究

采用PEVOH(聚乙烯-乙烯醇)和1,3-丙烷磺酸内酯合成了PEVOH磺酸钠,并对其结构进行了红外和核磁表征。当PEVOH中的羟基和1,3-丙烷磺酸内酯的摩尔配比小于 2．5时,制得的PEVOH-SO3NA具有良好的水溶性;当摩尔配比大于2．5时,产物PEVOH- SO3NA开始逐渐出现憎水的特征。通过高压静电纺丝技术制备了PEVOH磺酸钠薄膜,SEM分析了薄膜的微观形貌特征,并用自制的形变测定装置测量了其发生形变时的电压为128V- 156V(膜厚:1MM),并从PEVOH磺酸钠的结构与性能的关系阐述了PEVOH磺酸钠薄膜的电致形变发生机理。     

TiO2纳米晶薄膜电极的瞬态光电流特性

采用TiCl4水解法制备TiO2纳米微 ,并研究这种微粒形成的纳米晶薄膜电极的瞬态光电流特性,利用能带模型和街环伏安特性讨论TiO2纳米晶薄膜电极光生电荷的产生及转移动力学规律。     

ZnO薄膜发光特性的研究

为了研究全色显示中的蓝光问题,用电子束蒸发的方法生长了ZnO薄膜,不同温度对ZnO膜进行退火处理结果表明:退火对电致发光的影响比对光致发光更明显,O2气氛中高温退火样品的发光强度不如低温退火样品,合适的退火温度和退火气氛可以改善ZnO膜薄的结晶状态,使电致发光显著蓝移。     

三氧化钼纳米带的电致变色机理研究

采用热蒸发方法在硅衬底上制备三氧化钼(MoO3)纳米带薄膜.通过紫外-可见-近红外分光光度计、扫描电子显微镜、X-射线衍射谱及光电子能谱分析电致变色前后产物的透射谱、形貌、结构以及价态变化,研究薄膜的电致变色机理.研究表明,三氧化钼纳米带具有较好的电致变色性能,其中包括较快的变色响应时间以及在可见光区较大的透过率变化.变色原因为Li+和e-的双注入导致MoO3的晶体结构及部分的钼离子的价态发生变化.     

电沉积方法制备银纳米薄膜的研究

通过对甲磺酸银体系和硝酸银体系中电沉积制备银纳米膜时的电沉积速率的比较及对所得纳米膜形貌的分析发现,在相同工艺条件下,硝酸银体系中得到的银纳米膜晶粒粒径比较小,膜的生长速率较快。选定硝酸银体系为电沉积体系,考察了槽压、电解液的浓度和温度及电解液的pH值对电沉积制备纳米膜的影响,确立了电沉积制备银纳米膜的最佳电解液组成及工艺条件。     

电沉积镍薄膜材料的压痕尺度效应研究

用纳米压痕法对厚度为3 μm的电沉积镍薄膜材料进行了压痕测试,结果表明：不同的压痕深度下所测得的材料硬度值不同,随着压痕深度的减小,硬度值逐渐增大,呈现出明显的尺度效应现象.根据NixGao模型,可以得到电沉积镍薄膜材料的真实硬度值约为6.2 GPa.     

电沉积条件对ITO/TiO2/CdS薄膜光电性能的影响

采用电沉积方法,以ITO/TiO2薄膜为基底,在水体系中成功制备出ITO/TiO2/CdS复合半导体薄膜,通过光电流作用谱考查了该薄膜电极的光电性能。实验表明,电镀液的组成、实验温度可影响薄膜中CdS纳米粒子的生长,从而使不同条件获得的复合薄膜电极的光电转换效率不同,实验温度为40℃、电镀液的组成为CCd2 =0.02 mo.lL-1,CS2O23-=0.10 mo.lL-1,pH=2.0条件下沉积所得的ITO/TiO2/CdS薄膜电极,在400 nm~500 nm波长范围内具有较强的光吸收,也有较高的光电转换效率。     

脉冲激光沉积YBa2Cu3O7—δ薄膜表面形态研究

用脉冲激光沉积法,在ＳｒＴｉＯ３基板上获得ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜。     

纳米氧化锌薄膜的光致发光特性研究

本文报道了利用低压金属有机气相外延（LP－MOCVD）工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌（ZnS）薄膜，然后，将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化，制备高质量的纳米氧化锌（ZnO）薄膜。X－射线衍射（XRD）结果表明，氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构，在900℃退火的样品的光致发光（PL）中，在长为3.3eV处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射，紫外发光强度与深能级发射强度之比是80，表明纳米ZnO薄膜的高质量结晶。     

从微观结构探讨Nb2O5含量对NiZnCu铁氧体电磁性能的影响

在基本配方Ｎｉ＿（０．３）Ｚｎ＿（０．７）Ｃｕ＿（０．０４）Ｆｅ＿（２．０４）Ｏ＿（４＋δ）中，掺入不同含量的Ｎｂ＿２Ｏ＿５，将使材料的微观结构产生明显的变化，而这种结构的变化是导致材料性能改变的主要原因．实验表明：Ｎｂ＿２Ｏ＿５既能促进烧结，又能阻滞巨晶生长，并能有效地提高材料的烧结密度和电阻率；对晶格常数、起始磁导率和磁损耗均产生了很大的影响．文中还讨论了Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量对烧结机制的作用，和分析了Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量对材料电磁性能的影响．     

热氧化硫化锌薄膜制备高质量纳米ZnO薄膜的表征

本文报道了利用低压-金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术生长ZnS薄膜，然后，将ZnS薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化制备高质量的纳米ZnO薄膜。采用有效的手段对榈的质量表征：X-射线衍射（XRD）结果表明，纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构。喇曼光谱观测到典型的多声子共振过程。在光致发光（PL）光谱中，自由激子（FE）和束缚激了（BE）发射都很明显。低温下，束缚激子（BE）复合发射占主要地位，而自由激子（FE）复合发射也容易观察到。这些结果都说明我们制备的样品是高质量的。     

氮化铝薄膜微波换能器的研制

阐述用直流平面磁控溅射法在z-LiNbO_3传声介质上淀积出优质氮化铝薄膜,并制成了一维纵模微波换能器,还由它制成了微波体声波延迟线.该延迟线在中心频率为2.21GHz、延迟时间为1.83μs下插损为22dB,带宽(3dB)为13％.对在微波频率下应用的这种AlN压电薄膜,由导纳法经实验曲线和理论计算结果的拟合获得这种横向受夹厚度模压电薄膜的机电耦合系数为0.13,这个结果略小于块材AlN的值,可能主要是由于所生长的AlN薄膜微晶晶粒的c轴方向有一定的分散性和c轴反向性所致.从电导测定结果表明换能器中有一等效的串联电阻,它可用于说明匹配和调谐换能器存在损耗的原因.     

磁控溅射薄膜的厚度分布

论述了磁控溅射薄膜的厚度分布,从理论上分析了固定基体、基体转动和自转加公转三种状态下的膜厚分布.计算表明,膜厚分布很大程度上取决于基体高度.适当调节基体高度和靶的距离,可以得到很好的膜厚均匀性.实验证实了这个结果.     

PE薄膜电导非线性回归分析

该文对ＰＥ薄膜的电导特性的实测数据进行了非线性回归分析，得出了三种模型。分析三种模型后可得有关项的物理意义，并可得到欧姆传导、空间电荷限制电流、隧道电流及其相互间的制约作用的物理实质。     

ZnO－Bi_2O_3－Sb_2O_3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构．除通常的ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ２和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相．分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢａＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂ２Ｏ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的数量则减少．同时还发现，晶界层中组分及结构的这种变化，使压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性得到改善．     

真空紫外薄膜光学常数的多约束非线性方程组计算

本文推导出目标函数的导数公式，改进了利用“多约束非线性方程组”计算真空紫外光学常数的方法，我们自编了ＶＵＶ－ＲＯＣＰ微机软件，可由真空紫外反射率求出真空紫外薄膜光学常数和入射光的偏振度。运用该软件对不同工艺的Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ样品的反射率进行解析，得到了它们的真空紫外薄膜光学常数，并与国外报道的结果进行了比较。     

二步法合成笼状大孔/介孔三维有序Cs2O-Sb2O5/SiO2

以聚氯乙烯(PS)胶晶束为模板,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,采用原位溶胶凝胶-水热法负载活性组分Cs20-Sb2O5,制备出具有笼状大孔的介孔Cs2O-Sb2O5/SiO2材料.用透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、物理吸附与化学吸附(N2-TPD、CO2-TPD和NH3-TPD)以及X衍射(XRD)等手段对样品...     

Cd_2SnO_4薄膜的气敏效应研究

在Ar+O_2混合气氛中,应用射频反应溅射Cd-Sn合金靶沉积了Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜,并获得了该膜的电阻率与氧浓度和衬底温度的关系。研究了Cd_2SnO_4薄膜对液化石油气、一氧化碳、氢气和甲烷的敏感性及其物理机制;讨论了薄膜沉积条件对于气敏效应的影响以及在工作温度和气敏效应之间的关系。