石墨烯银纳米线透明导电薄膜的制备进展

透明导电薄膜是触摸器件以及液晶显示器等的重要组成部分,制备透明导电薄膜的材料主要有金属氧化物、导电聚合物、碳材料、金属材料和复合材料等。其中,一维银纳米线和二维石墨烯材料制备透明导电薄膜具有光电性能优异、化学性能稳定和柔韧性好等特点,有望应用于柔性电子设备中。介绍了石墨烯银纳米线透明导电薄膜常用的制备方法：旋涂法、真空抽滤法、棒涂法、喷涂法、滴涂法等5种以及各种制备方法的优缺点;总结了石墨烯银纳米线复合薄膜的应用领域;展望了石墨烯银纳米线透明导电薄膜的发展前景。     

透明导电薄膜(Ⅲ):TCO/M/TCO三层透明导电薄膜

TCO/M/TCO三层透明导电薄膜具有可见光区透光率高、导电性好且超薄的特点,适用于包括柔性基底在内的电子器件的透明导电电极.本文阐述三层透明导电氧化物/金属/透明导电氧化物(TCO/M/TCO)薄膜透光导电原理,厚度设计及其对光电性能的影响,金属层的选择及作用机制,溅射氛围和后处理工艺对薄膜性能的影响.     

透明导电薄膜(Ⅱ):多元透明导电氧化物薄膜

透明导电薄膜具有可见光区透光及一定的导电性,包括金属基、氧化物基及其他化合物基透明导电薄膜等.以多元氧化物基透明导电氧化物(TCO)薄膜为对象,综述其组份、组织、相结构、禁带宽度、光电性能等方面的研究进展,并对多元和掺杂TCO薄膜的光电性能进行比较.     

透明导电薄膜（Ⅰ）：掺杂透明导电氧化物薄膜

透明导电氧化物薄膜具有良好的光电性能。作为前电极,此类半导体材料薄膜广泛应用于半导体器件。本文以典型的掺杂TCO薄膜为切入点,综述了透明导电氧化物薄膜的发展历史及应用,重点阐述了几种典型掺杂TCO薄膜的结构特征、光电特性、制备方法及应用展望。     

透明导电薄膜(I):掺杂透明导电氧化物薄膜

透明导电氧化物薄膜具有良好的光电性能.作为前电极,此类半导体材料薄膜广泛应用于半导体器件.本文以典型的掺杂TCO薄膜为切入点,综述了透明导电氧化物薄膜的发展历史及应用,重点阐述了几种典型掺杂TCO薄膜的结构特征、光电特性、制备方法及应用展望.     

柔性透明导电薄膜的研究现状、应用及趋势

综述了目前制备柔性透明导电膜的主要技术及其优缺点,柔性透明导电薄膜是在柔性衬底上沉积的一种透明导电膜,制备这种膜首要的问题是选择合适的衬底材料,其次就是选择合适的制备技术,降低TCO膜的电阻率,提高可见光区的透射率,使薄膜性能稳定,重复性好,成本低,达到实用要求．文中阐述了当前该领域的研究现状,并讨论了工业应用对柔性透明导电膜的性能要求及其未来发展趋势。     

透明导电薄膜(Ⅳ):石墨烯透明导电薄膜

石墨烯透明导电薄膜具有十分优异的光学、热学、电学和力学性能,在未来的柔性光电子器件中具有明显的优势.本文详细阐述石墨烯的结构及性质,综述以PET为衬底的TiN/石墨烯/PET薄膜、ZnO/石墨烯/PET薄膜、GaN/石墨烯/PET薄膜,以PI为衬底的PI/石墨烯/ZnO复合薄膜和石墨烯/Ag纳米线薄膜的研究进展,并概述石墨烯透明导电薄膜的应用领域.     

上海奥依光电子有限公司

上海奥依光电子有限公司是一家主要从事以光电子理论为基础的光学薄膜产品的研发、生产和销售的上海市高新技术企业。主要产品有:(1)新型功能性柔性薄膜材料,包括透明导电膜和透明隔热膜。a 柔性透明导电膜是应时代科技进步的要求而研制开发的新型导电材料,该产品集柔性、透明、导 电三大特点于一体,可满足柔性显示,背光源等应用的需要。     

全碳纳米管薄膜宏观电子器件的研究进展

近年来,宏观电子学受到了人们的广泛关注,它与大家熟知的微电子学互为补充但存在概念性差异。全碳纳米管薄膜器件具有优异的性能,尤其在柔性透明宏观电子器件方面具有明显的优势。研究人员发展了碳纳米管分离技术、薄膜制备技术和分层转移技术,并在此基础上实现了高性能全碳纳米管薄膜器件的构建。本文系统介绍了大面积碳纳米管薄膜的制备、碳纳米管之间的接触及其导电机制和全碳纳米管薄膜宏观电子器件的研究进展及应用,最后就该领域的研究现状及面临的主要问题进行了总结和展望。     

真空蒸发法制备聚酯衬底ITO透时导电膜及其光电特性

采用真空反应蒸发技术，在聚酯薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性及制备条件薄膜性能的影响进行了研究。     

ZnO的用途及其薄膜的制备方法

1引言近年来,由于光电子器件潜在的巨大市场,使光电材料成为研究的重点。ZnO薄膜是一种光学透明薄膜,纯ZnO及其掺杂薄膜具有优异光电性能,用途广阔,而且原料易得、价廉、毒性小,成为最有开发潜力的薄膜材料之一。目前,研究ZnO材料的性质涉及许多研究领域,其中包括:透明导电膜(T     

真空蒸发法制备聚酯衬底ITO透明导电膜及其光电特性

采用真空反应蒸发技术，在聚酯薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究     

SNO2掺Sb薄膜导电机理

透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛。对SnO2薄膜电学性能的研究表明.适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降。     

SNO2掺Sb薄膜导电机理

透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛。本文介绍了掺锑氧化锡（ATO）薄膜的导电机理和光电性能。掺锑氧化锡薄膜属四方相金红石结构,薄膜中的Sn呈＋4价,掺杂的Sb分别以＋5和＋3价形式存在。对SnO2薄膜电学性能的研究表明,适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降。     

退火温度对Li掺杂ZnO薄膜光电特性的影响

采用溶胶凝胶法旋涂制备了摩尔分数为3%的Li掺杂ZnO薄膜,在450~650℃下退火后测试其微结构、表面形貌和光电特性.结果表明薄膜为六方纤锌矿多晶结构且n型导电,退火温度的升高改善了结晶度、表面形貌、透过率和导电性.退火温度超过550℃后电阻率增大,样品由肖特基导电转变为欧姆导电;伏安特性模拟结果表明,替位Li逐渐增多、薄膜功函数增大,有利于制备p型薄膜.退火温度达600℃后,由于薄膜再蒸发等使光电特性变差.550℃是最佳退火温度,适于制备高质量的透明导电薄膜,此时薄膜透过率达95%,薄膜电阻率为2.49×103Ω.cm.     

Effect of Post-Annealing Temperature on Optical and Electrical Properties of Li：ZnO Thin Films

采用溶胶凝胶法旋涂制备了摩尔分数为3%的Li掺杂ZnO薄膜,在450~650℃下退火后测试其微结构、表面形貌和光电特性.结果表明薄膜为六方纤锌矿多晶结构且n型导电,退火温度的升高改善了结晶度、表面形貌、透过率和导电性.退火温度超过550℃后电阻率增大,样品由肖特基导电转变为欧姆导电;伏安特性模拟结果表明,替位Li逐渐增多、薄膜功函数增大,有利于制备p型薄膜.退火温度达600℃后,由于薄膜再蒸发等使光电特性变差.550℃是最佳退火温度,适于制备高质量的透明导电薄膜,此时薄膜透过率达95%,薄膜电阻率为2.49×103Ω.cm.     

可调带隙量子阱的柔性太阳能电池研究

采用新型材料作为本征层很大层度上解决了薄膜材料光衰减的问题,有效保证了薄膜太阳能电池的发电效率。采用可调带隙以及具有量子阱结构InxGa1-xN晶体薄膜作为Ⅰ层,可以有效提高薄膜太阳能电池转换效率,再采用GZO透明薄膜既作为缓冲层又作为透明导电电极,增加了薄膜太阳能电池的透光率,同时提高了透明电极的耐腐蚀性能,使得薄膜太阳能电池的光电转换效率得到了很大的提高。采用AlN作为绝缘层,其晶格失配率相差很小,可以制备出质量均匀的Al背电极。该柔性电池具有优异的柔软性,重量轻,携带方便,具有潜在的市场空间,而且制备工艺简单,可实现规模生产。     

溶胶凝胶法制备SnO2掺杂透明导电膜及性能测试

在醇溶剂中,以SnCl4和Si(OEt)4为原料,用溶胶凝胶浸渍法分别制备掺杂锑、氟和锌离子的SnCl2透明导电薄膜,并对其性能进行了测试。结果表明,该方法制得的透明导电薄膜的光电指标性能良好,并且具有工艺简单,生产成本低,适合对大面积和异形基板涂膜的优点。     

氧气流量对磁控溅射AZO薄膜光电性能的影响

采用直流反应磁控溅射方法在载玻片基体上制备AZO薄膜,研究氧气流量对所制备AZO薄膜光电性能及微观结构的影响。结果表明,氧气流量显著影响AZO薄膜的光电性能和结晶状况,当氧气流量高于0.08×10-6 m3/s时所制备的薄膜可见光透过率高但薄膜不导电;当氧气流量低于0.04×10-6 m3/s时沉积的薄膜呈现出金属性特征,薄膜导电不透明;只有在一个较窄的氧气流量范围内才能制备出光电性能均优的AZO薄膜。当氧气流量为0.06×10-6 m3/s时沉积的AZO薄膜具有较低的电阻率,为2.39×10-3Ω.cm,且薄膜在可见光区薄膜的平均透过率在90%以上。     

氧化锌透明导电膜的光电性能研究

采用磁控溅射法在载玻片上制备出Al3 掺杂型ZnO透明导电薄膜.对不同厚度薄膜的光电性能进行了研究.结果表明,所制备的薄膜随着厚度的增加,透过率略有下降;ZnO薄膜在可见光区的吸光度很小,对可见光几乎不吸收.