Te溶液生长半磁半导体Cd1—xMnxTe时界面稳定性的讨论

用Ｍｕｌｌｉｎｓ和Ｓｅｋｅｒｋａ的线性动力学理论定性探讨了Ｔｅ溶液生长半磁半导体Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ时固－液界面的稳定性，并在自行设计的旋转式液相外延装置中，用Ｃｄｔｅ作籽晶，利用失稳小平面的长厚，富Ｔｅ溶液生长了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ晶膜，其面积为０．５ｃｍ＾２，厚度￣０．４ｍｍ，分析了界面能各向异性的影响及晶膜表面形貌呈波纹状的原因，最后探讨了获得稳定液相外延的条件。     

Te溶液生长半磁半导体Cd1-xMnxTe的光学和电学性质研究

测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC) Cd_1-xMn_xTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd_1-xMn_xTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn²⁺3d (⁴T₁)能级出现在Cd_1-xMn_xTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。     

热壁外延法生长Zn1—xMnxSe半磁半导体薄膜

作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.     

露点法测定Hg_（1－x）Cd_xTe熔体平衡Hg蒸气压

露点法测定Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ熔体平衡Ｈｇ蒸气压桑文斌，于美云，吴汶海（上海大学，嘉定校区）关键词碲镉汞，平衡汞分压，露点测定ＨｇｏｄＴｅ是当今世界上极其重要的一种红外探测器材料，国内外都十分重视这种材料的研究．无论从熔体生长晶体还是液相外延...     

具有多重解的非线性两点边值问题的数值解

采用通常的Ritz-Galerkin方法对具有可数无穷多个解的非线性两点边值问题构造了它的数值解.实算结果表明这种数值解有很好的精度。     

FeCl3,Pb（NO3）2对n—ZnxCd1—xTe光电极的修饰

对n-ZnxCd1-xTe为基的光电化学电极进行FeCl3,Pb(NO3)2的修饰，消除了光电极在1M NaOH 1MS 1M Na2S多硫溶液中的钝化现象，电池效率可达10．2％，通过光谱响应，循环伏安曲线等的研究，探讨了FeCl3,Pb(NO3)2对电极的修饰机理以及与电池稳定性的关系。     

光截止法中透光因子的解析式及其与碲镉汞组分的关系

本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10^-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10^-4的解析式.     

Pell方程解的公式的新证明

本文旨在给出Pell方程的解的公式的一种新证明。     

矛盾线性方程组的加权最小－乘解

本文从求矛盾线性方程组出发引入了线性方程组的最小－乘解和加权最小－乘解的概念，并讨论了最小－乘解的求解方法。     

InxGa1-xAs/GaAs超晶格的X射线衍射研究

超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料。自从1970年美国首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构后^[1],又研制出GaAs和各种Ⅲ-Ⅴ族化合物超晶格材料,而后Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族,以及非晶态半导体超晶格等也相继出现,有一些已经获得实用,制成了重要的微电子和光电子器件。     

添加剂对LAP晶体性能的影响

选用（ＮＨ４）３ＰＯ４作添加剂,生长了不同添加量的ＬＡＰ晶体,实验发现：添加（ＮＨ４）３ＰＯ４后,扩大了晶体生长的过饱和温区,抑制杂晶的生长,提高了晶体利用率。