共查询到19条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
本文利用两种极限下的模型近似,详细描述了沿(100)、(110)和(111)方向调制生长的Si—nipi掺杂超晶格中低亚带结构和费米能级的情况。给出了(?)(-(?))》(?)和(?)(-(?))《(?)的假设(?).这类材料的电子和空穴亚带能量随掺杂浓度、掺杂层厚度及自由载流子浓度变化的普遍规律.并将两种模型下的结果进行了深入比较。 相似文献
2.
3.
怀超玺 《中国新技术新产品精选》2009,(9):16-16
近年来随着各种新型外延技术的发展和超晶格理论研究的不断完善,利用超晶格结构人为的对材料的能带进行控制和调整成为了可能。本文简单介绍了超晶格材料以及超晶格结构的几种特殊效应。并重点对超晶格结构掺杂机理进行了分析和探讨。 相似文献
4.
5.
采用蒙特卡罗模拟方法研究具有无序掺杂界面的复杂磁性系统的磁特性,重点计算了系统掺杂界面层(ApB1-p)上A类原子的掺杂浓度p及界面交换耦合常数对磁相变的影响.通过模拟,获得了系统的相图以及磁化强度、磁化率等随温度的变化规律.模拟结果表明,纳米磁性薄膜的无序掺杂界面极大地决定了系统的相图. 相似文献
6.
GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
在温度T=77K,测量了GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波数ν=13156cm-1和ν=12289cm-1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰.理论分析表明,强峰是量子阱中基态电子与重空穴复合发光;而弱峰与底层GaAs重掺Si有关.由强发光峰的半高宽可以确定量子阱中的掺杂浓度.理论计算值与实验结果符合得很好. 相似文献
7.
结合宏观和微观模型,超晶格的纵向输运模型可以表达为以时间丁为独立变量的微分方程组.运用MATLAB软件进行模拟计算和优化,深入研究掺杂浓度和外加偏压的变化,对GaAs/AlAs掺杂弱耦合超晶格自维持振荡频率和振幅的影响.结果表明,电流振荡频率随偏置电压的增加而单调减小,振幅相对偏置电压也有大体上单调的变化.随着掺杂浓度的增加,振荡频率有非单调的变化,而振幅则单调地逐渐减小.电流振荡频率随偏置电压的变化趋势与已有的实验数据基本一致,其他模拟计算结果还有待进一步实验的验证. 相似文献
8.
9.
结合宏观和微观模型 ,对GaAs AlAs弱耦合掺杂超晶格的纵向输运问题进行模拟计算 ,并给出产生电流自激振荡时的掺杂浓度和固定偏压的范围 .计算结果与实验数据基本吻合 相似文献
10.
对自组装生长的Ge量子点超晶格样品进行了光荧光谱(PL谱)和拉曼散射谱(Raman谱)实验测量研究.对Si的TO发光峰和Ge的发光峰特征进行了深入讨论,通过对变温PL谱的拟合及分析提出了对Ge量子点尺寸和其电子有效质量一种新的测评方法;首次在非共振Raman模式下观测到低频声子模,研究了样品的结构组份、应变及声子限制效应问的关联性. 相似文献
11.
实验观测了He-Ne激光辐照不掺杂GaAs膜和GaAs多量子阱的反射光强,对比研究了实验的结果。 相似文献
12.
对由Al_yGa_(1-y_As,Al_xGa_(1-x)As和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究.通过改变材料组分和层厚,发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时,对应的自族向上和自族向下的子带产生劈裂,而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方. 相似文献
13.
采用内部求和空d轨道处理下的线性丸盒轨道方法,对以InAs为衬底和以GaAs为衬底以及InAs层和GaAs层自由形变三种不同的应变状态下的超晶格(InAs)n/(GaAs)n(00l),(n=1,2,3,4,5)的电子结构进行了全面的第一性原理计算,得出了其能带结构、带隙值及态密度分布,考察了各能隙随层厚的变化规律以及带隙的应变效应,所得结果与光致发光实验数据以及从头计算赝势方法对以GaAs为衬底的单层超晶格(InA)1/(GaAs)1的计算结果相一致. 相似文献
14.
通过室温下GaAs的PR谱与ER谱的比较,对PR谱的机理及线型分析作了有益的讨论,结果表明,PR谱具有电场调制的本质,可以用电场调制理论中的“三点法”来确定各临界点参量. 相似文献
15.
在有效质量近似下,通过自洽计算求解薛定谔方程和泊松方程,得到了温度不为零时Siδ掺杂的Ga As量子阱系统的电子态结构.研究了温度和掺杂浓度对系统子带能量、费米能级、电子密度分布和子带间光学吸收系数的影响.发现在一定的掺杂浓度下,费米能级会随着温度的升高而降低,子带间入射光总的吸收系数随温度升高而降低;在温度一定时,费米能级和子带能级随掺杂浓度的增大而增大,子带间入射光总吸收系数随掺杂浓度增大而增大. 相似文献
16.
17.
用半经验的紧束缚方法sp3s*计算了薄层应变超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n(001)的电子结构.给出了组份X为0.53的超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n的带隙值随层厚n的变化关系,以及超晶格(InxGa1-xAs)12/(GaAs)12的带隙值随组份X的变化关系.在得到超晶格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该超晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料GaAs和体合金InxGa1-xAs的光学性质作了比较.计算结果表明,应变超晶格在较宽的能量范围有较好的光谱响应. 相似文献
18.