Bi2（Sr,Ca）3Cu2Oy超导体的EXAFS研究

利用扩展Ｘ射线吸收精细结构（ＥＸＡＦＳ），研究了Ｂｉ２（Ｓｒ，Ｃａ）２Ｃｕ２Ｏｙ超导体中Ｃｕ原子与Ｂｉ原子的局域结构．结果表明：Ｃｕ原子第一配位层是五配位的氧原子，第二配位层是四配位的Ｃａ原子和一配位的Ｃｕ原子，但不含Ｓｒ原子的结构信息，这是Ｓｒ－Ｏ层与Ｃｕ－Ｏ层层间距较大所致；同时测定Ｂｉ原子第一配住层含有２．３个氧原子，用非公度调制结构模型解释了Ｂｉ原子的配位状况．     

Bi4－xNdxTi3O12单晶的光谱学特性研究

使用自助熔生长法生长Bi4－xNdxTi3O12（BNdT,x=0,0．5,0．85）单晶,研究了Nd掺杂对BNdT单晶光谱学特性的影响．常温拉曼光谱结果表明：随Nd含量的增加,BNdT中TiO6八面体振动模式有所增强;Nd含量增加到一定值,BNdT单晶可能在常温下发生铁电-N电相转变;位于（Bi2O2）^2＋层的Bi-O振动模式随Nd掺杂量增加而减弱,表明Nd含量较低时,Nd^3＋离子仅仅取代伪钙钛矿层的Bi^3＋离子,当Nd含量较高时,有部分Nd^3＋离子开始替换（Bi2O2）^2＋层中的Bi^3＋离子．紫外-可见光谱结果表明,BNdT单晶具有间接带隙跃迁的特点,而且单晶的禁带宽度随Nd掺杂含量的增加而减小。     

Nd掺杂Bi4Ti3O12陶瓷样品的铁电、介电性能

层状钙钛矿铁电体材料B i4-xN dxT i3O12(x=0.0~0.9)陶瓷样品适量N d掺杂可提高B i4T i3O12(B IT)的铁电性能.当掺杂量为0.6时,样品的剩余极化达到最大值.样品的相变温度(tc)随掺杂量的增加而降低,当掺杂量大于0.6时,tc下降速率增大.随着N d含量的增加(x>0.6),样品的弛豫程度明显提高.N d掺杂降低了样品的氧空位浓度,提高了B IT样品的铁电性能.     

0.2BiFeO3-0.8Bi4Ti3O12固熔薄膜的电性质

用溶胶-凝胶方法在LaNiO3包覆的Si（111）衬底上制备了BiFeO3掺杂的Bi4Ti3O12薄膜,XRD研究表明薄膜呈完全随机取向,通过BiFeO3的掺杂使Bi4Ti3O12层状钙钛矿的C轴缩短.铁电性测试的结果表明,薄膜的剩余极化强度为2.0μC/cm^2,略小于用溶胶-凝胶方法制备的纯Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度.漏电流测试结果表明薄膜导电机构满足公式.     

在ITO玻璃衬底上制备钛酸铋铁电薄膜

利用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Sn的In2O3导电透明薄膜(ITO)衬底上制备了钙钛矿型Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了退火温度对铁电薄膜结构和性能的影响.X-射线衍射分析表明,经650℃和650℃以上温度退火的薄膜为具有层状钙钛矿型结构Bi4Ti3O12的铁电薄膜.在750℃退火20 min得到Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化强度Pr=10μC/cm2,矫顽场Ec=45 kV/cm.     

TiSiW12O40／TiO2催化合成对羟基苯甲酸丁酯

首次报道了以固载杂多酸盐ＴｉＳｉＷ１２Ｏ４０／ＴｉＯ２为多相催化剂，通过对羟基苯甲本和正丁醇反应合成了对羟基苯甲酸丁酯，并探讨了诸因素对酯化率的影响。实验结果表明，ＴｉＳｉＷ１２Ｏ４０／ＴｉＯ２具有良好的催化活性，醇酸摩尔比为４：１，催化剂用量为反应物料总量的２．０％，反应时间２．０ｈ，反应８４－９２℃，酯化率可达９１．１％，并且催化剂可重复使用多次。     

TiSiW_(12)O_(40)/TiO_2复相催化合成己酸乙脂的研究

介绍了以固载杂多酸盐TiSiW12／TiO2为复相催化剂，由己酸、乙醇为原料催化合成乙酸乙酯的方法，讨论了催化酯化的各种影响因素及反应机理，找出了反应的最佳条件。     

CaCu_3Ti_4O_(12)的驰豫特性

利用固态反应办法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品;从德拜弛豫理论出发,通过介电温度谱得到弛豫时间温度谱,计算了样品的弛豫激活能H.结果表明激活能与频率无关,而弛豫时间因子τ0则与频率有关,显示出样品的弛豫特性并非来源于激活能H,而是来源于弛豫时间因子τ0的分布.     

高取向Bi4Ti3O12陶瓷样品的制备

采用多次球磨、预合成、真空干燥的工艺，制备了(0014)择优取向的Bi4Ti3O12(BTO)陶瓷样品。样品的c取向方向与样品成型时所加压力的方向基本一致；随烧结时间增加，样品的c取向率增大，烧结时间为16h的陶瓷样品的取向率达到0．96；测量了样品与轴线平行和垂直2个方向的电学性能，得到了各向异性的测量结果，为深入研究BTO的微观结构提供了一定条件。     

KTa0.4Nb0.6O3铁电陶瓷固相反应中红外吸收光谱的研究

利用红外吸收光谱分析方法，研究固溶体钽铌酸钾铁电陶瓷原料在预烧阶段中的固相反应，观察ＫＴＮ材料的中心离子与氧离子键的特征吸收峰的生成过程，判断固相反应完成的程度，确定ＫＴＮ陶瓷的预烧温度，与Ｘ射线衍射结构分析和预烧温度对瓷体密度的影响结果比较，发现红外吸收光谱分析方法是确定铁电陶瓷预烧温度的别一种可靠方法。     

掠入射荧光XAFS研究(Ge_4/Si_4)_5/Si(001)超晶格的结构

本文用掠入射荧光XAFS研究 (Ge4/Si4) 5 /Si(0 0 1 )形变超晶格的局域结构 .超晶格中的Ge Ge和Ge Si第一配位键长分别为RGe Ge =0 .2 43nm和RGe Si =0 .2 38nm ,与晶态Ge(RGe Ge =0 .2 45nm)和共价Ge Si键长RGe Si =0 .2 40nm相比 ,其配位键长缩短了 0 .0 0 2nm ,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲 ,Ge Ge配位数为 1 .8和Ge Si配位数为 2 .2显然偏离了理论的配位数Ge Ge为 3和Ge Si配位数为 1 .我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释 (Ge4/Si4) 5 超晶格的界面结构     

高介电常数CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷材料的研究现状

CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料因具有反常的高介电常数以及优异的温度稳定性而显示出广泛的应用前景.介绍了CCTO陶瓷材料的晶体结构、制备方法、介电性能和微观介电机制,综述了CCTO陶瓷材料的介电性能改性方面的研究现状.     

锂离子电池正极材料——Li3 V2 (PO4)3 的合成及其性能研究

以LiOH·H2O,NH4H2PO4和V2O5为原料,加入导电碳,用高温固相法合成Li3V2(PO4)3;以LiOH·H2O,NH4H2PO4,NH4VO3为原料,柠檬酸作为还原剂和碳源,用溶胶凝胶法合成Li3V2(PO4)3,并对材料的化学电化学性能进行了研究.     

Pr1.8Bi0.1Sr0.8Ca0.3Cu2O6的制备,结构和性能研究

本文报道了新的含铜的氧化物的物相 Pr_(1.3)Bi_(0.1)Sr_(0.3)Ca_(0.2)Cu_2O_6的制奋、单晶结构和电磁性能.由单晶 X 射线衍射数据分析,该氧化物属四方晶系,空间群 D_(4λ)~(17)—l4/mmm.测得晶胞常数为α=3.831×10~(-10)m,c=19.642×10~(-10)m,Z=2,V=288.3×10~(-20)m~3。在4.5—300K 温度范围内,该物相不显超导性能。经高压纯氧气氛焙烧或经纯160 Pa 氧焙烧后再经氩气氛处理的 Pr_(2-x)(Sr,Ca)_(l+2)Cu_2O_(?)(x≈0至0.4)样品也不显超导性能.     

以负载型H_3PW_(12)O_(40)/C为催化剂合成MTBE的研究

报道了负载型杂多酸H3PW1 2 O40 C在催化合成MTBE中的应用 .研究了影响MTBE收率的因素 ,如催化剂负载量、原料配比、压力、反应温度及时间等 .在最佳反应条件下 ,叔丁醇最高转化率达到 77.2 % ,MTBE收率可达 5 6.4 % .该方法投料操作简便 ,对设备无腐蚀 ,催化剂耐高温耐磨并可回收再生     

稀土硫酸盐对Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4离子导电性的影响

为了开发用于SO_2气体传感器的固体电解质材料。对掺杂稀土硫酸盐的Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4体系的离子导电性和相关系进行了研究,取得了良好的结果;在掺有4m/oPr_2(SO_4)_3的体系中,280℃时电导率达到10~(-3)Ω~(-1)cm~(-1);差热分析表明,没有相变发生,成功地将Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4的高温快离子导电相稳定到了室温。     

烧结温度度对Ba4．2（Sm0.8Nd0.17Bi0.03）9．2Ti18O54微波介电性能的影响

研究了烧结温度对掺质量分数为0.5%的TiO2的Ba4.2(Sm0.8Nd0.17Bi0.03)9.2Ti18O54(简称BSNBT)陶瓷材料微观结构及其微波介电性能的影响.采用XRD,场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和EPMA分析了陶瓷材料的微观结构.结果表明,当烧结温度高于1 340℃时陶瓷样品中出现第二相BaTi4O9.随着烧结温度的升高,材料的介电常数rε和Qf值(品质因数和谐振频率的乘积)先增大后减小,谐振频率温度系数逐渐增大.当烧结温度为1 340℃时,rε和Qf值均达到最大,rε=80.5,Qf=9 009 GHz(在3.5 GHz下),此时谐振频率温度系数fτ=6.5×10-6/℃.     

1-(4-安替吡啉基)-3-(4-溴苯基)-三氮烯的合成及其性质初步研究

本文报导1-(4-安替吡啉基)-3-(4-溴苯基)-三氮烯的合成及其性质初步研究和纯化方法。实验表明,结果令人满意。     

中钨矿离子交换结晶制备（NH4）10W12O41工艺研究

研究了从中钨矿压煮液,中用强碱性阴离子交换树脂除杂的最佳条件,并结晶制备高纯度仲钨酸铵（NH4）(10)W(12)O(41)。所得工艺条件为：料液PH10．44,最大穿漏交换容量W03190．83mg／g干树脂,交换PH10．38,水洗剂0．10mol／LNH4Cl,淋洗剂0．25mol／LNH4Cl-氨水。同时对钨的淋洗解吸效益进行了分析。