多孔氧化铝模板中交流沉积铁与铁铜纳米线阵列

采用二次阳极氧化法制备高度有序的多孔阳极氧化铝模板,采用阶梯降压法减薄致密的阻挡层.在不同铁铜离子摩尔比的电解液中,以铝基底和铂电极作为两电极,利用交流电化学沉积法,在氧化铝模板上成功制备了铁及铁铜纳米线.利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对铁及铁铜纳米线的微观结构和形貌进行了分析.结果表明,制备的铁及铁铜纳米线排列有序,粗细均匀,其直径与模板的孔径一致.     

碳热还原制备碳化硅纳米线

以二氧化硅粉和竹炭粉为原料,在无催化剂的条件下,于1 400℃下用碳热还原制备了SiC纳米线.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和能谱(EDS)分析了该纳米线的形貌和化学组成,同时探讨了SiC纳米线的形成机理.结果表明,所制备的纳米线为β-SiC,纳米线直径为100～150 nm,长度可达数毫米.     

金属辅助化学刻蚀法制备尺寸可控的硅纳米线

为制备粗细均匀、大长度的硅纳米线,通过金属辅助化学刻蚀方法,以银作为辅助金属,利用场发射扫描电镜(FESEM)和FIB/SEM双束系统作为检测手段,结合微加工工艺,研究了不同的反应离子刻蚀时间和化学刻蚀时间对制备的硅纳米线的尺寸和形貌的影响。结果表明,通过该方法制备的硅纳米线粗细均匀、长度较大。控制反应离子刻蚀时间和化学刻蚀反应时间,可以控制硅纳米线的形貌与尺寸。     

量子线器件电致性能模拟研究

用硅基铂钛夹层AAO多孔模板-溶胶凝胶法成功地制备出有序的TiO2纳米线阵列;并用Synopsys TCAD微电子器件仿真软件Sen.Taurus Device模块,模拟分析了单根纳米线的电致物理性能,重点研究纳米线的直径和长度与电导和电压的关系。     

有序Ni纳米线阵列的样模制备法及其磁单畴特性

研究以多孔氧化铝为样模通过电沉积制备金属Ｎｉ的有序一维纳米线阵列,对其形貌和结构进行了表征,并测量了有序Ｎｉ纳米线阵列的磁滞回线。结果表明：以多孔氧化铝为样模所制得的Ｎｉ纳米线尺寸均匀、排列有序且直径和长度可在一定范围内任意调节;直径为１０ｎｍ,长达８μｍ的Ｎｉ纳米线阵列在磁性质上表现出显著的磁单畴特性。     

锐钛矿TiO2纳米线的贮锂性能研究

采用水热法制备了TiO2纳米线．测试表明,该纳米线为锐钛矿相,直径为40～80nm,长度为300～1500nm,电化学贮锂可逆容量高、循环稳定性好,显著优于同相纳米晶．     

等离子电弧蒸发及后续氮化制备AlN纳米线

采用两步熔铝氮化法成功地制备出了 AlN 纳米线。首先,用含氮等离子体电弧法制得 Al AIN 混合纳米粉。然后,再将 Al AlN 混合纳米粉在750～850℃下保温1h 进行氮化处理,制备出含有 AlN 纳米线的纯 AlN 纳米材料。经 XRD、TEM和 HR—TEM 的测试表明:AIN 纳米线呈表面平滑的棒状形貌,其直径10～50mm,长度为500 nm～500μm。同时探讨了 AlN纳米线的生长机制。     

单晶硅表面电化学方法制备定向硅纳米线阵列的研究

采用电化学方法在近室温条件下快速制备硅纳米线阵列.实验选用HF-AgNO3混合溶液,在单晶硅表面沉积生长一层薄的金属银的催化剂薄膜.然后在HF-Fe(NO3)3混合溶液中,利用银为催化剂,在硅片表面发生氧化还原反应,通过选择性腐蚀,制备出大面积硅纳米线阵列;利用扫描电镜分析了制备温度、时间及AgNO3的浓度对催化剂形状、大小的影响,并进一步分析了其对纳米线的定向特征、长度及填充率的影响.在本实验条件下,银催化剂的颗粒直径影响纳米线的生长,过大或过小的催化剂都不利于纳米线的制备.同时,纳米线的长度随着刻蚀生长时间的延长而增加.     

基于无催化剂化学气相沉积法的氮化镓纳米线制备和表征

采用化学气相沉积法，通过金属镓和氨气的直接反应，在石英衬底上沉积出GaN纳米线。利用 XRD和SEM对制备的 GaN 纳米线进行了结构和形貌的表征。结果表明合成的GaN纳米线为六方纤锌矿结构，直径为100~200 nm，长度达几微米，GaN纳米线的生长符合VLS生长模型。室温PL光谱表明GaN纳米线在395 nm和566 nm的发光峰主要与Ga空位或者N空位引起的缺陷能级相关。     

Fe0.72Ni0.28纳米线阵列的制备与剩磁特性研究

利用电化学沉积的方法,在多孔氧化铝模板中成功制备出直径为50 nm,长度约4 μm的Fe0.72Ni0.28合金纳米线阵列.X射线衍射表明其结构为体心立方结构;等温剩磁曲线和直流退磁曲线表明在纳米线中,磁化较难,而退磁容易,而且组成纳米线的小粒子之间存在退磁性的相互作用.     

关于自主性技术创新中的技术融合

本文从对自主性技术创新中的技术融合内涵的基本理解开始 ,在对技术融合产生的前提和条件考察的基础上 ,提出了对技术融合的拓展的理解 ,突破了把技术融合单纯理解为技术行为的认识 ,并对技术融合和相关概念的关系进行了讨论     

高成长型科技中小企业运营效率分析

科技中小企业的快速、健康发展,依托于高效的运营效率.首先通过GEP方法识别出具有高成长特征的企业,然后通过技术效率和交叉效率分析对高成长型科技中小企业的运营效率进行综合分析,发现了在技术效率和交叉效率之间存在的不一致现象.通过基于技术效率和奇异指数的聚类分析,并对比了两年聚类结果的变化情况,找出了具有整体运营效率的企业,从而为其他企业树立了榜样,并对聚类结果的变化情况做了进一步的分析.     

科技中介组织与区域创新主体协同发展综合模糊评价模型

将科技中介组织与区域创新主体协同发展评价指标分为科技中介组织与政府、企业、大学及科研机构协同发展的四个二级指标,建立了科技中介与区域创新主体协同发展水平的评价指标体系,并构建了科技中介与区域创新主体协同发展综合模糊评价模型。     

科技进步预警模型构建及应用研究

科技进步预警有助于深入认识科技发展的优势与不足,有效防范和控制科技进步发生警情.在科技进步综合评价基础上,构建了科技进步预警模型,并应用该模型对温州市2003 - 2009年科技进步状况进行了实证研究.     

企业技术创新的投入、收益与激励

企业最佳的技术创新投入量如何确定的问题 ,一直为国内外学者所关注。论文将委托一代理模型和贝特朗模型结合 ,解决了最优激励合同下企业技术创新投入量的计算方法的问题 ,并区分了企业技术创新的基本投入和基准投入的概念。企业技术创新的基本投入指在特定的市场结构下无激励合同时企业技术创新的投入量 ;企业技术创新的基准投入指在特定的市场结构下满足最优激励合同时企业技术创新的投入量。企业技术创新的基准投入量的计算方法 ,为企业制定技术创新的发展规划以及政府制定激励企业技术创新的政策和措施提供了理论依据     

改进合成草酰氯工艺条件的确定

对文献中草酰氯合成工艺进行了改进：改变反应物的配料比;将反应物同时溶入三氯氧磷中使其充分混合;反应过程中控制温并不断搅拌。实验结果显示,产品的收率提高近40％,反应时间缩短至10h。     

基于社会资本网络理论的企业创新模式研究

社会资本网络是在信任、协调和规则等正式和非正式制度影响下,形成的链接体系。它是企业技术创新过程中重要的机制保障,因为,社会资本网络与企业技术创新协同共生,并影响着企业技术创新的方式和成效。我国企业技术创新中存在社会资本网络缺陷,技术创新出现产学研分离、技术创新懈怠等不良现象,对此,应建设社会资本网络下的企业技术创新基本模式,如在社会资本网络下构建企业技术创新的共享范式、系统范式和空间范式等。     

内蒙古城市化与技术创新关联性分析

城市在专业化与多样性、人力资本积累、信息交流、交易效率的提高、城市基础设施方面的优势有利于科技创新的产生与扩散。内蒙古城市化与科技创新的相关性分析显示:内蒙古城市化与科技创新存在较大的相关性,向量自回归模型、脉冲响应函数以及格兰杰因果关系检验表明内蒙古城市化是科技创新的格兰杰原因,科技创新对来自城市化的冲击反应较大,而科技创新对城市化的冲击影响较小,城市化有利于科技创新的产出。内蒙古科技资金筹集、科技人员投入等几项指标也与科技创新有较大关联。     

技术创新的市场需求诱导效应研究

在市场需求影响技术创新机理分析的基础上,运用统计方法对我国31个省市的数据进行实证分析.结果表明:市场需求与技术创新能力呈显著的正相关,市场需求在宏观层次上已经成为我国主要的技术创新动力来源.研究表明,由于我国区域的差异,市场需求对创新能力的影响可以分为东部、中部和西部3类不同的地区进行分析,各个地区应分别采取相应政策措施完善市场机制,促进技术创新.     

美国科技政策和科技发展关系的特点及对我国的启示

美国科学技术持续发展是与其完善的科技政策相联系的。介绍了美国科技政策发展的3个阶段,论述了美国政府科技政策与科技发展的互动关系及其对我国科技政策发展的启示。