γ-MnFe基合金中反铁磁转变和fccfct马氏体相变

通过内耗和电阻实验,测量了具有不同锰含量的γ-MnxFe1-x(0.4相似文献   

γ-MnFe基合金中反铁磁转变和fccfct马氏体相变

通过内耗和电阻实验,测量了具有不同锰含量的γ-Mn_xFe_(1-x)(0.4相似文献   

宽温区内CuAlNi合金阻尼特性的研究

本文通过内耗、电阻、弹性模量和零点漂移随温度的变化（０～８５０℃）考察了ＣｕＡｌＮｉ合金中、沉淀相和相变对阻尼特性的影响．升温过程Ｑ－１－Ｔ曲线上，出现四个内耗峰，峰温分别为：６２℃、５６２℃、７６０℃、８２０℃．降温过程Ｑ－１一Ｔ曲线上也出现四个内耗峰，峰温分别为：８３０℃、７６７℃、５８４℃和３０℃．为了探讨其内耗机理，还进行了Ｘ线衍射和金相观察．     

巨磁电阻材料La0.85MnO3的低频内耗和电磁性能

用低频扭摆法在多功能内耗仪上测量了自掺杂巨磁电阻材料La0.85MnO3的温度内耗谱.结果表明内耗峰位不随频率的变化而变化,但峰高和频率成反比且对应的内耗峰处模量有明显变化,这说明对应的内耗峰处的变化是由某种相变引起的.内耗、电阻及磁化率曲线的对应关系,说明该材料出现了顺磁-铁磁转变和半导体-金属转变,所伴随的结构变化导致了内耗峰的出现.     

用低频内耗研究Cu-Al-Be合金的相变过程

通过测量Cu-Al-Be合金在相变范围内的低频内耗,研究了在变温和等温条件下样品内耗与频率、温度变化率等关系在低于逆马氏体相变温度范围内,实验观测到一内耗峰,可能和相变前亚结构的变化有关.     

金镉与铁锰合金马氏体相变过程中引起内耗的机制

用扭摆法测量了金镉合金(含镉49元子％)在bcc相 bct相正反马氏体相变过程中内耗的变化,得到了类似于电阻变化的内耗——温度曲綫,而没有观察到如鉄锰等合金中出现的“相变内耗峯”。分别研究了金镉合金及鉄锰合金(含锰17.5重量％)马氏体相变过程中内耗与频率,振幅,温度以及升温速度的关系,并根据两种合金不同类型马氏体相变的特征,对实验结果进行了分析。结果表明,两种不同内耗观象的本质可能是一样的,即内耗仅与保持共格的界面有关,而与以上各种因素无本质的依赖关系。最后对产生内耗的机制作了讨论,认为这是一种应力感生共格界面移动所引起的静滞内耗。     

Fe-Mn-Si基形状记忆合金的奈尔温度(TN)对马氏体相变的影响

用静电音频内耗仪测量了 Fe- 30 .3Mn- 6 .1Si,Fe- 2 9.0 5 Mn- 6 .2 7Si- RE,Fe- 2 6 .4Mn- 6 .0 2 Si- 5 .2 Cr形状记忆合金在 15 0～ 6 0 0 K温度范围的内耗及模量变化 ,确定了三种合金的 TN 温度及 MS温度 ,通过计算 ε→ γ相变内耗峰的面积 ,研究了奈尔温度 TN 对 γ→ ε马氏体相变的影响 .结果表明 :合金成分显著地影响 TN 温度 ,其中 RE和 Cr均降低 TN 温度 .随着 TN 温度的降低 ,MS- TN 温度差增大 ,TN 温度对马氏体相变的抑制作用降低 ,使马氏体形成量增加 ,进而使 ε→ γ相变峰的面积即逆相变量增大 .     

不同一级相变材料的内耗峰形成机制

试验研究了3种一级相变材料的相变过程,即非晶PdNiCuP的晶化与无序和有序型相变、形状记忆合金Cu 11.9Al 2.5Mn的无扩散位移型相变以及共析合金Zn 22Al的共析相变,设计并测量了3种材料的电阻和内耗,并采用插值法获得不同温度下内耗与频率的关系曲线.结果表明,3种材料的相变内耗峰不是弛豫型内耗峰,而是弛豫参数发生突变的结果,相变内耗峰高度与频率的关系是弛豫的表现.在低温区域,观测到其相变内耗峰的结构弛豫现象,并可用结构失稳和结构弛豫的概念定性解释升温速率对相变内耗峰高度的影响.     

相变及相关过程的内耗

内耗测量能显示Cu-Zn-A1中热弹性马氏体相变B29R和DO318R共存、以及单一1DO3←→18R或B2←→9R.Fe-Ni-Mn中等温马氏体相变在孕育期内出现相变内耗峰.因模量改变的特征不同,可将马氏体形核机制区分为与软模或局域软模有关和无关两种类型.Fe-Ni-C中珠光体相变和贝氏体相变都呈低频内耗,两者的特性相近.18Cr2Ni4WA钢及其脱碳合金、Cu-Zn-Al和Ag-Cd合金(包括上述Fe-Ni-C)在贝氏体相变孕育期内就出现相变内耗峰,论证此时发生贝氏体的形核过程.从相变时模量变化的实验,认为不同相变产生不同的相界面效应,使呈现不同的模量变化.只在(Ms-Tn)较大(如90K)的材料中,才在冷却过程的TN温度时,出现与反铁磁相变相关的磁畴界运动引起的内耗峰.材料的形状记忆效应可由马氏体逆相变的瞬间内耗峰面积     

γ-MnFe合金反铁磁转变和马氏体相变

利用低频内耗仪强迫振动方法测量-50～250℃,61.4%～86.4% Mnγ-MnFe合金降温过程的内耗和模量性质.实验结果显示,从高温到低温内耗表现有3个峰;第1个峰在磁转变温度附近;第2个峰出现在马氏体相变温度附近;第3个峰出现在0℃以下.分析表明,第1个峰与应力下磁畴移动有关;第2个峰是fcc及fct相界面运动引起的;第3个峰与{101}孪晶界的驰豫过程有关.在不同的温度和成分范围内讨论了两个相变的耦合作用.     

La5/6Li1/6MnO3的低频内耗研究

研究了样品La5/6Li1/6MnO3的内耗、直流电阻、交流磁化率.在75—245K的温度范围内,在0.3T的磁场下该样品有明显的磁阻(MR)效应.测量到两个电阻峰(Tp1=224K,Tp2=169K)和一个MR峰(T=218K).内耗(Q-1)测量中发现两个峰(PL=169K,PH=224K)和模量软化;并且内耗峰温与频率无关、内耗峰值与频率成反比.最终,提出在样品中存在相分离的观点.     

花岗岩的低频内耗研究

用低频内耗技术研究了花岗岩的阻尼行为，得到了低频内耗—温度谱．在实验中观察到花岗岩中水的内耗峰，对水含量、热处理和应变振幅的影响以及与颗粒间界有关的阻尼现象和弹性模量的变化进行了讨论．     

NiTi合金双程形状记忆“训练”机理的研究

本文通过对未经训练和已经充分训练的量Ni—49.7 at%Ti合金在相变过程中电阻,内耗,模量以及相变应变的原位测量和对比,证实了该合金经充分训练可由I/C(无公度/公度)转变提供完全可逆的双程形状记忆效应.研究了该合金在双程形状记忆训练过程电阻及相变阻力的变化.结果表明,双程形状记忆效应的训练过程,实际上就是在温度及应力的复合作用下,I/C相变逐渐被诱导、总的相变阻力下降并趋于稳定的过程.在训练过程中,高相变阻力的过程逐渐被抑止,而低相变阻力的过程逐渐发展并成为主要过程;因此使相变过程变得完全可逆,正反相变均按阻力最小的惯习面进行,试样即具有双程形状记忆效应.     

La0.7Pb0.3MnO3材料的低频内耗与电磁输运性能

用低频扭摆法在多功能内耗仪上测量了巨磁电阻材料La0.7Pb0.3MnO3(LPMO)的温度内耗谱,所用频率为0.1,0.3,1.0Hz,温度从130～360K.实验结果表明在该材料的居里温度255K附近有一内耗峰并对应有模量软化.通过改变测量频率,发现内耗峰的峰位和模量的下降与频率无关,但改变频率时,其模量软化及内耗峰高度都有所改变,这与热激活型弛豫内耗峰明显不同.结合该材料的交流磁化率和零场电阻R(T)随温度变化的测量结果,表明该内耗峰是由于顺磁到铁磁相变中产生的磁熵所致,而模量的软化则表明伴随着顺磁到铁磁转变的过程,LPMO材料发生了Jahn-Teller晶格畸变.另外我们还研究了LPmO材料在O2气氛中经900℃,2h退火后,电磁输运性能和内耗的变化情况.结果表明,经在O2气氛中退火后的材料,其零场下电阻峰R(T)和交流磁化率曲线右移,居里温度Tc为272K,对应的内耗峰也向高温移动,这是因为氧含量的增加会产生等量的阳离子空位,使Mn4+/Mn3+比率增加,导致了Tc和TMI增高.     

真空熔烧Ni基合金涂层的力学性能研究

为了得到Ｎｉ基合金涂层抗拉性能,对采用不同温度制备的真空熔烧Ｎｉ基合金涂层进行了抗弯性能试验。通过测量和计算,取得了Ｎｉ基合金涂层的抗弯强度及其随熔烧温度提高而变化的规律。由钢基体和Ｎｉ基合金涂层组成的弯曲试样实质上是复合材料。根据对Ｎｉ基合金涂层杨氏弹性模量的测定,按复合材料模型计算了抗弯强度。试验结果表明,真空熔烧Ｎｉ基合金涂层具有相当好的弯曲强度。     

铜基形状记忆合金异常相变内耗的研究

文章研究了Cu-Al-Ni-Mn-Ti多晶形状记忆合金的异常相变内耗。实验结果和理论分析表明,合金的高温相变内耗峰在测量频率较低、马氏体片较多及升温速度较大的情况下,分解为一个"正峰"和一个"倒峰",这种现象是由于2种正、负耗散弹性模量的马氏体变体间相互作用引起的;具有负弹性模量的形状记忆合金能够稳定存在的条件,是需要从环境吸收热量引起熵的增加。     

热弹性马氏体相变内耗峰的研究

采用不完全相变内耗测量法,研究了CuAlNiMnTi多晶合金在热弹性马氏体相变时内耗峰与外界变量的依赖关系;实验结果发现,测量频率较低时,内耗峰分解成双峰,随不完全相变温度ts的降低,双峰逐渐合并;高温内耗峰呈现出明显的反常振幅效应。     

Fe—Mn—Si基形状记忆合金的奈尔温度（TN）对马氏体相变...

用静电音频内耗仪测量了Ｆｅ－３０．３Ｍｎ－６．１Ｓｉ,Ｆｅ－２９．０５Ｍｎ－６．２７Ｓｉ－ＲＥ,Ｆｅ－２６．４Ｍｎ－６．０２Ｓｉ－５．２Ｃｒ形状记忆合金在１５０￣６００Ｋ温度范围的内耗及模量变化,确定了三种合金的ＴＮ温度及Ｍｓ温度,通过计算ε→γ相变内耗峰的面积,研究了奈尔温度ＴＮ对γ→ε马氏体相变的影响。结果表明,合金成分显著地影响ＴＮ温度,其中ＲＥ和Ｃｒ均降低ＴＮ温度。随着ＴＮ温度的降低,Ｍｓ     

Fe,Mn—Si—Cr合金中γ→ε马氏体相变及其逆相变的内耗特征

用静电音频内耗仪测试了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ－Ｃｒ形状记忆合金在－１００￣３００℃温度范围内耗及模量变化,研究了γ→ε马氏体相变及其逆相变的内耗特征。结果表明,γ→ε马氏体相变及其逆相变具有不同的机制,在相变过程中未出现软模现象,可见该合金的层错形核可能无需点阵软化。相变过程中的模量变化归因子于ε相模量高于γ相的模量。     

La2Cu1-xLixO4+δ体系低频内耗研究

采用强迫振动方法对La₂Cu₁-xLixO_4+δ(0.02≤x≤0.15)系列氧化物超导体的母体化合物的低频内耗和模量进行了研究.结果表明,当x=0.02,0.05时,La₂Cu₁-xLixO_4+δ在250 K附近存在一个弛豫型内耗峰P1,为共价氧对形式的额外氧跳跃弛豫运动的结果;当x=0.10,0.15时,La₂Cu₁-xLixO_4+δ除了存在内耗峰P1外,在200 K附近还出现了内耗峰P2;La₂Cu₁-xLixO_4+δ在高温区域的模量反常现象反映了体系的正交与四方结构转变,其相变温度随Li的掺杂量的增加而向低温区域移动.