首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
采用TPBi/Alq3作为复合电子传输层,制备了发光层非掺杂结构的蓝色有机荧光电致发光器件.器件的最大电流效率为3.0 cd/A,对应的发光亮度为6 178 cd/m2,发光色坐标位于(0.167,0.161).器件的最大发光亮度为14 240 cd/m2.电压从6 V增加到14 V过程中,器件的色坐标变化量ΔCIExy仅为(0.001,0.002).通过插入的激子探测层研究发现,器件的激子形成区域主要位于DOPPP/TPBi界面处.  相似文献   

2.
以铟锡氧化物(ITO)玻璃基片为衬底,8-羟基喹啉锂(Liq)掺杂红荧烯(Rubrene)作为单一发光层,制备结构为ITO/PTV:TPD/Liq:Rubrene/Alq3/Al的白色有机电致发光器件(OLED),对4种不同掺杂浓度器件进行比较,分析了掺杂剂对器件发光亮度的影响,并对上述器件的发光和电学性能进行了研究和探讨.  相似文献   

3.
4.
采用蓝色荧光有机染料DSA-Ph作为客体材料,将其掺入主体材料BUBH-3中,制备了高效率色稳定的单发光层掺杂结构的蓝色有机荧光器件.当DSA-Ph掺杂质量比为3 wt.%时,器件的最大电流效率4.17 cd/A,对应色坐标为(0.161,0.286),亮度为5 038 cd/m2.当电压为14 V时,器件的最大亮度为16 160 cd/m2.另外,亮度从907 cd/m2增加到14 680 cd/m2过程中,其色坐标从(0.163,0.287)到(0.159,0.281),变化量ΔCIExy仅为(0.004,0.006).  相似文献   

5.
有机电致发光器件的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
有机电致发光器件是近年来国际上研究的一个热点,发展非常迅速。该器件具有自发光、响应快、发光效率高、驱动电压低、能耗低、成本低等许多优点,因此它极有可能成为下一代的平板显示终端。概述了有机电致发光(EL)器件的结构、工作原理、目前研究进展状况、出现的问题以及发展趋势等。  相似文献   

6.
白光有机电致发光器件在显示领域有着极大的应用前景,受到人们广泛的关注.通过对白光有机电致发光器件的结构、工作原理、实验的可行性分析、工艺流程、存在的问题等方面进行了分析,对器件结构进行了优化设计,确定了合理的技术路线,提高白光电致发光器件中各成分的发光效率,从而得到了一种较为理想的有机白光电致发光器件.  相似文献   

7.
论述了有机聚合物及小分子材料的电致发光原理,发光二极管的结构及影响器件稳定性,寿命的原因,总结了目前该领域所取得的成果,展望了下世纪有机发光材料的应用前景和商业化可能性。  相似文献   

8.
介绍了有机电致发光器件的电极研究进展,着重分析了电极性能的改进机制。对于阳极,为了利干空穴的注入和可见光透射,一般应选择功函数较高的透明导电材料。由于铟锡氧化物(ITO)是目前使用最为广泛的阳极材料,所以着重探讨了对ITO膜各种处理方法的改进机理,认为虽然氧空位浓度、C污染、Sn浓度都对ITO的表面功函数有影响,但C污染是主要因素;一种较好的处理方法是既能有效清除C污染,同时又尽可能使ITO膜的电阻率降低,所以中度氧等离子体处理是一种较为理想的途径。对于阴极,为了利于电子的注入,应选择功函数较低且化学性质较为稳定的材料;层状阴极可以较好地实现这一目的,并分别从隧穿效应、界面能带弯曲及减少淬灭中心等方面解释了金属/绝缘层双层阴极的改进机理,认为这三个方面共同起了作用,但主次不一。  相似文献   

9.
将有机荧光材料NPB,Alq3,DPVBi和Rubrene分别按照一定比例进行物理共混,作为物理混合层,制备了结构为ITO/物理混合层(120 nm)/LiF/Al的有机电致发光器件,研究了物理混合层中不同Rubrene比例对器件性能的影响.结果表明:随着Rubrene共混比例增加,器件色度发生相应改变,并呈现DPVB...  相似文献   

10.
对近几年来有机薄膜电致发光(EL)器件的研究进展进行了综合评停和分析,有机薄膜EL器件是近年来国际上研究的一个热点,该器件具有可与集成电路相匹配,直流电压低,发光亮度高,以及它与无机薄膜相比较易实现多色显示等优点。  相似文献   

11.
有机电致发光材料的电子传输材料研究远落后于该领域的其他材料,需要开发出新型的电子传输材料,提高电子传输效率,改善器件性能.以合成的Pybispy和Pybisqu作为电子传输材料,制作了结构为玻璃基板/ITO阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/铝电极的有机电致发光器件,探讨了它们在有机电致发光器件中的性能,Pybispy和Pybisqu作为电子传输材料器件的最大发光亮度分别达到了218和5 980 cd/m2.结果显示该系列化合物具有电子传输性能,可应用于有机电致发光器件中的电子传输材料.  相似文献   

12.
有机发光器件ITO阳极表面能的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
在测量TIO接触角的基础上,应用调和平均法计算了不同表面处理ITO阳极的表面能和极性度。结果表明:ITO的表面能和极性度随其表面处理方式而变化,并且表面能的变化主要来源于极性分量的增减;经氧等离子体处理后的ITO具有最大的表面能和极性度,这一结果对于优化ITO阳极/有机层界面的性质,改善有机发光器件的性能具有重要意义。  相似文献   

13.
Due to high brightness, low viewing angle, low driving voltage and short response time, organic light-emitting display is appraised as one of the most promising flat displays in the near future. Full-color technology is the bottle neck for industrializati…  相似文献   

14.
研制了两种类型单一白色发光层的有机电致发光器件(OLED),即小分子Zn(BTZ)2的掺杂型器件:ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)2:Rubrene/Al和聚合物LPPP的混合型器件:ITO/混合型发光层/Al,获得了较高的器件亮度和发光效率,且色坐标均非常接近于白色等能点,进而对上述器件的发光和电学性能进行了初步研究。  相似文献   

15.
以铜酞菁为过渡层的有机电致发光器件特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究过渡层结构对有机薄膜电致发光器件性能的影响。分别以铟、锡的氧化物 ( indium- tin- oxide,ITO)为阳极 ,以镁银合金 ( Mg:Ag)为阴极 ,用真空热蒸发法制备了结构为 ITO/ Cu Pc/ TPD/ Alq3/ Mg:Ag和 ITO/ TPD/ Alq3/ Mg:Ag的两类器件 ,并测定了器件的衰减曲线、发光光谱以及亮度—电压特性曲线。结果显示 :铜酞菁过渡层的使用虽然改善了器件的稳定性 ,但是却增大了器件的启亮电压 ,而且器件最大发光强度和最大光视效能也降低了。结果表明 :在高稳定性和高亮度、高光视效能不可兼得的时候 ,需要通过选择过渡层材料 ,优化制备工艺 ,获得一个最佳平衡值  相似文献   

16.
对不同结构的有机发光器件(OLED)进行了电容-电压(C-V)特性测量,研究了不同空穴注入结构对OLED负电容的影响。结果表明,负电容的产生与OLED内部电场的分布有着密切的关系,负电容开始出现的频率与电压的平方根呈指数关系。与超薄的单层空穴注入层相比,掺杂的空穴注入层不仅能降低器件的驱动电压,而且其载流子传输特性和出现负电容时的初始电压对频率有着更强的依赖性。  相似文献   

17.
在Fowler—Nordheim方程的基础上,利用高斯定理对单异质结有机薄膜电致发光器件的发光过程进行理论分析和计算。计算结果表明在单异质结电致发光器件中,可降低器件的电流水平,提高器件的发光效率。  相似文献   

18.
采用真空蒸镀方法,制备了以N-BDAVBi为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件,器件的结构为ITO/2T-NATA(40 nm)/NPB( 10 nm)/N-BDAVBi( (3+d) nm)/ADN(7 nm)/N-BDAVBi( (3+d) nm)/ADN (7 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF(0....  相似文献   

19.
为了提高顶发射白光有机发光二极管(top-emitting white organic light-emitting diodes,TWOLEDs)色谱稳定性,对一种拥有Ag反射镜的新型双蓝光发光单元顶发射器件展开研究,发现结构为Ag/Glass/ITO/MoO3(5nm)/TAPC(30nm)/TCTA(5nm)/Firpic:TCTA(10%,20nm)/Firpic:TmPyPb(10%,10nm)TPBi(30nm)/LiF(1nm)/Al(0.8nm)/Ag(22nm)/Alq3(50nm)的蓝光器件具有最佳光电性能,其最高电流效率可以达到9.76cd·A-1。基于该结构,结合DCJTB荧光染料制备的颜色转换层实现顶发射白光器件。结果表明,当颜色转换层DCJTB浓度为2.5%时,获得了电流效率为2.45cd·A-1,CIE色坐标为(0.338,0.337)以及显色指数CRI为72的TWOLEDs,器件微腔效应较弱且光谱随电流密度与观测角度改变仅有微弱变化。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号