13—Bit多速正六边形格子气自动机模型

建立了具备完全对称性的多速正六边形格子气自动机模型,通过对典型绕流问题的计算模拟,证明了模型的正确性和有效性。     

格子气自动机模型的影响因素

以具有代表性的13－Bit格子气自动机模型为对象,通过大量的数值实验,分析了影响格子气自动机模型模拟结果的几个主要因素：迭代次数、赋值方式、统计次数及粒子密度。对13－Bit格子气自动机模型,沿主流方向赋初值需迭代300时步,沿所有方向随机赋初值需迭代3000时步,模拟才达到稳定;统计次数需在40时步以上;粒子密度需在1．0－3．0之间。分析这些影响因素对格子气自动机模型的深入运用奠定了基础。     

１３—Ｂit多速格子气自动机模型的理论分析与模拟

运用流体离散运动论方法对１３－Bit多速正六边形格子气自动机模型进行了理论分析,在由格子Bolytzmann方程求得矩方程的基础上,根据Chapman-Enskog展开方法,导出了该模型的宏观热流体力学方程,从理论上证明了所建地于热流体力学问题描述的正确性。并给出了平板非等温流体绕流动现象的模拟结果。     

13—Bit格子气自动机模型的并行运行

采用按“位”编码和计算,把流体粒子的运动和碰撞过程处理为运动状态的转贮和节点信息的回送两个过程,得以实现并行运处荨闻计算速度快、可包含节点量大较的１３－Ｂｉｔ格子气自动机模型的运行机制。焦炭多孔介质流体流场模拟结果表明该机制是正确有效的。     

模拟晶体生长的格子气自动机模型

用９速正方形格子气自动机模型模拟了不同密度、不同边界温度条件下晶体生长情况，得到了一些定性结果。     

基于格子气自动机的疏散仿真

在任何人为或自然造成的突发事件中,将人员疏散到安全的地方是首要的任务。在传统的格子气自动机的基础上提出一种新的模型,可以仿真人员密集场所中人员同时涌向出口时的群体行为。在这个模型中,人员被本能和他们所获得的信息来驱动,并在模型中加入了人员的心理因素、速度等级、出口等级,从而更好地模拟事故现场,达到最优的疏散效果。     

格子气自动机Look-Up表的简并度

给出格子气自动机中具有三条守恒律的Look-Up表简并度的计算方法和非平凡状态解的存在条件及构造方法.     

13—bit格子气自动机模型对流场的模拟

13－bit格子气自动机模型是一种基于FHPⅡ模型基础上的新模型，为了验证其正确性，文中通过建立在该模型基础上的数值试验方法，对圆柱绕流、方柱绕流和多柱体绕流等典型流体流动，采用该模型模拟了它们的流场分布，与文献中用有限差分、有限元、边界元等方法的模拟结果相比较，发现13－bit格子气自动机模型能够较为真实、客观、详细的模拟流体流场；并进一步采用该模型模拟了焦炭多孔介质内流体流动，发现其能够便捷、清晰地模拟具有复杂几何边界条件的流场。     

完备格子气自动机Look－UPTable的状态

给出了完备格子气模型的Ｌｏｏｋ－ＵｐＴａｂｌｅ的状态解的存在条件，并给出特定情况下的状态个数．     

六方格子行人疏散元胞自动机模拟研究

在正六边形网格上建立六方格子行人疏散元胞自动机模型,模拟研究房间内的行人疏散过程,并在3种人员密度（O．1,0．3,0．5）下,比较分析六方子格模型与四方格子模型在房间出口宽度,行人平均速度和平均流量与疏散时间等参数下的差异。结果表明,在同样人员密度下,六方格子模型比四方格子模型平均疏散时间更短,行人疏散得更快,四方格子模型系统平均速度与平均流量比六方格子更大。行人在疏散过程中为了更快地逃离房间可以考虑往多个的方向运动,但是要最大限度地避免出现阻塞,并尽快减少出现阻塞的区域,这样才更有利于疏散。     

AB磁通对量子格气模型非线性解的影响

求出了有AB磁通时量子格气模型的椭圆函数波解 .给出了椭圆函数波的能隙、有效质量和束缚能 .指出了类自旋波和弧子是椭圆函数波的特例 ,揭示了AB磁通对孤子宽度、峰值、束缚能和有效质量的影响及AB磁通诱导的类Josephson流     

合成条件对高硅SSZ-13分子筛膜单气体渗透性能的影响

采用2次水热合成法在多孔莫来石支撑体外表面上制备高硅SSZ-13分子筛膜,考察了合成溶胶中的Si/Al比、晶化时间、晶化温度、H₂O/SiO₂比对合成高硅SSZ-13分子筛膜的单气体渗透性能的影响.高硅SSZ-13分子筛膜的CO₂和CH₄的单气体渗透性能依赖于合成溶胶中的Si/Al比,Si/Al比越高,越有利于气体分离.其次,合成溶胶中H₂O/SiO₂比和晶化条件也能够影响分子筛晶体形貌、分子筛层厚度以及分子筛膜的单气体渗透性能.当合成溶胶的摩尔配比为1.000 SiO₂:0.100 Na₂O:0.100 TMAdaOH:80.000 H₂O:0.005 Al₂O₃,晶化时间和温度分别为48 h和160 ℃时,制备的高硅SSZ-13分子筛膜具有最佳的单气体渗透性能,对CO₂的渗透速率可达到3.0×10^-7 mol· m^-2·s^-1·Pa^-1),CO₂/CH₄的理想选择性为39.