溅射用铁电陶瓷靶的烧结与显微结构分析

探讨了溅射用铁电陶瓷靶（ＰＺＴ，ＰＬＺＴ）的烧结工艺，并对其显微结构进行了分析。结果表明，采用新的烧结工艺（含保护措施），可以有效地抑制ＰｂＯ的挥发，制备出组织结构及成分均匀、ＰｂＯ含量正常、致密度较高、不变形的符合磁控溅射要求的铁电陶瓷烧结靶。     

LiNbO_3陶瓷溅射靶材的制备工艺研究

采用改进的陶瓷烧结工艺，研究了用于射频磁控溅射工艺的大尺寸薄型ＬｉＮｂＯ３陶瓷靶材的烧结工艺，解决了烧结过程中Ｌｉ２Ｏ的外逸造成成分偏差和Ｌｉ２Ｏ含量偏低时不易得到致密陶瓷的问题，探讨了Ｌｉ２Ｏ在烧结过程中的作用，制备出了高强度的ＬｉＮｂＯ３＋Ｌｉ２Ｏ系列陶瓷靶材．     

烧结工艺对Si3N4陶瓷显微结构及性能的影响

文章研究了烧结温度、时间对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料显微结构与性能的影响，微观结构与断裂韧性、抗弯强度的关系．结果表明：在一定烧结温度下，随保温时间增加，材料体积密度、β相相对含量增加，断裂韧性显著提高，使相变过程滞后，并在试样断口上发现了明显的棒状组织拔出和折断痕迹，保温时间一定时，存在最佳烧结温度     

Nb2O5对氧化铝陶瓷烧结性能和显微结构的影响

以Nb2O5为烧结助剂,通过无压烧结制备氧化铝陶瓷.研究了Nb2O5对氧化铝陶瓷的致密化和显微结构的影响.结果表明,少量的Nb2O5对氧化铝陶瓷的致密化具有明显的促进作用,当Nb2O5的添加量为1%时,可使氧化铝陶瓷在1 500℃获得致密.显微结构上,Nb2O5对氧化铝的晶粒生长也具有显著的促进作用.Nb2O5对致密化和晶粒生长的促进作用主要是通过它在氧化铝晶粒中的固溶来实现的.力学性能测试表明:加入Nb2O5后能够在不影响力学性能的前提下降低烧结温度.     

Sialon陶瓷的常压烧结

在Si3N4,Al2O3,AlN和Y2O3混合料常压烧结过程中,由于过程反应生成SiO,CO,N2等气相物质和由于Si3N4原料在高温常压下分解压高,从而常压烧结致密化过程始终伴随着一个失重的塑致密化过程．为了解决这一问题,作者研究了填料成分、烧结温度、烧结时间等工艺条件对Sialon陶瓷常压烧结密度的影响,分析了烧结过程的物理化学机制和致密化机制．4种填料分别为Si3N4,Si3N4+SiO2,Si3N4+Al2O3+AlN和Si3N4+Al2O3+AlN+BN．被烧料典型配方为Si3N465%～70%,Al2O320%～25%,AlN10%,另加6%Y2O3．当填料成分为70%Si3N4+24%Al2O3+3%AlN+3%BN时,制得了相对密度达99%,抗弯强度达612.2MPa的常压烧结Sialon陶瓷．研究结果表明对于通式为Si6-ZAlZOZN8-Z的Sialon陶瓷,当Z=2时,其最佳烧结温度为1750℃,烧结时间为40min;Sialon的烧结过程是1个多因素控制的瞬时液相烧结过程．     

气氛烧结对95氧化铝陶瓷机械性能的影响

在添加少量ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３和Ｆｅ２Ｏ３对９５氧化铝陶瓷性性的基础上,着重研究了不同的合成温度,烧结气氛和烧结温度对陶瓷机械性能和显微结构的影响,并对其机理进行了初步的探讨,研究表明氢气氛中１３５０℃２ｈ烧成的样品的体积密度达３．９５ｇ／ｃｍ＾３,表面洛氏硬度为９２（ＨＲ１５Ｎ）,抗折强度大于２００ＭＰａ,表面光洁度为△１１,能满足柱塞的使用要求。     

熔盐法制备PMN—PT陶瓷的烧结条件对显微结构和介电 …

采用ａＣＩ－ＫＣＬ熔盐法制备了单一钙钛矿相结构的０．８ＰＭＮ－０．２ＰＴ陶瓷样品,研究了烧温度和烧结时间对其显微结构和介电性能的影响。结果表明,烧结温度对陶瓷的显微结构和介电性能影响非常显著,其最佳烧结温度、时间分为１２００℃,３０ｍｉｎ。     

二氧化锆增韧三氧化二铝陶瓷的显微结构与性能的研究

本文对ZrO_2增韧Al_2O_3陶瓷的7种成分(ZrO_2含量分别为0、5、10、15、20、3045wt%,其中Y_2O_3为3mol%)进行了对比性研究。试验表明:在所研究的Al_2O_3-ZrO_2(Y_2O_3)系陶瓷中,在Al_2O_3中加入ZrO_2(Y_2O_3)可以有效地提高其强韧性,并在15-20wt%ZrO_2时出现峰值;几种增韧机理中显微裂纹增韧起主导作用;在Al_2O_3-ZrO_2系中,ZrO_2的加入可以明显阻止Al_2O_3基体相的晶粒长大;在Al_2O_3基体中,ZrO_2粒子的分散有两种形态,其形成机理也不同。     

铁电陶瓷焦平面阵列红外成像技术

提出了铁电陶瓷焦平面阵列红外成像的技术方案,重点讨论了信号处理技术．测试表明,采用该方案研制的热像仪具有灵敏度高（噪声等效温差ＮＥＴＤ＝０．０８℃）、空间分辨率好（２４０电视线）及功能全面等优点．     

SiC-WC复相陶瓷的力学性能与显微结构

在α-SiC和β-SiC超细粉末中,以Al、B、C为烧结助剂,分别添加0～24vol%WC,研究了SiC—WC复相陶瓷的力学性能和显微结构,获得了一种室温弯曲强度和断裂韧性分别达700MPa和8.6MPa·m(1/2)的SiC-WC复相陶瓷.     

显微结构对铝基陶瓷复合材料断裂的影响

研讨了铝基陶瓷复合材料的显微结构和性能之间的关系。采用７０７５铝合金为金属基，并加入体积为２０％，粒度为Ｆ－１０００或Ｆ－６００的ＳｉＣ颗粒增强。通过塑性和断裂韧性测量以及试样断口的ＴＥＭ、ＳＥＭ显微观察，分析断裂显微结构的细节。研究表明，当基体从时效状态到过时效状态时，断裂模式从ＳｉＣ颗粒断裂转变为ＳｉＣ颗粒和基体之间出现窝状断裂。由ＴＥＭ观察证实，在过时效条件下基体和ＳｉＣ界面上沉淀析出新相，     

碳化硼陶瓷烧结方法的分析研究

比较了各种碳化硼陶瓷烧结方法的原理、工艺及优缺点,明确了高硬度液相烧结碳化硼陶瓷材料具有高硬度(HV≈2 800)、价格低(由于采用液相烧结温度约为1 800℃,比无压烧结低400～500℃)、性能优异(抗弯强度可达800～900 MPa,特别是它的断裂韧性可达8 MN/m3/2)等特点,指出了高硬度液相烧结碳化硼陶瓷材料是一种极具竞争力的材料.由于它的抗弯强度和断裂韧性高,因而可替代某些工具钢用于承受一定冲击载荷的抗磨件,从而扩大了陶瓷材料的应用领域.提出了高硬度陶瓷材料的耐磨性能的研究是目前亟待解决的问题.     

铁电陶瓷的电致疲劳实验研究

本文关注铁电材料的电致疲劳，通过铁电陶瓷的疲劳裂纹扩展实验这一问题进行了研究，给出了实验结果，提出解释实验现象的理论。     

激光烧结陶瓷粉末成形零件的研究

实验研究了Ａｌ２Ｏ３陶瓷粉末的激光烧结过程,介绍了激光烧结实验装置,分析了烧结参数对烧结过程的影响,得到了激光烧结的Ａｌ２Ｏ３陶瓷零件。所设计的实验装置的结构简单,可满足实验要求。     

碳对B4C的烧结行为及显微结构的影响

研究碳添加量对富硼Ｂ４Ｃ粉末常结性能的影响，本文利用Ｘ射线衍射仪、光学、扫描电镜对烧结体的成分、显微结构进行分析。实验结果表明，添加碳不仅可提高烧结体的致密度，而且可细化晶粒，改善气孔的数量、形态和分布。当添加１１％碳的粉末在２１５０℃烧结时，得到密度≥９５％的理论密度（ＴＤ）的致密体。通过对烧体的化学成分及显微结构分析表明，碳与富硼Ｂ４Ｃ粉末之间的固溶反应，引起Ｂ４Ｃ粉末颗粒重排、活度提高、物质     

微波烧结Al2O3陶瓷的研究

简要介绍了微波烧结的特点，对Ａｌ２Ｏ３陶１的微波烧结过程进行了介绍和分析，并同常规烧结进行了对比实验，在此基础上得出了一些结论，为陶瓷微波烧结提供了实验依据。     

铁电陶瓷的有效介电系数及其调整原理

通过讨论用通用LCR测量仪所测铁电陶瓷介电系数的含义,导出了抑制铁电陶瓷有效介电系数随偏压变化大小的原理表达式,即c_2~2/c_1~2=—dc_2/dE/dc_1/dE。根据此表达式,在抑制PZN和PMN基铁电陶恣介电系数随偏压变化大小的研究中,收到满意的效果。     

热压工艺对碳化硼显微结构和力学性能的影响

讨论了不同热压工艺参数对碳化硼烧结体的硼碳原子比（Ｂ／Ｃ）、显微结构和力学性能的影响．实验结果表明：在烧结过程中，粉体中的游离碳通过与碳化硼晶体之间的扩散，使碳化硼的Ｂ／Ｃ发生下降；碳化硼烧结体的杨氏模量随其体积密度的增加而升高，抗弯强度与气孔率和晶粒尺寸有关，当热压温度和热压压力分别为２０００～２１００℃和３０～３５ＭＰａ时，碳化硼烧结体的晶粒尺寸均匀，为３～５μｍ；相对密度为９２％～９８％Ｔ．Ｄ．；抗弯强度为４００～５００ＭＰａ．