微氟循环玻璃蚀刻的工艺研究

应用正交试验和单因子实验分别确定了微氟循环蚀刻液的配比及微氟循环蚀刻的最佳工艺条件.结果表明,蚀刻的最佳工艺条件为:pH=5.5,温度为48℃,时间为2.2h.并经SEM和IR实验测试,玻璃表面蚀刻均匀,蚀刻深度为5.8μm,深度均一,表面平整,无侧蚀现象.蚀刻后废液经化学处理可实现循环使用.     

氟油(掺氧)等离子蚀刻多晶硅、氮化硅

本文介绍了氟油(掺氧)等离子蚀刻多晶硅、氮化硅的实验装置及工艺参数;讨论了高频功率、电极形状、源瓶结构、蚀刻过程产生淀积物的处理以及系统气密性对蚀刻质量的影响.同时,从自由基理论出发,提出了氟油(掺氧)等离子蚀刻多晶硅、氮化硅的机理,并应用此机理对功率、氟油流量、氟油和氧气的比例与蚀刻速度的关系进行了理论解释.     

晶粒取向对微晶锌板蚀刻性能的影响

本文研究了印刷用微晶锌板(Al～0.05％(重量)、Mg～0.10％(重量)、Zn余量)的晶粒取向与蚀刻性能间的关系,对不同工艺制度生产的微晶锌板进行了x光衍射仪分析和制版蚀刻试验,其结果认为:锌板晶粒取向紊乱,则蚀刻性能良好。若出现明显的(0001)织构,将严重恶化蚀刻性能。另外,对Д.И.Лайнер等关于“冷轧锌板具有(1011)取向而导致蚀刻性能提高”的结论进行了讨论。     

微波辐射法制备活性二氧化锡并催化合成乙酰水杨酸

利用微波辐射处理五水四氯化锡溶胶制备出活性二氧化锡,小试研究活性二氧化锡催化合成乙酰水杨酸.并研究了酯化反应的优化条件,结果表明微波辐射法制备的二氧化锡呈现出较高的催化活性和选择性,其催化合成乙酰水杨酸产率比以浓硫酸为催化剂的产率高,也明显高于一般普通二氧化锡催化产率;活性二氧化锡催化酯化反应的最佳时间为45min,最佳温度为85℃,乙酸酐与水杨酸的最佳物质的量比为21.活性二氧化锡催化剂安全无毒,克服了浓硫酸的强腐蚀性、强氧化性、难于与产品分离、对环境污染大等诸多缺点,因此,活性二氧化锡可望成为一种较好的能取代液体浓硫酸并对环境友好固体酸催化剂.     

分散剂对纳米相二氧化锡制备的影响

采用化学沉淀法 ,通过在不同阶段加入适量的分散剂 ,制备了纳米相二氧化锡 .以 PCS、TEM详细研究了二氧化锡胶体和粉体的粒子形貌、大小及分布 .结果表明 :二氧化锡胶体颗粒分散均匀 ,粒径约 3nm左右 ,分布范围窄 ;80℃烘干后粒径约 8nm左右 ;70 0℃煅烧后颗粒为球型 ,团聚体少 ,颗粒粒径小于 5 0 nm.最后 ,定性分析了分散剂在纳米相二氧化锡制备中的分散机理 .     

蚀刻型高密度引线框架铜合金带材的研制进展

综述了蚀刻加工的工艺特点以及用于蚀刻型铜合金带材的特殊技术要求,分析了国内蚀刻型高密度引线框架铜带的研制进展及存在的问题。蚀刻型引线框架带材的产品质量与国外还存在一定差距,全蚀刻产品已实现国产化,产品质量有待提高;半蚀刻产品还处于研制阶段;板形控制、残余应力消减及均匀分布等核心技术有待突破;残余应力检测方法及检验标准有待建立。     

新法腐蚀铜匾牌技术

腐蚀标牌是一种传统的工艺技术，在加工过程中，图文的转移均是由液体感光胶通过光化学法实现的。这种方法尽管具有图文变形小的特点，但制作工序多，生产效率低，且劳动强度大，能耗多。采用蚀刻网印铜匾工艺，可提高生产效率数倍，节约大量辅助材料和能源。传统的工艺大部分采用三氯化铁溶液进行蚀刻，因其缺点较多，现在已经不受欢迎。改革开放以来，我国双氧水工业发展很快，购买也十分容易，这就为我们探索新的蚀刻方法提供了有利条件，并用双氧水蚀刻铜牌，取得了预期效果。1蚀刻工艺1．1蚀刻波配方：28％工业过氧化氢（H2O2）16升98…     

掺锑二氧化锡纳米粉末的制备及电化学性质研究

采用离子交换除氯水解法和有机溶剂共沸干燥方法制备得到导电性好的掺锑二氧化锡纳米粉末,用XRD对掺锑二氧化锡纳米粉末的结构进行表征;采用粉末微电极技术,对掺锑二氧化锡纳米粉末的电化学性质进行了研究.     

溶胶-凝胶法制备纳米二氧化锡的研究

采用溶胶-凝胶法制得平均粒径为30nm的二氧化锡超微粉,并对最佳实验条件进行相关讨论.通过X射线粉末衍射、透射电镜等方法观察了二氧化锡纳米粉体的形貌、聚集状态.     

Cu 在 FeCl_3 溶液中的蚀刻研究

研究了ＦｅＣｌ３溶液浓度、温度及样品在溶液中的运动速度对Ｃｕ蚀刻速度的影响。在所研究的溶液浓度范围内，蚀刻过程为扩散控制为主的过程；在溶液相对密度为１．２６～１．３２时Ｃｕ的蚀刻速度具有极值。Ｃｕ在ＦｅＣｌ３溶液中蚀刻其表面有ＣｕＣｌ膜的沉积，钝化膜对Ｃｕ的蚀刻有大的影响；蚀刻反应受Ｆｅ３＋通过钝化膜的扩散过程控制。试验拟定了初步的蚀刻工艺。     

江西省内线路板行业产生的含铜废液集中处置方法及清洁生产分析

江西省内有较多线路板企业,妥善处置其产生的废铜蚀刻液迫在眉睫,分析比较两种废铜蚀刻液回收处置工艺,即单一处理回收铜工艺和综合处理生产硫酸铜工艺。从清洁生产、循环经济角度看,综合处理生产硫酸铜工艺是一种循环经济与资源、环境、社会效益三者相结合的生产技术,降低环境风险,解决相关企业的后顾之忧。     

线路板蚀刻废液资源化处理清洁生产工艺

研究了广州市白云区南溪化工厂开发的一套对线路板蚀刻废液资源化处理零排放新工艺.该工艺利用摇床重力分选得到氧化铜,滤液加生石灰碱化加热回收氨.通过正交试验确定了最佳工艺条件,得到的氧化铜纯度为96.5%,回收率达97.1%.     

新到中国专利题录

7R—1.蚀刻规版直接蚀刻工艺:该工艺简单易行,土的抗水害能力。且能制作彩色蚀刻作品。7H—18.芳香木基自然消色墨水及其生产方法:这7H—2.全息（防伪）护卡膜及其应用:该护卡膜过塑种墨水适用于绘图、学习、眼装裁剪,能在一定的时间和到相片、名片等卡片或物品上后便制成彩幻卡片,过塑到条件下完全消色,不留痕迹。证件纸芯上后便制成全息防伪证件。7H—19.耐高温钢板粘合剂生产方法及用途:该发7H—3.一种硅柠胶导电片及其制迄方法:该发明只明粘结力强,凝固后不脱落,是用于修补锅炉管道的磨穿需采用普通设备进行加工,制作工艺较简单,成本…     

利用微蚀刻废液制备碱式碳酸铜

介绍了一种双氧水体系微蚀刻废液综合利用的工艺流程,以微蚀刻废液、粗制氧化铜及碳酸钠为原料,经过中和、偏钛酸吸附除铁、混合反应等工序,制备碱式碳酸铜。实验表明:偏钛酸能有效去除微蚀刻废液中的铁杂质,最佳吸附时间为1h,1L废液中偏钛酸的加入量为250g。制备碱式碳酸铜的最佳工艺条件如下:采用反应母液为底液,反应温度为70℃,pH值为8.5,洗涤次数为3次。此工艺能有效综合利用微蚀刻废液,制成的碱式碳酸铜产品符合HG 3-1075—77中规定的化学纯指标要求。     

含铜蚀刻废液的综合利用—硫酸铜生产工艺研究

采用酸性蚀刻液与碱性蚀刻液混合沉淀铜的方法，生产工业硫酸铜，不用蒸发浓缩，工艺简单，成本低．对影响产品质量和产率的主要因素ｐＨ，化浆用水量和浓硫酸用量进行了探讨，找到了最佳工艺条件，产品质量符合ＧＢ４３７－８０．     

VLSI干蚀刻终点检测技术简介

在蚀刻时会形成等鼻子体的蚀刻气体,他会蚀刻未受保护的区城.一旦检测到这一区域被刻蚀完成时,蚀刻反应马上被停止.这种停止刻蚀反应的检测手段被称为终点检测(endpoint).     

CNT-SnO2复合材料的制备及甲醛气敏性的研究

甲醛作为室内装潢最主要的污染物之一,会对人们的健康造成危害。采用旁热式气敏元件的制备工艺,利用功能化后的碳纳米管对二氧化锡进行不同比例的掺杂,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对气敏材料进行表征;并在甲醛气氛中与二氧化锡气体传感器进行对比。分析了掺杂浓度,工作温度及气体浓度对传感器灵敏度和响应恢复时间的影响,对其气敏机理进行分析。结果表明碳纳米管的引入提高了二氧化锡传感器对甲醛气体的灵敏度缩短了其响应恢复时间;并且对低浓度的甲醛气体也有较好的响应。     

等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究

等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用,就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅,多晶硅的原理和如何控制形状(profile)和深沟道的深度做了研究,解释了HBr,NF3,He_30%O2气体,压力对蚀刻速率,Si/SiO2蚀刻选择比的影响.结果表明:蚀刻率随HBr流量的增大而增大,压力和侧壁保护气体He_30%O2控制着整个蚀刻图形.     

二氧化锡纳米粉催化生成乙酰水杨酸

利用水热法处理五水四氯化锡溶胶制备二氧化锡纳米粉,试验纳米二氧化锡纳米粉催化合成乙酰水杨酸的研究,并研究了酯化反应的优化条件,结果表明：纳米二氧化锡呈现出较高的催化活性,其催化合成乙酰水杨酸产率比以浓硫酸为催化剂的产率高,也明显高于普通的二氧化锡的产率,且纳米二氧化锡催化剂安全无毒,克服了浓硫酸的强腐蚀性、强氧化性、难于与产品分离、对环境污染大等缺点,纳米二氧化锡可望成为一种较好的能取代浓硫酸且对环境友好的催化剂。     

纳米ATO隔热薄膜的制备及性能研究

以有机硅丙乳液为成膜物,掺锑二氧化锡水性浆料为颜填料得到掺锑二氧化锡隔热涂料,使用线棒涂布器在载玻片和230mm*230mm的普通玻璃上涂膜,分别制得了掺锑二氧化锡含量为1%,2%,3%,5%的薄膜。薄膜透明均一稳定。利用用紫外可见光谱仪和自制隔热箱分别研究了掺锑二氧化锡含量对薄膜的光学性能和隔热性能的影响。结果表明随着掺锑二氧化锡含量的增加紫外区与可见区透过率均降低,其隔热性能呈上升趋势。掺锑二氧化锡含量为5%时,可见光透过率高达80%,隔热温差达10℃。