在不同热氧化条件下SiO2—Si结构的电子辐射效应研究

利用２ＭＶ电子静电加速器,研究了热氧化工艺与ＳｉＯ２－Ｓｉ结构的电子辐射效应和辐射损伤机制。结果表明,高能电子辐照ＳｉＯ２－Ｓｉ结构引起的ＭＯＳ电容平带电压漂移ΔＶｆｂ与ＳｉＯ２膜厚ｄｏｘ＾２成正比。由Ｐ型硅为衬底或掺氯氧化的ＳｉＯ２－Ｓｉ结构对电子辐射较敏感;而由磷处理或干Ｎ２热退火的ＳｉＯ２－Ｓｉ结构能有效地降低对电子辐射的敏感性。     

Si／SiO2界面缺陷对光电二极管短波响应的影响

提出了一种新的器件结构ＭＯＰＮ,利用该器件研究了Ｓｉ／ＳｉＯ２界面缺陷对光电二极管的短波效应的影响。结果表明,提高光电二极管的短波响应的最好方法是提高ＳｉＯ２的生长质量,降低Ｓｉ／ＳｉＯ２界面的缺陷以及ＳｉＯ２中离子电荷的数量,即减小由其产生的表面电势ＶＳ０的值。     

二极管电子辐射效应的研究

利用电子辐照小功率二极管的研究结果表明，电子辐射可引起硅中少子寿命降低，二极管正向压降增加和零偏电容减少；还可引入三个缺陷能级：氧空位Ｅ１（Ｅｃ－０．１７ｅＶ）、双空位Ｅ２（Ｅｃ－０．２３ｅＶ）和Ｅ３（Ｅｃ－０．３９ｅＶ）。讨论了小功率二极管辐照后反恢时间下正向压降的兼容性。认为减少功率二极管的基区宽度是改善兼容性的有效方法。     

干涉法测量SiO2层厚度

本文从干涉原理出发,介绍干涉现象在半导体工艺上的应用。     

电子辐照对纳米Gd_2Zr_2O_7晶粒尺寸和结晶度的影响

利用能量为1.7Mev、注量在1015~2×1016/cm2的电子辐照非晶Gd2Zr2O7粉体、晶态Gd2Zr2O7纳米粉体和晶态Gd2Zr2O7纳米陶瓷,采用XRD测试手段对电子辐照前后的样品进行分析.结果表明,在此电子能量下,非晶Gd2Zr2O7粉体未出现晶化现象;部分晶态Gd2Zr2O7纳米粉体和纳米陶瓷在1016/cm2的注量下,结晶度提高,晶粒长大,辐照引起的退火效应占主导地位;结晶程度较高的Gd2Zr2O7纳米陶瓷在电子辐照下结晶度提高最大,平均晶粒尺寸也有明显提高.     

疏水纳米SiO2对微管道流动特性的影响

通过微管道流动试验,探讨疏水纳米SiO2的降压增注机理.在微尺度流动中,由于表面积/体积非常大,液固界面性质对流动有很大影响.在不同管壁界面条件下,用超纯水在内径约为25μm的毛细管内进行流动特性试验.结果表明:相同压力下,经过油基疏水纳米SiO2试剂处理后,水在微管中的流量有了较明显地提高;疏水纳米SiO2吸附能够使微管管壁具有超疏水性,从而产生水流滑移效应,达到减阻增流效果.     

Zn2SiO4电子结构及光学性质的第一性原理计算

使用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对三斜结构的Zn2SiO4的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算.能带计算结果表明,Zn2SiO4是具有能隙为1.086 eV的直接带隙半导体;其价带主要是由Zn的3d态电子和O的2P态电子构成,导带在6.5～7.5 ev之间,起主要贡献的是Zn的3p和4s...     

硅二极管脉冲中子辐照效应的研究

对加固Ｐ＾＋ｎｎ＾＋高压整流二极管进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ２缺陷，氧空位和双空位Ｅ２（Ｖ＾＝２）缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ＋Ｖ２）或（Ｏ＋Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还     

超分散剂对超细SiO2分散稳定性的影响

研究了超分散剂PSE加入前、后pH值变化对超细SiO2分散稳定的影响,测量了分散体系吸光度和ζ电位,探讨了分散剂浓度与超分散剂吸附量的关系.应用扩展的DLVO理论,对影响系统分散稳定的各种因素进行了分析.研究结果表明,当超分散剂质量浓度为1.6 mg/L时最有利于SiO2分散;超分散剂对于超细SiO2的分散稳定主要受空间位阻支配,受pH值影响较小.     

以不同温度处理的SiO2载体制备的Cu/SiO2催化剂在NO+CO反应中的活性

以不同温度处理SiO2为载体,用交换法制备Cu／SiO2催化剂．催化剂的表面结构用UV-VIR,TPR等方法进行表征．结果表明,不同温度焙烧的SiO2表面的-OH有差异．在NO＋CO的反应中,以500℃焙烧处理的SiO2为载体制备的催化剂显示了更高的催化活性,说明催化剂表面的结构对催化剂的制备有一定的影响．     

TiOSO4／SiO2催化合成油酸月桂酯

研制得一种新型固体酸TiOSO4/SiO2,吸附吡啶的红外光谱表明,其表面主要存在Br(o)nstexi酸中心,该催化剂在油酸月桂酯的合成中具有很好的催化活性.催化剂制备和反应的优化条件如下:Ti(SO4)2负载量10%,焙烧温度450℃,催化剂用量2%,醇/酸摩尔比1.1,反应温度150℃,反应时间1.5h.优化条件下,酯化率达到95%以上.     

溶胶凝胶法和浸渍法制备的Cu/SiO2催化剂的表征与性能

以CuCl2为铜源,采用溶胶凝胶法和浸渍法制备了SG-Cu/SiO2和IM-Cu/SiO2催化剂,用XRD、BET、IR、TPR等手段对催化剂进行了表征,考察了2种催化剂对NO CO反应的催化性能.结果表明,不同方法制备的催化剂在孔容、比表面积和表面OH的分布上有很大差异, 金属粒子在催化剂中的分散程度和存在状态也有所不同.在NO CO反应中,SG-Cu/SiO2的催化性能高于IM-Cu/SiO2,在SG-Cu/SiO2催化剂中形成的难还原的铜物种对NO CO的催化性能较好.     

SiO2体系的分子动力学研究

基于多体项展式理论方法导出的SiO2分子基态(～X1Α1 )的分析势能函数,用准经典的 Monte-Carlo轨线法对Si (3Pg) + OO′ (～X3Σ -g) 和O (1Dg) + SiO′(～X1Σ + )体系的分子反应动力学过程进行了计算.结果表明Si (3Pg) + OO′ (～X3Σ-g)体系生成络合物是一个阈能比较小的反应,而生成离解产物则是一个有比较大的阈能反应,其阈能值约为200 kJ·mol-1, 说明主要以生成络合物为主;O (1Dg) + SiO′ (AX～U1Σ + )体系没有络合物生成,生成离解产物O (1Dg)+ SiO′ (AX～U1Σ + )→O + O′ + Si的反应截面比非反应碰撞产物O (1Dg) + SiO′ (AX～U1Σ + )→Si + OO′的反应截面要大约两个数量级,在低能区是有阈能的反应,其阈能值约为120 kJ·mol-1.     

TiO2/SiO2的制备及其光催化性能

采用溶胶－凝胶法制得SiO2胶体，并将其与锐钛型TiO2微粒复合制得TiO2/SiO2催化剂。用透射电镜（TEM）观察表面形貌，用红外光谱（IR）和X－射线衍射（XRD）表征其结构。以敌敌畏溶液等为体系，考察了TiO2/SiO2的催化性能，同时与单一的锐钛型TiO2作对比。结果表明，TiO2/SiO2具有比TiO2更强的光催化性能。     

电熔镁锆合成料中SiO2的赋存形态及分布特征

研究了以轻烧氧化镁和锆英石为原料,以电熔法合成的ＭｇＯ－ＺｒＯ２复相材料中ＳｉＯ２的赋存形态。结果表明：系统中占（３０～４０）％的ＳｉＯ２成分与ＭｇＯ反应形成镁橄榄石相（Ｍ２Ｓ）,余下的ＳｉＯ２成分将进入玻璃相,且玻璃相的组成与钙镁橄榄石的理论组成大致相当。     

四吡咯化合物磁性SiO2载药微球的制备和表征

采用溶胶-凝胶法制备出一种光动力学药物磁性SiO2载药微球复合体.制备出的磁性载药微球基本为圆形,直径大约为30～50nm.通过观察紫外图谱,可以证实药物被包裹在微球中,利用紫外标准曲线估测其包封率为22.03%.利用对-亚硝基二甲基苯胺(RNO)的脱色反应检测光动力学效应,RNO在440nm处的紫外吸收值的下降表明光动力学药物在发挥作用.试验结果表明,这种磁性SiO2载药微球在光动力学治疗方面有着潜在的应用.     

SiO2/PSt纳米复合微球的制备

用Stober方法合成了SiO₂/PSt纳米微球, 并对其进行表面改性. 以SiO₂纳米微球为核, 采用乳液聚合法, 合成了SiO₂/PSt纳米复合微球. 该复合微球粒径均匀、 单分散性好. 通过控制反应条件, 可以合成不同大小的复合微球. 对两种微球的形貌、 尺寸、 所携带官能团及表面元素变化情况进行了表征, 讨论了SiO₂纳米微球用量、 乳化剂用量与反应介质配比等因素对SiO₂/PSt纳米复合微球粒径的影响.     

SiO2对重力分离-SHS法制备Al2O3/Fe复合管组织的影响

采用重力分离-自蔓延高温合成(Self-propagating High-temperature Synthesis，简称SHS)法制备了Al2O3／Fe陶瓷内衬复合管。分析了添加剂SiO：对复合陶瓷层的相组成、陶瓷层的表面质量以及对Al2O3／Fe过渡层的影响。XRD分析表明，陶瓷层主晶相为α-Al2O3、FeAl2O3，加入SiO2后可形成Al2SiO3硅线石。SEM观察发现，SiO2的加入量过多会降低过渡层的质量，使过渡层变薄，结合形式由冶金结合变为机械结合。