正弦色散对一维声学激子能量的影响

采用顾世洧处理体内激子方法，把Ｗｉｌｓｏｎ提出的一维极化子哈密顿量推广到一维激子，并考虑了声子的色散效应，运用微扰法计算正弦色散时一维声学激子基态能，与无色散时一维声学激子，极化子做了比较。     

Ⅲ族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响

在有效质量近似下，运用变分方法，考虑内建电场效应和量子点（QD）的三维约束效应的情况下，研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明：当类氢施主杂质位于量子点中心时，对于InxGa1-xN／GaN量子点，量子点高度和In含量存在临界值，当参数大于临界值时，约束在QD中束缚激子的结合能升高，激子态的稳定性增强，提高了激子的离解温度，使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN／AlxGa1-xN量子点中激子的结合能升高，载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN／AlxGa1-xN量子点，杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时，束缚激子的结合能最大，系统最稳定；随着施主杂质下移，激子结合能减小，激子的离解温度下降。     

晶体薄膜中激子的有效半径与能级结构

应用等效哈密顿方法［１］研究了晶体薄膜中Ｗａｎｎｉｅｒ激子的能级结构。但本文中考虑了激子有效半径随薄膜厚度的变化及其对能级结构的影响。具体对ＧａＡｓ晶体薄膜作了计算。得到了不同薄膜厚度下激子的结合能和基态、第一激发态的能量。     

二维双激子束缚能的研究

用简单的几何模型计算限双激子体系的束缚能，得到二维双激子与单激子的束缚能比率随σ＝ｍｅ＾＊／ｍｈ＾＊从０．３２４到０．２２８之间变化，与前人的实验和理论结果符合较好。     

介观系统具有椭圆轨迹激子的能级宽度

应用准经典粒子理论和量子力学测不准关系，得到具有椭圆轨道激子的能量测不准量和能级宽度．基于上述计算结果，发现椭圆激子轨道的偏心率很小，其轨迹接近于圆．对于偏心率较大的激子很容易离解，其寿命非常短，存在几率很小；文中对激子半径，寿命等计算数据能与实验非常好的吻合．     

量子点限制对束缚激子基态能和结合能的影响

用变分法计算了ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ材料中束缚激子的基态能和结合能，并对计算结果进行了讨论，得出当量子半径取适当数值时人们有可能在更高温度下观测到量子点中的激子的结论。     

电场调谐InAs量子点激子精细结构劈裂

在低温5K下,采用光致发光光谱及外加偏压调谐InAs量子点激子精细结构劈裂,研究了不同量子点激子的精细结构劈裂值大小,以及垂直电场有效地调谐激子的精细结构劈裂.对于具有较小精细结构劈裂的量子点样品,外加偏压可以使其精细结构劈裂值减小到小于激子的本征光谱宽度,从而实现基于单双激子纠缠态的制备.     

RGS中a—STE及原子解吸的机理研究

在单电子Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似的基础上采用扩展离子方法研究ＲＧＳ中原子型的激子驰豫及所导致的激发态原子解吸机理。研究表明激子－晶格相互作用在解吸过程中起着重要作用。研究结果是位于表面的及表现下一层的原子型激子，可通过空腔解吸机理导致激发态Ｎｅ原子的解吸，却不可能导致激发态Ｋｒ原子的解吸，这与它们的体内ａ－ＳＴＥ周围能否形成空腔有关。     

抛物阱中极化子效应对激子的影响

研究了抛物阱中极化子效应对激子的影响．利用变分法计算了重空穴激子和轻空穴激子的基态能量及其能量移动，所采用的是含有三个变分参数的无分离的试探波函数，结果发现考虑LO声子效应的重空穴激子的基态能量高于裸激子的基态能量，而考虑LO声子效应的轻空穴激子的基态能量低于裸激子的基态能量．     

厚度为d的薄膜中激子及其边界极化对其能级的影响

研究了在厚度为d的薄膜中的激子能级和由于边界极化效应对激子能级的影响；这种影响归结为电子和空穴的镜像电荷对电子与空穴的相互作用．结果发现，这种相互作用对激子的能级有所降低以及对有机薄膜和无机薄膜（它们的介电常数不同）的材料，这种相互作用对激子能级的影响大不相同．     

三元混晶中的Wannier激子的有效哈密顿量和束缚能

本文研究了三元混晶A_xB_(1-x)C中的Wannier激子与LO-声子的作用,导出了有效哈密顿量,在x=0,x=1的极限下它能完全蜕化成相应的二元晶体的有效哈密顿量,在大半径的情况下,对弱束缚的Wannier激子的基态能,束缚能,激子半径等参量以Al_xGa_(1-x)As为例进行了计算.     

半导体量子点非本征吸收区的三阶极化率

通过变分法计算了量子点激子基态能量和偶极跃迁振子强度,分析了半导体量子点在非本征吸收区的三阶极化率.量子点中激子的基态能量随量子点半径的增大而单调减小,这是量子尺寸效应的反映;量子点中由基态到激子基态的跃迁振子强度,随量子点半径的增大而单调增大;在弱受限量子点情况下,三阶极化率的实部和虚部都是负的,对应于非线性光学自散焦效应,其绝对值随入射光频率的增加而增加,且随量子点半径的增大而增大.     

二维Frenkel激子有效质量与温度的关系

本文计及晶格的原子结构讨论了二维Frenkel激子的性质。用二次量子化方法处理晶格振动及其与激子的相互作用,导出了二维Frenkel激子的自陷能以及它的有效质量与温度的关系。     

强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响

在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Ｒｙｄｂｅｒｇ能量Ｒ＾＊比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。     

夫伦克耳激子的运动

本文从晶格模型出发,同时考虑周期场和电子-声子相互作用对激子能态的影响。夫伦克耳激子在晶格中运动有两种不同方式:在低温区,是能带传递;在高温区,是跳跃过程。     

用变分拟合方法计算电场下锯齿型多量子阱的激子结合能

采用一种变分拟合的简单方法计算了电场下锯齿型多量子阱的激子结合能,对计算结果给出了合理的解释     

III族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响

在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对III族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心时,对于InxGa1-xN/GaN量子点,量子点高度和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中束缚激子的结合能升高,激子态的稳定性增强,提高了激子的离解温度,使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/A lxGa1-xN量子点中激子的结合能升高,载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN/A lxGa1-xN量子点,杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时,束缚激子的结合能最大,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子结合能减小,激子的离解温度下降。     

一维激子-光学声子系统

本文讨论一维晶体中激子通过形变势和光学声子的相互作用,分别导出强,弱耦合激子基态的有效哈密顿量和重正化有效质量。在强耦合情况下,一维激子的自能及重正化有效质量是α的降幂级数,其首项为α的一次方。在弱耦合情况下,一维激子的自能及重正化有效质量是α的一次函数。     

闪锌矿GaN/Al0.15Ga0.85N量子点的光学特性

在有效质量近似条件下,利用变分法计算了量子点高度对GaN/AlGaN量子点光学性质的影响。研究了激子结合能、量子点发光波长、电子-空穴复合率随量子点高度的变化关系。数据结果表明量子点高度对激子结合能、量子点发光波长、电子-空穴复合率有着重要的影响,激子效应将使量子点发光波长红移。     

链间耦合对聚合物分子中激子形成的影响

从紧束缚模型出发,研究了聚合物分子中链间耦合对激子形成的影响.结果表明:光激发后耦合分子体系中形成的激子态有两种可能的分布:一种是激子在强耦合下仍主要局域在一条链中（称为链间定域激子）;另一种是激子在链间平均扩展（称为链间扩展激子）.通过计算链间耦合强度对这2种激子态的产生能和束缚能的影响,发现耦合体系中激发的电子－空穴更容易复合形成链间定域激子.另外,通过分析链间耦合强度对激子束缚能的影响,表明聚合物分子之间的耦合不利于激子形成,因此固态薄膜的光致发光效率要低于其溶液状态.