微波介质陶瓷的低频介电特性

通过对一系列ＢＬＴ系陶瓷材料的低频介电频谱和介电温谱的测试和分析,不仅为在低频下测试介电常数ε和介电常数的温度系数τ,来估计其微波性能提供理论依据,也为检验微波介质陶瓷工艺完善性提供一种方法。     

PTCBaTiO3半导陶瓷介电迟豫特性

实验发现，掺Ｍｎ的ＰＴＣ钛酸钡样品损耗因子在样品的温度高于其居里点后，首先随温度缓慢变化，然后在某一温度处开始增大，其原因是：外场频率ω〈ω１（ε）时，ε１（ω）是ω的增函数，温度增加时，τ迅速下降，故Ｄ增加，由此可知，随着温度增加，Ｄ首先缓慢变化，然后在某一温度处，迅速增加。     

CaCu_3Ti_4O_(12)基高介电常数材料

陶瓷电容器的小型化要求电介质有更高的介电常数.CaCu3Ti4O12是新近发现的一种高介材料,其相对介电常数在104量级.作者研究了固相反应制备CaCu3Ti4O12的反应进程,包括中间相的产生和消失,制备单相CaCu3Ti4O12的工艺条件.研究了多种离子在钙钛矿结构中的掺杂取代及对介电性能的影响,特别是降低介电损耗的方法.     

高储能密度电容器复合介质材料的研究

对高储能密度电容器复合介质材料作了研究。采用介电陶瓷／有机聚合物作复合介质材料的实验中，研究了复合材料的介电系数与组成成分的关系，研究发现，ε随陶瓷成分的增加而增大，并且存在一个临界组。     

微波介质陶瓷介电性能的理论分析

讨论了微波介质陶瓷的相对介电常数与电介质极化之间的内在联系,分析了微波介电损耗的机理。     

微波介质陶瓷的低频介电特性

通过对一系列BLT系陶瓷材料的低频（103～107Hz）介电频谱和介电温谱的测试和分析,不仅为在低频下测试介电常数ε和介电常数的温度系数。来估计其微波性能提供理论依据,也为检验微波介质陶瓷工艺完善性提供一种方法．     

不均匀介质介电常数的计算

本文提出了不均匀介质介电常数的计算模型,据此进行了计算,导出了多组份统计混合分布的不均匀介质介电常数的一般公式,并进行了实验校核,与计算结果一致。与早先一些学者提出的计算公式比较,本文导出的一般公式具有广泛的适用性。     

微波介质陶瓷的点缺陷与性能

介绍了显微结构中的点缺陷对微波介质陶瓷性能的影响,用适当的工艺提高陶瓷材料的微波介电性能.     

介质界面处的介电常数与场强的计算

给出了介质界面处的介电常数和场强的计算公式,并通过论证结论的正确性,澄清了对介质界面处电场强度的错误认识。     

微波频率下木材介电常数和损耗的测量

<正> 木材介电性质的研究,不仅对木材的工业加工、人造板生产有现实意义,还有助于研究木材的分子结构、各向异性,为更合理、充分地使用木材提供理论根据。 音频下木材的介电性质很早就有研究,射频下木材介电性质的研究,国内外在五、六十年代也开展过。但在超高频微波领域,材料介电性质的研究尚存在各种困难,尤其木材在此频率下介电性质的研究国内还未开展。作者就常温下,对平衡含水率时的杉木介电常数和损耗(tgδ)作了初步测试。其测量方法和数据仅供参考,以期我们的试探能引起有关部门和单位对木材在微波频率下介电性质的更深入的研究。 介质材料的复数介电系数     

与畴界有关的介电损耗、介电常数和内耗研究 1实验部分

对KDP和TGS晶体的介电研究(f=1KHz～10KHz)表明,在Tc附近存在两个介电损耗峰(P_1′,P_2′),P_1′峰总是出现在Tc,表明它与相变有关,p_2′峰出现在Tc以下5℃左右,是与畴界粘滞运动有关的驰豫蜂,KDP晶体的内耗研究同样表明,在Tc附近存在两个内耗峰(P_1,P_2),p_1峰出现在Tc,与相变有关;P_2峰在Tc以下10℃左右,与畴有关的静滞后内耗峰,对TGS晶体,在铁电相观察到与畴界运动有关的介电常数增加,并且对此进行了讨论。     

冻土介电常数的实验研究

探讨了冻土介电常数的测量方法,通过实验初步研究了冻土介电常数随频率、温度和含水量的变化规律.     

测量介电常数的一种新方法

提出了利用５５５单稳电路和示波器测量绝对分电常数ε０和一些材料的相对介电常数εｒ的一种新方法．     

复合掺杂对BaTiO3瓷介电常数温度特性的影响

研究了Ｄｙ－Ｎｂ、Ｃｅ－Ｎｂ氧化物复合掺杂对ＢａＴｉＯ３瓷温度特性的影响。结果表明，能使ＢａＴｉＯ３瓷的介电常数－温度关系曲线变得相当平缓。对造成此结果的原因，进行了理论分析和讨论。     

两种系列极性玻璃陶瓷的低温介电和热释电性

在１０Ｋ～３００Ｋ温度范围内研究了Ｂａ２ＴｉＳｉ２Ｏ８和Ｓｒ２ＴｉＳｉ２Ｏ８极性玻璃陶瓷的个电和热释电性．Ｂａ２ＴｉＳｉ２Ｏ８玻璃瓷的室温热释电系数达到－７．０×１０－６Ｃ／ｍ２、Ｋ，具有良好的低温热释电性．含ＳｒＴｉＯ８结晶的Ｓｒ２ＴｉＳｉ２Ｏ８极性玻璃陶瓷的室温热释电系数仅为－１．８×１０－７Ｃ／ｍ２·Ｋ，而且其绝对值在１００Ｋ以下较快地变小，并在４０Ｋ以下出现正值，它可能是由于ＳｒＴｉＯ８结晶发生结构相交的结果．     

LiTa_xNb_(l-x)O_3晶体的低温介电性和热释电性

研究了LiTa_xNb_(1-x)O_3单晶在300K至40K温度范围內的介电和热释电性质。介电常数和热释电系数两者都随温度降低而下降,无反常变化。在300K至200K范围内热释电伏值保持相当高的数值,这具有实用价值。     

PZN基陶瓷超低频介电弛豫的研究

采用线变零起始电压法，对Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３基陶瓷样品在－１５０～１６０℃温度范围内的超慢介电弛豫进行了详细测试；并结合普适型弛豫函数进行了实验数据的有效拟合，实现了介电常数从时域向频域的傅利叶转换，从而得到该样品的超低频（１０－５～１０－１Ｈｚ）介电频谱、温谱．观察到该样品的超低频介电温谱在居里温度点１１０℃附近存在扩散相变温区，并且在相变温区以下表现出明显的弛豫弥散现象、用热刺激电流（ＴＳＣ）得到样品的弛豫激活能Ｅ和本征驰豫时间τ０，并对其弛豫极化机制进行了讨论．     

低压下高共模输入范围恒定增益的CMOS输入级的研究

本文报道了工作在低压下 ,用于 CMOS运放的输入级 .它具有高的共模输入范围 ,以及在共模输入范围内基本恒定的放大倍数 .为了达到高共模输入范围 ,我们采用了 N/P互补差分对 .为了获得共模范围内基本恒定的放大倍数 ,我们采用了开关管和电流镜 ,对在共模范围两端只有一对差分对工作的情况下的电流进行四倍的电流补偿 .PSPICE模拟结果表明 ,当电源电压为± 2 V时 ,该输入级的共模输入范围为 -2 V～ 2 V.