锑铌施主掺杂对BaTiO3基LPTC电阻的影响

研究了Sb2O3,Nb2O3不同施主掺杂BaTiO3基热敏LPTCR性能,对掺Sb2O3和掺Nb2O3的热敏陶瓷复合制得的LPTC进行了研究,对其机理进行了讨论。     

改性剂Sb对BaTiO3基PTCR陶瓷电学性能的影响

以溶胶－凝胶一步法合成了含有改性剂Sb的BaTiO3基正温度系数电阻（positive temperature coefficient of resistivity,PTCR)陶瓷,着重讨论了改性剂Sb掺杂量的变化对PTCR陶瓷电学性能的影响。结果表明,随改性剂含量的增加,材料的室温电阻率（ρ室）、电阻－温度系数（α）、耐电压强度（VB.max)均呈现“W”形变化。     

BaTiO3陶瓷的PTC效应

对不同掺杂的BaTiO3基陶瓷的电性能、界面形态、氧元素分布特点以及电畴结构等进行研究发现:瓷体半导化速度很快,烧成温度是影响瓷体半导化速度的最重要因素;氧在晶粒晶界的偏析,并且对势垒的形成有重要作用;样品掺杂的元素不同,电畴结构会发生一定变化,畴结构和电阻起跳性存在一定关系.     

Y3+,Mn2+掺杂BaTiO3陶瓷晶界特性研究

PTC陶瓷的晶界特性对材料的电性能有重要影响,通过对Y,Mn掺杂钛酸钡陶瓷的电性能与晶界形态及元素分布关系的研究发现,施主掺杂量和Ca元素的掺杂量对晶粒的发育有一定影响;晶界对PTC性能有重大影响,杂乱的晶界不利于PTC效应,洁净的发育良好的窄晶界有利于PTC效应;能谱分析发现,陶瓷中不同部位的元素分布存在一定的规律.     

掺杂稀土元素对BaTiO3系统介电性能的影响

研究了稀土氧化物Sm2O3及Gd2O3的掺杂对细晶BaTiO3系统介电性能的影响。稀土添加剂Sm2O3的掺杂可以形成化学均匀性系统，对居里峰有明显的改善作用；Gd2O3的掺杂可以形成化学非均匀性系统即壳—芯结构，这可以使细晶BaTiO3系统获得理想的介电性能，满足X7R特性。     

Dy2O3掺杂对BaTiO3陶瓷结构与性能的影响

对水热法合成的BaTiO3粉体进行稀土氧化物Dy2O3掺杂改性,利用扫描电镜、X射线衍射及电气性能测试等手段,分析了离子取代行为和晶格参数与固溶度之间的关系,重点研究了Dy2O3掺杂量对BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸、介电性能的影响规律.结果表明,Dy2O3在陶瓷的烧结过程中可抑制晶粒生长,使晶粒尺寸变小,提高了陶瓷的致密度.当掺杂量w(Dy2O3)为0.6%时,陶瓷晶粒的晶格常数达到最大值,此时晶粒内部缺位浓度最低,常温介电常数提高到4100,在-15～100℃范围内,介电常数随温度变化率为±10%,交流击穿场强为3 2kV/mm.     

烧结工艺对BaTiO3基PTC热敏电阻材料性能的影响

为了优化PTC材料的性能,促进PTC材料的研究和开发.实验采用低温固态反应合成了Y,Mn掺杂纳米钛酸钡固溶体粉体,详细研究了各种烧结工艺对其PTC(正温度系数)材料性能的影响.利用XRD和TEM分析了样品的物相及微观形貌,并测试了R-t(阻-温)曲线.实验表明:在C还原气氛下烧结可有效地降低室温电阻,但几乎没有升阻比;...     

锑铌施主掺杂对BaTiO_3基LPTC电阻的影响

研究了 Sb2 O3,Nb2 O5 不同施主掺杂 Ba Ti O3基热敏 LPTCR性能 ,对掺 Sb2 O3和掺Nb2 O5 的热敏陶瓷复合制得的 LPTC进行了研究 ,对其机理进行了讨论。     

Ca^2＋掺杂对PTCR元件电性能的影响

研究了Ｃａ＾２＋取代Ｂａ＾２＋后对ＰＴＣＲ材料电性能的影响，发现随着Ｃａ＾２＋含量的增加，ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣＲ样品的平均晶粒直径单调下降，耐电压性能单调上升。Ｃａ＾２取代量在一定范围内，常温电阻率变化不大，但超过一定值后，常温电阻率急剧上升，这种现象与晶界缓冲效应有关。     

量子阱中的双施主态杂质能级的束缚极化子效应

由于量子阱中的浅施主杂质的研究对杂质能级的性质以及量子阱本身性质的研究都提供了有用的信息,因而近来对极性半导体量子阱中的极化子(不仅是自由极化子而且也对束缚极化子)的行为的研究受到人们的重视.不过以前人们将注意力仅仅放在类氢施主杂质上[1,2].显然考虑类氦施主杂质无论从理论上或是从应用上都是必须的.     

液相铌掺杂BaTiO3基PTCR陶瓷材料的研究

目的研究液相掺铌对BaTiO3系PTCR陶瓷材料电性能的影响。方法采用溶胶-凝胶一步法工艺和不同的降温速率。结果获得了室温电阻率2ρ5℃=28.93Ω.cm,升阻比Rmax/Rm in>1×106,阻温系数α30>15.00×10-2/℃,耐压强度Vbr>210V/mm,居里温度Tc=130℃的PTCR陶瓷材料。结论施主元素Nb以液相的形式添加分布更加均匀,材料的室温电阻率随施主元素Nb掺杂量增加呈U形变化,适量掺杂施主元素Nb可明显提高材料的PTCR特性,加快降温速率会明显削弱材料的电性能。     

还原气氛热处理对 BaTiO_3 热敏电阻性能的影响

对常温阻值大于标称阻值ＰＴＣＲ热敏电阻在还原气氛中（氧分压ｌｇ｛ｐＯ２｝Ｐａ＝－４．１１０６～－４．０５４７）于６００℃，８００℃和９００℃分别处理２ｈ，４ｈ和６ｈ，对处理后的热敏电阻电性能及老化特性进行了研究．结果表明，在满足产品电性能要求的前提下，还原气氛热处理在一定程度上可以调整ＰＴＣＲ热敏电阻的常温阻值，提高产品的合格率．     

钛酸钡的制备及光催化性能研究

溶胶-凝胶法制备了纳米BaTiO3,用XRD、SEM分析了BaTiO3的表面形态、结晶度和粒径等,在紫外光下,以甲基橙为被降解物对其光催化活性进行了评价.结果表明,制备得到的钙钛矿型BaTiO3,颗粒较均匀,结晶度好,其粒径约为52.4nm,样品有严重的团聚.在紫外光下,BaTiO3对甲基橙溶液有较高光催化活性,当甲基橙溶液初始浓度为10mg·L-1、pH=3、光催化剂用量2.5g·L-1、通空气量20 L·h-1、光催化反应1h后,甲基橙的光催化降解率可达81.63%.     

在NaCl-KCl熔盐中合成BaTiO_3时体系电导率的变化

用交流阻抗谱法测量了771℃时共晶成分的NaClKCl熔盐中加入TiO2和BaCO3时体系电导率的变化,准确给出了771℃时共晶成分NaClKCl熔盐的电导率为1868Ω-1cm-1,确认了在NaClKCl熔盐中,TiO2与BaCO3反应生成BaTiO3时熔盐不参与反应·实验数据表明,771℃时TiO2与BaCO3在共晶成分的NaClKCl熔盐中的溶解过程可在10min达到平衡·     

Gd掺杂对0.7BiFeO_3-0.3BaTiO_3固溶体的结构和性能的影响

采用固相法合成了0.7BiFeO3-0.3BaTiO3-xmolGd2O3固溶体(x=0,0.003,0.006,0.009,0.012).XRD测试结果显示:0.7BiFeO3-0.3BaTiO3在室温下是赝立方相,Gd2O3的掺入抑制了四方相的形成,随着Gd3+掺入量的增加,样品结构从赝立方相向三方相转变.介电性能测试表明:较高频率下,相对于其它样品,掺杂量为0.009和0.012的样品的介电性能明显提高;介电损耗随掺杂量增加明显增大.同时相关测试结果显示:Gd掺杂使样品的介温曲线变平缓,尤以掺杂量为0.009样品最为明显,其介电损耗曲线变化亦较缓慢,表明该样品介电性能的稳定性有较大提高.     

锶掺杂对BaTiO_3薄膜粒径与结晶温度的影响

采用溶胶-凝胶法制备了钛酸钡和掺锶钛酸钡薄膜,结合DTA-TGA,XRD和SPM等分析手段,重点考察了锶掺杂对薄膜的结晶温度、粒径和晶胞参数的影响,发现随着锶含量的增加,Ba1-xSrxTiO3薄膜中晶体的晶胞参数逐渐减小,且锶的掺入可降低薄膜的结晶温度、减小粒径和粗糙度.     

La3+掺杂对BaTiO3纳米陶瓷微观结构及其性能的影响

采用sol-gel法制备了La^3＋掺杂BaTiO3纳米陶瓷．用DTA-DTG，XRD，PAT和PIA等对目标产物进行分析测试．研究结果表明，在800℃下煅烧2h得到粒径约为50～70nmBaTiO3纳米粉体，La^3＋的掺杂可以降低BaTiO3纳米晶体的烧结温度并使其晶格发生收缩畸变,当0≤x≤0．2，产生弱束缚电子从而导致电阻率降低；当0．2≤x≤0．4产生钡空穴从而导致电阻率升高．     

Au/BaTiO3/SrRuO3异质结的制备与电致电阻效应研究

异质结的高低阻态可以分别代表逻辑＂0＂和＂1＂,从而实现二进制数据存储.采用磁控溅射法制备Au/BaTiO3/SrRuO3异质结.研究结果表明在不同工艺条件下制备的BaTiO3薄膜均具有（002）择优取向.电学测试表明：在较低气压下制备的薄膜,异质结中可以实现可逆的单极性到双极性电阻转变;在较高气压下制备的薄膜,异质结中可以实现不可逆的非对称双极性电阻转变.这些实验结果可以用界面调制的随机断路器网络模型统一解释.     

Adjustable character of microwave attenuation in BaTiO3 electrorheological fluids

The behavior of microwave attenuation in BaTiO3 electrorheological fluids is studied when considering microwave propagation in the directions perpendicular and parallel to the particle chains, respectively. In the former case, the microwave attenuation increases with field strength when the particle concentration is low, and the increase of the particle concentration can also increase the microwave attenuation. However, when the particle concentration exceeds a critical value, the attenuation will first increase then decrease with field strength. At the same time, the higher the field strength, the greater the change of microwave attenuation. Moreover, there is a saturation field strength. When the field strength is lower than the saturated one, the change of microwave attenuation is fast. On the other hand, in the case of microwave propagation parallel to the particle chains, the microwave attenuation increases with the field strength monotonously. In addition, the variation of microwave attenuation with the field strength shows relaxation effect. The adjustable character of microwave attenuation in BaTiO3 ER fluids can be attributed to the dielectric changes resulting from the field-induced-structural transformation and the polarization of BaTiO3.