在宇宙线研究中发现正电子

本世纪30年代,核物理学、量子场论和宇宙线三方面的研究逐渐汇合在一起,形成粒子物理学研究的大趋势。关于正电子的理论及实验方面的工作,可以说是反映这种趋势的一个事例。     

Fe-Si-Al合金的正电子湮没研究

因为Fe-Si-Al合金的优异磁性能,不仅在电子工业上得到多方面的应用,而且它的机理研究也受到十分重视。本文在其他作者工作基础上用正电子湮没技术首次对Fe-Si-Al合金中的空位对有序影响进行了研究。     

正电子湮没和固体的缺陷

从正电子的发现说起正电子这个科学概念,首先是狄拉克从相对论量子力学的观点引出的。他在求解自由电子的相对论波动方程时,得出自由电子的解除了具有正能量之外,还可以具有负能量。这按经典力学的观点来看是很难理解的(因根据质能关系E=mc~2,能量E为负值,则其质量m也为负值)。设电子在正能态时是吸引力,则     

用正电子湮没研究中子辐照Si

硅在能源技术应用中是很重要的材料,随着离子注入技术发展和对掺杂兴趣增加,了解由于粒子辐射而造成辐射损伤引起的空位与退火温度关系是非常重要的.在研究半导体缺陷中,正电子湮没方法是非常有用的方法,因为捕获正电子湮没的特性是受缺陷电荷影响,研究结果表明在半导体中,正电子能被辐射损伤缺陷所捕获.本工作是用正电子湮没寿命来研究经过中子辐照后的单晶硅,未退火及在400～1150℃范围内退火的空位变化情况,讨论了捕获模型.1 实验     

用正电子湮没研究ZnO陶瓷电阻器

ZnO压敏电阻器是以氧化锌为主体,添加其它少量氧化物制成的非线性电阻器,其伏(特)安(培)特性为非线性,也就是施加在ZnO材料的电压低于击穿电压时其电阻很大,几乎为绝缘体,只流过很小漏电流,当电压超过|V_A|(瞬时过电压)时,其电阻大大地减少,电流大幅度地增加。如图1所示,正常态因ZnO电阻大,电流按A回路走,所以起动了机器,当电压加到ZnO的|V_A|时,即达到瞬时过电压后,此时ZnO的电阻突然变得非常小,几乎等于零,这时电流走B回路,因而起到保护仪表或机器的作用。所以ZnO电阻器是一种瞬时过电压抑压器。 ZnO压敏电阻器的导电机制和组分微观结构等问题在国外虽然研究得十分活跃,但尚未搞清楚;国内在这方面的研究报道得也很少。ZnO陶瓷的非欧姆性质是由在ZnO晶粒之间的高电阻晶界层引起的。     

二茂铁铁氰化钾电荷转移盐的正电子湮没研究

对有机导电体的研究在70年代已形成了一新兴的研究领域,80年代又发展到有机超导的研究。电荷转移盐是有机导体中的一大类,它显示有一维金属的性质。我们对新材料二茂铁铁氰化钾电荷转移盐进行了正电子湮没寿命测量,由此分析其结构和导电机理。     

BSCCO超导单晶的正电子湮没研究

一、引言 正电子是研究固体电子结构,固体缺陷和相变的灵敏探针。对超导体而言,BCS理论预言,Cooper对的形成导致k空间占据态的重新分布,从而引起费米面的模糊。理论预计费米面的模糊将使超导态的正电子寿命增加,湮没辐射Dopper展宽能谱的线形参数S下降。     

正电子发射扫描在精神病研究中的应用

近十年来,生物精神病学有了长足进步,特征之一是:各种新的诊断手段不断涌现。但从当前科技迅速发展的趋势来看,几乎所有的现代诊断手段均向着电子计算机化发展,虽然它们的方法各异,但都是以图像重建和荧屏映象再现的直观描述的形式提供给临     

Ti-Ni合金中点缺陷的正电子湮没探讨

一、前言 金属合金淬火处理后存在非平衡的点缺陷。具有形状记忆和超弹性效应的等原子百分比Ti-Ni合金及其元件产品往往需要用淬火和快速降温工艺进行预处理,这就意味着点缺陷对形状记忆效应(或热弹马氏体相变)起了不可忽视的作用,有人曾提出点缺陷是马氏体相变的一个控制因素。无庸置疑,搞清Ti-Ni合金中点缺陷无论对相变机理,还是对实际应用研究     

大型电子-正电子机——深思熟虑而后行事

大型电子一正电子机(LEP)正在欧洲原子核研究组织(CERN)兴建中。它的物理学议事日程最早在七十年代后期就开始流传了,那时,Z~0和W~±完全是一种理论上的粒子,可是格拉肖、萨拉姆与温伯格的电-弱理论的弱力部分就是需要它们。既然这些粒子都已经在CERN利用质子-反质子(P(?))碰     

位错心线性膨胀模型的正电子湮没特性

一、导言 Arponen等提出的位错模型(以下简称A-模型)相当好地和变形Al的正电子(e~+)湮没实验结果符合,但用空心柱孔模型(以下简称C-模型)也能够给出同样好的结果。这说明位错e~+湮没效应的主要贡献来源于位错中心区域,凡是主要考虑位错心的模型均能给出接近实验的结果。然而,C-模型描述位错心过于简化,例如它的离子密度分布在柱孔边界上发生突     

正电子湮没率的Laplace逆变换分析及应用

正电子湮没寿命谱是研究凝聚态物理的一个有力手段,它能提供有关物质的电子结构,电荷密度分布,缺陷等许多有用的信息;已被广泛地应用于固体物理,化学及材料科学等许多领域.实验得到的寿命谱是随时间指数衰减的理想寿命谱与仪器分辨函数的卷积.从原始的实验数据中抽取出具有物理意义的信息,即正电子湮没寿命谱的分析,一直是一个十分困难的问题.传统的寿命分析方法通常需要假定正电子是从有限个状态湮没,从而将正电子寿命谱分解成为有限个指数衰减函数的和与仪器分辨函数的卷积:     

工作于磁场中的正电子寿命谱仪的改进

一、引言 在已往的电子偶素(正电子和电子形成的类似氢原子的束缚态)磁猝灭实验中,有关正电子寿命谱仪的探测器经常采用塑料闪烁体或BaF_2闪烁体,由于光电倍增管不能在磁场中正常工作,毫无例外地使用长光导连接于闪烁体和光电倍增管之间,结果谱仪的时间分辨率明显     

嵌段共聚物胶束形成的正电子湮没研究

嵌段共聚物被誉为高分子合金,有着广泛的用途.嵌段共聚物在选择性溶剂中的胶束形成及其行为多年来引起人们广泛的注意.尽管至今用了许多实验手段进行了研究,然而对于这种胶束生成的微观过程的了解还是很不够的.正电子湮没技术对溶液中胶束的生成是十分灵敏的.本文对二嵌段共聚物聚苯乙烯-二甲基硅氧烷(PSDMS)/正庚烷胶束溶液体系作正电子湮没寿命参数测量,研究胶束形成对o-P_s生成机率的关系,为这类嵌段共聚物胶束形成微观机制提供证据.     

高纯铝中不同应变速率拉伸的正电子湮没研究

一、引言 一般地讲,金属发生变形时,随着形变量的增加,正电子参数增加,小形变量时,参数增加显著;形变量达到一定程度;参数将趋于饱和。Park等在研究高纯铁单晶的变形时发现,正电子寿命与形变量的变化规律随形变方式(拉伸、弯曲、冷轧)而变。在形变方式相同而     

γ-辐照高聚物的正电子湮没寿命谱研究

用正电子湮没寿命谱(PALS)研究高聚物凝聚态结构和转变过程已有一些报道.在高聚物中,正电子可以以自由状态存在,也可以与分子电子形成束缚态,即电子偶素(Ps),此二者都优先局域于电子密度较低的区域,如自由体积中,因其湮没寿命与电子密度成反比,因此其湮没的结果能反映有关自由体积的信息.一般认为PALS中最长寿命成分(对应于正态Ps或o-Ps的湮没)其寿命τ_3反映自由体积的大小,其强度I_3反映自由体积的数量.     

用正电子湮没研究氢-钯系统中缺陷

用气态充氢的办法向钯中充氢 ,最大含氢量达到 0 .734(原子比 ) .通过研究正电子湮没寿命谱发现钯金属在高氢含量下 ,在充氢产生缺陷和使晶格膨胀的同时 ,样品中的H会通过Pd原子影响到正电子的湮没寿命 ,使曲线出现较复杂的变化 .     

氟化钡闪烁计数器用于正电子湮没寿命谱仪的研究

一、引言 单晶氟化钡(BaF_2)是一种无机晶体,广泛用作为光学仪器零件。BaF_2闪烁发光的光谱在紫外(3150),发光强度约为NaI(Tl)晶体的20％,发光寿命(τ=600ns)也长于NaI(Tl),所以长期以来它作为核探测器使用来说未受重视。1983年,Laval等人发现BaF_2在远紫外     

正电子湮没技术及其在现代生物学研究中的应用

量子生物学已经萌芽。有人预料,亚分子生物学(submolecular biology)或电子生物化学(electronic biochemistry)必将发展,从电子水平上探讨生命活动规律及其本质是必然趋势。正电子湮没技术(positron annihilation technique,PAT)是研究物质微观结构的一项实验技术,也是研究生物大分子及生     

用正电子湮没研究Al-Ni二元系中的固溶体类型

Al-Ni二元系的δ相理想成分为Ni_2Al_3,其室温的均匀范围为38.50—42.19 at.％Ni,单胞体积随Ni含量而变化,在理想成分为最小值。 Al-Ni二元系的β相理想成分为NiAl,其室温的均匀区在45.25—60.1 at·％Ni,它是由二个相互嵌入的简单立方点阵所组成,β相单胞体积随at.％Ni成分变化而变化,在50at.％ Ni处有一最大值。 本工作用正电子湮没技术研究Al-Ni二元系中δ和β相固溶体的类型。