高效快中子探测器

本文介绍了两种高效快中子探测器。第一种除探测单个中子外还可测中子簇。第二种是一个有测中子簇功能的中子能谱仪。这两种仪器都需要中子在慢化闪炼体中的能量损耗讯号及在＾５Ｌｉ中中子俘获的讯号。所有潜在的有趣事件都被波形数字化转换器记录下来，供详细分析和消减本底之用。从俘获讯号的时间离散性就可以估计这个脉冲簇中的入射中子数。这种能谱仪已用１．２至１．４１ＭｅＶ的四种中子能量进行了校准。     

Q＆A

在关于汶川地震的新闻报道中，我们往往能看到救援人员手持“生命探测器”在废墟上搜寻。这究竟是种什么仪器，它们如何起作用，又分别起什么作用？     

TDI光敏探测器扫描方向瞬时视场角的计算方法

TDI光敏探测器多用于扫描成像,评价其成像系统的分辨率常用扫描方向的瞬时视场角(IFOV)衡量 .文章首先分析了TDICCD成像仪瞬时视场角的计算方法,并在对红外TDI探测器和TDICCD的结构进行了比较后,得出红外TDI探测器瞬时视场角的计算方法,此方法也可应用于计算垂直于扫描方向的瞬时视场角.     

光声激光功率能量探测器特性的研究

在激光技术中,功率和能量是激光的重要物理参数.传统的测试仪器如碳斗功率/能量计及硅光敏二级管功率计,其使用光谱波段、灵敏度、线性动态范围等多项参数均得不到满意的统一.我们应用固体光声效应的Rosenwaig-Gersho(简称为R—G理论),用碳薄膜作吸收体,分别用微音器和PZT压电陶瓷为传感器,研制成激光功率/能量探测器,并对它的性能参数进行了实验测定.结果表明,该探测器具有灵敏度高、时间响应较快、动态范围宽、结构简单、造价低等优点,可用于常用激光器如He-Ne和TEA CO_2激光.连续及脉冲Nd:YAG激光功率/能量探测,用于红外激光光谱的探测其性能优于价格昂贵的热释电探测器.     

Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试

提出一种金属－半导体－金属Ｓｃｈｏｔｔｋｙ结构的粒子探测器，它用高迁移率，半缘绝的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积的粒子探测器。经过能量为１．５ＭｅＶ，剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的＾６０Ｃｏγ射线辐射，探测器能正常工作，是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器。     

敏兰紫光电探测器的研制

用能量是100kev，剂量为10^13cm的Zn离子，注入到n-GaP单晶补氏所制做的光电探测器，它对波长为380nm-440nm的光具有敏感性。利用俄歇能谱（AES）和x光电子能谱（ESCA），对注入剖面的杂质分布进行了研究。结果表明，注入的Zn离子，它的2p3/2电子的结合能是1021.lev，比它的标准值低0．4ev,由测试结果给出了这种光电探测器的最大量子效率是34％。     

单片式有源像素探测器简介

本文介绍了基于CMOS超大规模集成电路工艺的单片式有源像素探测器(MAPS) , 包括它的工作原理、特型、以及一些改进方案与发展的趋势。     

硅微条探测器性能的Monte-Carlo模拟

利用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ计算机模拟技术，对拟用于北京Ｔａｕ－Ｃｈａｒｍ工厂前端探测系统的硅微条控制器的物理性能进行了探讨，并为在我国研制高质量的硅微条探测器的可行性取得了一些初步的实验依据。     

硅紫外光伏探测器件响应度的研究

分析了硅紫外光伏探测器件的响应度与器件使用模式之间的关系。研究了包括网格结构在内的３种版图设计及所对应的响应度。结果表明，网格结构对改善紫外响应度的实际作用只是减小了串联电阻。细致讨论了光伏器件串联电阻的主要来源，给出了串联电阻对紫外响应度发生显影响时所对应的估算数值。     

"资源一号"卫星星内高能粒子探测器

对空间辐射环境的效应以及“星内高能粒子探测器”原理和设计做了简要而全面地介绍，引用太阳活动宁静时期和一次剧烈的太阳扰动事件期间本仪器的观测数据显示了资料的质量和可用性。     

InGaAs近红外激光雷达光电探测器研究进展

激光雷达是激光探测及测距系统的简称,它可以发射定位激光束,通过测定传感器、发射器与目标物体之间的传播距离来定位目标物体的位置,并呈现目标物体的三维结构信息。InGaAs是一种典型的Ⅲ-V族半导体材料,它在(0.35～1.42)eV范围内可调的禁带宽度使其在(0.9～1.7)μm波段具有广泛的应用,被认为是1 550 nm激光雷达探测器的理想材料。本文综述基于InGaAs的激光雷达光电探测器的器件结构、光电特性及InGaAs焦平面光电探测器在激光雷达探测领域的研究进展。目前,基于InGaAs光电探测器的最大响应度达0.57 A/W,最低暗电流低于0.75 pA/μm²,焦平面阵列已经发展到1 280×1 024,像元间距15μm。InGaAs近红外激光雷达探测器的响应波段位于1 550 nm,具有人眼安全、发射激光功率大、大气透过率高等优势,探测距离可达150 m,大视野120°×25°,在高阶辅助驾驶、无人驾驶、服务机器人等领域具有较大的应用潜力。     

羊八井第二期阵列的运行环境及发展方向

羊八井第二期阵列的运行环境及发展方向戴本忠，木钧，周文德（云南大学物理系，昆明，６５００９１）中日合作ＥＡＳ实验一期阵列建于１９８９年冬，位于西藏拉萨市以北９０ｋｍ，海拔４３００ｍ的羊八井（９０５３Ｅ，３０°１１＇Ｎ），大气厚度６０６ｇ／Ｃｍ２（１）...     

中波/长波碲镉汞探测器温度响应特性分析

以Sofradir公司的红外中波320×256和长波288×4碲镉汞探测器为研究对象,建立了中波/长波红外碲镉汞焦平面探测器响应模型.对黑体温度响应特性曲线进行建模计算,并将计算曲线与常温段实测数据对比分析,结果显示两者具有较好的一致性,表明模型有效.从测试结果与模拟结果的一致性可以推测:响应模型对焦平面探测器探测低温目标具有参考价值.     

半导体辐射探测器——器件物理

该书从最基本的原理出发，对现代迅速发展的辐射半导体探测器及相关技术进行了系统和详细的论述。它首先对半导体辐射探测器的工作原理和应用等方面作了一个直观的描述，之后再引入比较严谨和定量的分析。     

虚拟仪器在TGC探测器高压测试中的应用

TGC探测器是ATLAS探测器上的一个子探测器，主要用作ATLAS实验中的前端μ子触发器．在TGC探测器生产过程中需要对TGC探测器进行高压测试．本研究基于Labview平台设计了一套虚拟仪器，对TGC探测器高压加载情况实施自动监测，既节约了测试时间，又提高了实验结果的可信度．     

GexSi1—x／Si超晶格PIN波导探测器电输运过程分析

文章定性和定量地分析了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格ＰＩＮ波导探测器的电输运过程，具体说明了量子效率，光电流，频率响应带宽等重要参数的物理意义。并将理论分析与实验结果进行比较，结果表明，两者符合得较好。     

P-GeSi/P-Si探测器的研制

采用ＭＢＥ法在Ｓｉ衬底上生长ＧｅＳｉ异质结,制成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结探测器。测得其反向击穿电压为１５Ｖ左右,光响应为０．５ｍＡ     

用于高粒度时间分辨探测器系统上的低增益雪崩探测器原型的抗辐照性能表征（英文）

高粒度时间分辨探测器(HGTD)是ATLAS实验Ⅱ期升级的关键项目.为了应对极高的粒子径迹堆积带来的挑战(每次束流交叉对应的质子-质子对撞数的平均值可高达200)，合作组计划通过精确测量粒子径迹的时间信息(径迹时间分辨可达30 ps)，使得实验能够在“4维”空间中进行粒子径迹到作用顶点的关联.升级项目的传感器选择了可以提供所需的时间分辨率和良好的信噪比的低增益雪崩探测器(LGAD)技术.日本滨松公司(HPK)生产了厚度为35μm和50μm的LGAD原型.中国科学技术大学(USTC)也与中国科学院微电子研究所(IME)合作研发了厚度50μm的LGADs原型.为了评估器件抗辐照性能，样品在JSI反应堆设施中接受了不同剂量的中子辐照，并在USTC进行了测试.通过测量室温(20℃)或-30℃下的电流电压和电容电压曲线测量，对增益层和硅基体损伤的中子辐照效应进行了表征评估.进一步处理提取了不同辐照剂量下的击穿电压和耗尽电压，并呈现为通量的函数,最终对比了不同样品的抗辐照性能参数c系数和α系数.对辐照模型的最终拟合得到的c系数值为HPK-1.2:3.06×10^-16cm