PN结正向伏安特性随温度变化的实验设计

讨论了不同温度下PN结的正向伏安特性的测量方法,设计了利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪研究PN结正向伏安特性曲线随温度变化的实验,定性地分析了PN结正向伏安特性随温度变化的规律;利用Excel进行指数拟合测定了波尔兹曼常数,并确定了常温下PN结的反向饱和电流,从而定量地描述PN结的正向伏安特性曲线,取得了较为准确的实验结果。     

半导体PN结温度特性实验

讨论了不同温度下PN结的正向压降和伏安特性的测量方法,设计了利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪研究PN结正向压降及伏安特性曲线随温度变化的实验,定性分析了PN结正向压降及伏安特性随温度变化的规律;利用Excel进行曲线拟合测定了正向压降随温度变化的灵敏度、玻尔兹曼常数以及PN结的反向饱和电流,从而定量描述了PN结的伏安特性,取得了较为准确的实验结果。     

γ辐照对SiGe HBT特性的影响

对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管（HBT）直流特性的影响进行了研究.结果表明, γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不同程度的增加，直流电流增益减少.并对γ辐照后引起SiGe HBT集电极电流净增加的原因进行了探讨.这可能有助于其抗辐照模型的建立.     

光纤γ辐照感生损耗的研究

对几种国产光纤进行了γ辐照感生损耗谱的测量．发现光纤经辐照后，在０．６～０．７μｍ波段产生强烈吸收峰，在０．８～１．２μｍ区域感生损耗变化平缓，大于１．２μｍ有上升的趋势；同时给出了多模梯度光纤在０．８５μｍ波长下辐照感生损耗随辐照剂量变化的经验公式．γ辐照引起的顺磁缺陷中心导致光纤γ辐照感生损耗的产生．     

γ辐照对聚合物电导性能的影响

研究了几种聚合物材料（ＰＰ，ＰＴＦＥ，ＰＥＴ，ＰＩ）经过γ辐照后，电流－电压特性的变化；从辐照对材料结构的影响，探讨了辐照后材料的电导机理及空间电荷对於辐照后材料电性的影响，并由电导变化分析了材料耐辐照的稳定性     

α辐照对聚合物电导性能的影响

研究了几种聚合物材料（ＰＰ，ＰＴＦＥ，ＰＥＴ，ＰＩ）经过γ辐照后，电流－电压特性的变化；从辐照对材料结构的影响，探讨了辐照后的电导机理及空间电荷对於辐照后材料电性的影响，并由电导变化分析了材料耐辐照的稳定性。     

高压二极管中子,电子和γ辐照特征的研究

本文对加固P~ nn~ 高压整流二极管分别进行了中子、电子和γ射线不同剂量的辐照,测试和分析了辐照感生缺陷的能级位置、密度及俘获截面,并研究了材料少数载流了寿命和器件正向电压等参量的变化特征及退火行为.实验结果表明.由于采用了新工艺、新材料使器件具有良好的抗辐照性能,同时NTD材料亦显示出较好的耐辐照特性.三种不同辐照源的辐照结果反映了它们各自的损伤特征.     

Co~(60)γ辐照对半导体金-硅面垒探测器性能的影响

文献曾报导过高能带电粒子和中子对探测器性能的影响。并把性能的变化主要归结为体性质(如寿命,电阻率)的改变。本文则研究了对体性质影响较弱的r辐照对金-硅面垒探测器性能的影响。包括反向电流、噪声、分弁率、势垒电容和输出脉冲辐度的变化。并把它们相互联系起来进行了详细的分析和讨论。得出如下结论:r辐照后,前三个特性都变坏,并证明了这是由于表面漏电的增加所引起的;势垒电容变化不大,但略有减少;对目前所使用的硅材料,在低偏压时,γ辐照后,由于寿命的降低输出脉冲幅度也会降低。对这些变化都作了某些解释。     

6H-SiC γ辐照的正电子研究

用正电子湮没寿命谱(PALS)方法对经过不同剂量γ辐照的n型6H-SiC内的缺陷进行研究.实验表明,辐照可以使样品内部产生单空位缺陷Vc.对实验中得到的寿命谱的变化进行分析发现,低剂量的γ辐照对n型6H-SiC有类似退火效应的作用.这些研究结果可以为n型6H-SiC的生产及其可能的应用提供有效的参考价值.     

光纤辐照的光学滤波作用

报道了２种结构的大芯径石英光纤在辐照后的光谱特性的变化，发现掺杂光纤在γ辐照后具有光学滤波作用，由此可利用这种特性研制一种新型的光纤滤波器。     

γ射线对Ge-As-Se硫系玻璃的辐照效应

对Ge-As-Se玻璃系统,进行了高能γ射线辐照试验。结果表明:辐照使样品的密度(ρ),热膨胀系数(α)和光学带隙(Eopt)等参数产生了变化,并与组成有关。样品的组成为化学计量比时,其辐照灵敏度与As2Se3含量具有线性规律,而非化学计量比组成的样品无明显规律性关系。这是γ射线引起玻璃化学键和结构变化而产生的效应。硒化物硫系玻璃在作为剂量计材料应用方面具有良好的前景。     

CoFe/Al2O3/NiFe磁性隧道结的研究

利用离子束溅射技术制备了Ta/CoFe/Al2 O3 /NiFe磁性隧道结 ,研究了它的磁化曲线、磁电阻特性、伏安特性 ,发现它具有明显的巨磁电阻效应 .在研究电流与电压、电流与电阻特性中 ,发现了电流增大到 2 5 μA左右时隧道结呈现伪击穿现象的畸变输运行为 ,还分析了自旋相关散射对电流输运的影响     

冲击电流作用下碳纤维复合材料的导电特性

针对碳纤维复合材料(CFRP)在航空航天领域应用时的雷电损伤机理以及无损检测的问题,建立了CFRP非破坏性冲击动态伏安特性测试平台,对碳纤维复合材料的动态伏安特性的测量方法进行了研究。通过对流经CFRP上动态电流以及两端动态电压的测试,研究CFRP在非破坏脉冲电流作用下的动态伏安特性。研究发现:冲击电流的幅值、波形以及测量电极均会对CFRP的动态伏安特性产生比较明显的影响。随着冲击电流幅值的增加,CFRP的动态伏安特性曲线在电流上升阶段出现明显的向上偏移;在电流下降阶段,其所对应的动态伏安特性曲线会向下偏移直至趋于重合。当施加在CFRP上的冲击电流的持续时间变长时,明显看出CFRP的动态伏安特性上升阶段和下降阶段所包围的区域逐渐减小。当测量电极尺寸增加时,流过CFRP上的动态电流幅值增大了15%,其动态伏安特性曲线会逐渐向下移动,且随着冲击电流幅值增加,不同测量电极所对应的伏安特性曲线逐渐接近。研究结果为碳纤维复合材料在雷电直接作用时其导电行为以及损坏机理的研究提供了一定的实验基础与理论依据,为碳纤维复合材料的无损检测提供了新的实验思路。     

非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究

本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述.     

物理系电子仪器厂小批生产QT1型晶体管伏安特性图示仪

QT1型晶体管伏安特性图示仪,是一种能在示波管萤光屏上直接观察PNP、NPN型晶体管各种特性曲线簇的全晶体管化的专用仪器,还可以通过萤光屏前的标尺刻度直接读测晶体管的各项参数。1.可测下列各击穿电压及饱和电流:BV_(EBO)、BV_(CBO)、BV_(CEO)、BV_(CES)、BV_(CER)I_(EBO)、I_(CBO)、I_(CEO)、I_(CES)、I_(CER)2.可测下列共发射或共基极特性曲线簇:(1)输出特性:I_c-V_(ce)或I_c-V_(cb)(2)输入特性:I_b-V_(be)或I_e-V_(eb)(3)电流放大特性:I_c-I_b或I_c-I_e     

γ辐照PET的结构变化与偶极热松弛运动的研究

大剂量(>50Mrad)γ辐照使PET分子链断裂并导入含氧的苯环基团。短路热释电流温度谱显示α峰随辐照剂量增大向低温移动,被冻结的大分子主链链段偶极热松弛活化能和热松弛时间常数受辐照剂量的影响较小。     

反向电流对用光电效应测定普朗克常数的影响

本文提出了在“用光电效应测定普朗克常数”的实验电路中,实际上存在着阳极反向电流,并讨论了它的影响。因而阐明了实测伏安特性曲线和理论上的伏安特性曲线的偏离现象     

照影机曲线的理论

本文从理論对照影机曲綫进行了分析与研究,从实际現象出发而导出了照影机曲线的理論方程式如下: R(η_0)=integral from η_0 to w (η-η_0)/ηf(η)dη以及η_0的頻率函数为φ(η_0)=integral from η_0 to w 1/ηf(η)dη本文除了分析与討論R(η_0)曲线的具有实用价值的特性外,尚研究了1/4以下的K(η_0)曲线的近似性質,插补方法,并提出該近似曲綫方程如下: R(η_0)=α+βη_0+γη_0~2 (0<η_0≤1/4)其中α,β与γ可由已获得的R(η_0)曲线求得。此外,本文另一个主要工作是分析与批判了資产阶級的学者K.L.赫丹尔的照影机曲线的理論,指出了他的基本概念方面的錯誤的原因,并指出了他所提出的方程式所必需滿足的存在条件。最后,还提出影响R(η_0)曲线准确描绘的实际因素。     

高注量中子辐照金红石单晶电学特性的研究

金红石单晶体经中子辐照后，不仅由无色透明变为深兰色，而且导电特性发生很大变化，且由高绝缘材料变为n型半导体，作者分别在低温、室温及高温下，研究了样品电阻随温度的变化关系，并在空气和真空气氛下，对比研究了气氛对辐照后样品导电特性的影响。结果表明，金红石晶体经中子辐照后，在低温下具有典型的半导体导电特性；在高温下于空气中退火，样品会被逐渐氧化，最后变为无色的绝缘体；在10^-4Pa高真空气氛中退火，样品表现出点缺陷导电行为，且缺陷离子具有两个不同的激发能级（0.06eV和0.12eV)，分别对应子H^ 和Ti^3 ，且在整个过程中没有发现样品被氧化。     

利用PN结伏安特性测量电子电量

利用PN结正向压降温度特性实验组合仪,通过测量PN结的正向伏安特性,在PN结电流小于200μA情况下,采用非线性回归方法计算了电子电荷量,该测量值1.582×10-19 C,与公认值1.602×10-19 C的相对误差仅为1.2%.