晶体管交流参数rce和rbc之间的关系

解析关系式的推导正常偏置状态下的双极型晶体管,即当晶体管的发射结正向偏置(对于 NPN 型管子,V_(BE)>0)、集电结反向偏置(对于 NPN 型管子,V_(BC)<0)时,其基极电流和集电极电流分别为(以 NPN 型管子为例)     

nSi/pSi0.8Ge0.2/nSi与nSi/pSi/nSi晶体管直流特性的比较

采用一维有限差分方法,对生长在Si(001)衬底上的Si0.8Ge0.2应变基区异质结双极晶体管(HBT)与Si同质结双极晶体管(BJT)的直流特性进行了数值分析;给出了高斯掺杂情形下,基区中Ge含量为0.2的Si0.8Ge0.2HBT与Si同质双极结晶体管(BJT)的共射极电流放大系数图、Gummel图、平衡能带图和基区少子分布图,对比结果表明基区中Ge的引入有效地改善了晶体管的直流放大性能;其次对Si0.8Ge0.2HBT与SiBJT的大电流特性进行了比较,证实了在大电流下异质结基区少子向集电区扩展引起的异质结势垒效应,使Si0.8Ge0.2HBT的直流放大系数比SiBJT的放大系数下降更快这一实验结果.     

小尺寸应变SOI SiGe异质结双极晶体管

为了满足通信系统中对核心器件工作频率更高的要求,设计了一种新型的器件结构,有效提高了SiGe异质结双极型晶体管(hetero-junction bipolar transistor,HBT)的频率特性.基于传统的SOI SiGe HBT器件结构,通过减小发射区和集电区的窗口尺寸,并在集电区引入单轴应力,集电区、基区、发射区均实现应变,提高了纵向载流子的迁移率,从而提高器件的电学特性和频率特性,并利用SILVACO?TCAD软件对其电学参数和频率参数进行仿真分析.结果表明,当基区Ge组分为梯形分布时,电流增益最大值βmax为1062,厄尔利电压VA为186 V,厄尔利电压与电流增益的优值为1.975×105 V,截止频率fT最大值为419 GHz.集电区引入Si1-y Gey应力源的新型SOI SiGe HBT器件相比于集电区未引入应力源的器件结构,其截止频率fT提高了1.1倍,所设计的新型小尺寸器件具有更优良的频率特性.     

全离子注入在双极集成电路中的应用

本文研究了用全离子注入控制双极集成电路中晶体管电参数的一些基本条件。研究了磷注入发射区的条件:注入能量为50KeV,注入剂量为4×10~(16)/cm~2。退火条件为940℃,20分钟,氮气保护,基区采用二次硼叠加注入:浅硼注入和深硼注入。浅硼注入能量为60KeV,注入剂量为8×10~3/cm~2。深硼注入能量分别为120KeV、140KeV、160KeV、180KeV,注入剂量均为5×10~(13)/cm~2。退火为960℃,30分钟,氮气保护等温退火。研究了注入条件和退火条件与双极电路管芯电参数(如电流增益h_(FE),管子基极—发射极击穿电压BVebo。基区方块电阻R_□和管子特征频率f_(Τo))的关系。     

福建植绥螨属一新种(蜱螨目:植绥螨科)

作者于1981年9月,在福建省武夷山自然保护区三港采到植绥螨属一新种。模式标本保存于广东省昆虫研究所。文中测量长度的单位为微米。中国植绥螨phytoseius(Dubininellus)chinensis sp.nov.(图一) 雌:背板长290,宽170,粗糙,具不规则的颗粒状纹。15对刚毛,其中侧毛7对,背中毛5对,缺D_5毛,中侧毛2对,亚侧毛1对(S_1)。背刚毛D_2、D_3、D_4、D_6、M_1微小,光滑;L_2、L_3、L_4光滑,其余各毛具锯齿状。L_5、L_6、L_7和M_2毛扁平,假分裂状。L_1的长     

放大器的噪声及低噪声电路研究

1 晶体管混合п型噪声模型晶体管混合Л型噪声模型如图1所示.图中略去了 C_(b'c)和 Y_b'c.图中 E_b 是由基区体电阻Y_(bb')产生的热噪声 E_(?)是信号源内阻 R_s 产生的热噪声.I_b、I_c 分别是载流子随机发射引起基极电流 I_B 和集电极电流 I_c 瞬间起伏所产生的散弹噪声.I_f 是基极电流 I_B 流经发射结耗尽时产     

窄脉冲高效能矩形脉冲功率源电路(二)

<正> 三、延时放电回路(三)电路参数估算1.要求与给定条件(1)t_8按0.3μs 计算;(2)为使开关电路在延时结束后尽快导通,要求延迟时间t_8在0.5τ左右;末级工;东圾功率管BG_9进入过驱功(S=6时*)所需时间t_1不大于1.5τ;(3)各晶体管BG_7～BG_9的h_FEs 按60计算,末级功率管BG_9的最大饱和深度应大下6;(4)末级功率管BG_9的集电极电流I_(c9)按4A计算;(5)开关电路的起始导通电压V_B(t)按1.5V 计算(V_(BE7)=V_(BE8)=V_(BE9)=0.5V),     

脉冲功率开关RSD的高dI/dt特性研究

基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dI/dt耐量可达1×105A·μs-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域.     

8Fc_(75-0)低功耗运算放大器小电流下晶体管特性的研究

一、引言8Fc75-0低功耗运算放大器,是一种工作在小电流下且性能要求很高的一种线性集成电路,它由纵向 npn 型和横向 pnp 型晶体管及其它元件组成。从线路分析可知:两类晶体管均要求工作在小电流(8～30μA)范围内;击穿电压≥30V;漏电流要很小;输出曲线均匀平直;小电流下的β要大。     

按γ_(min)最大综合偏置曲柄滑块机构的解析法

本文首先给出了γ_(min)和描述曲柄回转中心 A 点的位置参数β间的函数关系式,进而给出了在 A 点可取范围内γ_(min)的极大值与极小值出现的位置,最后导出了按 K、γ_(min)最大及任一长度尺寸(H、e、a、b 等)一不同情况下综合偏置曲柄滑块机构的解析式。     

Co~(60)γ辐照对半导体二极管和三极管性能的影响

本文首先研究了CO~(60)γ辐照对国产面结型硅二极管正向伏安特性的影响,发现在小电流区域正向特性变好;大电流区域变坏,进一步分析了所以如此的原因,采用了适当的模型,从理论上解释了伏安特性的变化。还研究了反向伏安特牲的变化及其在室温下的恢复。也发现在辐照下势垒电容的变化很小。本文还研究了的γ辐对国产面结型三极管共基极和共发射极h参数的影响,并作了理论上的分析。还比较了辐照前后的α_(cb)与I_e关系曲线的变化以及α_(cb)与f关系曲线的变化,并分析了变化的原因。     

双酶体系(葡萄糖淀粉酶—葡萄糖异构酶)固定化的研究

利用正交试验L_(16)(4~4×2~3)对大孔型阴离子交换树脂D_(290)、D_(296)、D_(370)制备固定化双酶(葡萄糖淀粉酶—葡萄糖异构酶)的不同条件进行筛选的结果表明:对制备固定化双酶影响的七个因素中,以树脂的转型、葡萄糖异构酶量影响最大,其次是葡萄糖淀粉酶量及交联剂的最终浓度,而所选用的缓冲液种类、P~H、离子强度等影响甚小。采用正交试验获得的最佳条件分别固定两种单酸和同时固定双酶进行比较,其固定化双酶的酶活性约高于两种固定单酶(混合或串联使用)的酶活性。     

Ni(mpz)_4I_2型化合物的光谱及EPR参量

本文利用d~8(D_4~*)全组态混合EPR理论,对Ni(mpz)。I:型化合物的吸收光谱、基态零场分裂参量D略及顺磁g因子进行了统一的理论计算,理论结果与实验值基本一致。分析表明,Ni(mpz)。12中Ni抖离子的环境配位构型明显偏离D。点群对称。     

金属串配合物[CoMCo(dpa)4(NCS)2](M=Co,Ni,Pd,Pt)结构和自旋过滤性质研究

应用密度泛函理论B3LYP方法对金属串配合物[CoMCo(dpa)4(NCS)2](1:M=Co, 2:M=Ni, 3:M=Pd, 4:M=Pt; dpa=dipyridylamide)的成键性质和自旋过滤效应进行了研究,结果表明:配合物1的基态为二重态,Co36+金属链形成三中心三电子键(2nb1*0);而配合物2~4的基态均为反铁磁耦合单重态(AF态),对应的最低能量高自旋态(HS态)分别为三重态、七重态和七重态,单电子分布在两端Co原子上,[CoMCo]6+链具有三中心四电子键(2nb1*1)。由分子轨道能级图和PDOS图分析得到配合物1~4均具有自旋过滤效应,电子传输通道主要为-自旋nb轨道,与费米能级的距离大小为1234。电场作用下,1~4的高电势端Co2―N4键增长而低电势端Co3―N7键缩短,Co―M平均键长略为缩短,Co―M键增强;电场作用下金属原子的自旋密度和电荷密度变化很小,电磁性质稳定;电场作用下nb轨道分布仍保持沿金属轴方向离域,LUMO-HOMO能隙减小,有利于电子输运。     

Ni(Pz)_4Cl_2型化合物的低温热容量及顺磁性质的理论研究

本文利d~8（D_(4b)）全组态混合统一晶场理论计算出来的ZFS及EPR参量，对Ni（Pz）_4Cl_2型化合物在低温下的热容量、磁化率进行了统一的理论计算，理论计算结果与实验完全一致。     

一种带有曲率补偿的CMOS带隙基准电压源

为降低传统双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)型带隙基准源温度系数高的问题,提出了一种带有高阶曲率补偿的带隙基准电压源,极大降低了带隙基准源的温度系数.设计基于传统BJT型带隙基准电路,采用高阶曲率补偿电路对温度系数进行优化,并采用折叠式cascode运算放大器和自偏置cascode电流镜对输入电压范围进行优化.设计的带隙基准源具有低温度系数、高电源电压抑制比、结构简单的优点,是各类片上系统的优良选择.     

盲走螨属Typhlodromus Scheuten三新种(Acarina Phytoseiidae)

调查华东区植绥螨时,发现盲走螨属的三个新种.所有正模标本均保存于复旦大学生物系.一、侧柏盲走螨Typhlodromus platycladus 新种(图1)雌螨背板骨化,有皱纹,刚毛18对,背列毛(D)6对,背中毛(M)2对,背侧毛(L)10对;L_(10)最长,为末端膨大的梳状毛,其余毛光滑.亚侧毛S_1和S_2在盾间膜上.气门沟伸达D_1毛之间.胸板后缘凹入;I-II胸毛在胸板上,Ⅲ和Ⅳ胸毛分别位于独立的     

含硫稀土配合物Et_2NH_2[Nd(S_2CNEt_2)_4]的合成、结构和性质

配合物Et_2NH_2 [Nd(S_2CNEt_2)_4]的晶体属三斜晶系,空间群为P_1,a=10.161(2) ,b=11.342(1) ,c=18.339(2) ,α=81.57(1)~0,β=106.03(0)~0,γ=116.61(0)~0,V=1815.4 (?)~3,z=2,F(000)=838,μ=156.876cm~(-1),D_(cal)=1.484g·cm~(-3),D_■=1.484g·cm~(-3)。配阴离子中,4个配体通过8个S原子与Nd原子配位形成四方反棱柱型的配位多面体结构。此外,还通过红外光谱、紫外光谱、摩尔电导和差热一热重等分析方法对该配合物的性质进行了表征。     

Eu(Ⅲ)-β-二酮-氨基多羧酸三元配合物的精细荧光光谱与超灵敏跃迁

合成了4种Eu(Ⅲ)-β-二酮-氨基多羧酸三元配合物,经元素分析和化学分析测定其组成分别为K_2[Eu(CYDTA)BA)·2H_2O(Ⅰ)、K[Eu(NTA)BA]·2H_2O(Ⅱ)、K_2[Eu(IDA)_2BA](Ⅲ)和K_2[Eu(EDTA)BA](Ⅳ),用红外光谱、差热分析进行了表征.测定了配合物Ⅰ～Ⅳ在室温(298K)和液氮湿度(77K)下的荧光发射光谱,应用群论方法和Judd-Ofelt理论对低温精细光谱作了归属,根据配合物发射峰~5D_0→~7F_J(J=0.1,2和4)的Stark劈裂及强制电偶极f-f跃迁选律推断出配合物中心离子Eu(Ⅲ)的点对称性分别为:Ⅰ,C_(2v);Ⅱ,D_(3h);Ⅲ,C_4;Ⅳ,S_4.从荧光发射强度计算出表征Eu(Ⅲ)-配体共价程度的荧光发射相对强度参数η值(η=1(~5D_0→~7F_2)/I(~5D_0→~7F_1)依次为:1,5.8;Ⅱ,9.4;Ⅲ,11.2;Ⅳ,16.4.研究了配合物Ⅰ～Ⅳ的紫外-可見吸收光谱,测定了其在丙酮/水(1:1)溶液中的超灵敏跃迁振子强度P(~7F_0→~5D_2)分别为:1,0.32×10~(-6);Ⅱ,0.40×10~(-6);Ⅲ,0.52×10~(-6),Ⅳ,0.73×10~(-6).发现Eu(夏)配合物的吸收光谱超灵敏跃迁振子强度P(~F_0→~5D_2)与发射光谱的荧光相对参数η(I~5D_0→~7F_2)/I(~5D_0→~7F_1))之间存在线性关系:P=0.04η+0.066,由此得出Eu(Ⅲ)与配体间键的共价程度是影响超灵敏跃迁强度的主要因素,而与Eu(Ⅲ)点对称性无直接联系.     

M_2Cl_4(PH_3)_4(M=Cr、Mo、W)分子的DFT计算

采用密度泛函理论(DFT)研究M_2Cl_4(PH_3)_4(M=Cr、Mo、W)分子,在D_(2d)对称约束下进行结构优化和能量解析,三种化合物的M—M键长分别是C—Cr1.737A,Mo—Mo2.157A,W—W2.286A.能量解析表明:E_(Cr—Cr)相似文献