量子阱中极化子的性质

给出声子分布函数的解析表达式，并利用该表达式和Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ（ＬＬＰ）变分方法计算极性晶体板中极化子的基态能量，与自恰的数值结果进行比较，结果吻合。     

半无限极性晶体内的极化子与温度的关系

随着科学技术的发展,人们越加重视对极性晶体表面层中极化子性质的研究^[1~4].但对有限温度情况下表面极化子的研究很少.梁希侠和顾世洧^[5]研究了在零温情况下半无限极性晶体内的极化子,本文将讨论有限温度下,半无限极性晶体内极化子的性质.     

声子色散对极化子的影响

本文计及纵光学声子的色散,在抛物线近似下,计算了极化子的基态能量、有效质量和极化电势,从中发现:随着声子色散的加强,极化子的自陷能变大,有效质量增大,极化电势的屏蔽半径减小.     

量子阱中极化子的速率对声子平均数的影响

采用Tokuda改进的线性组合算符法和幺正变换法，研究了量子阱中极化子的性质．导出了量子阱中极化子的声子平均数与速率的关系．数值计算结果表明：量子阱中强弱耦合极化子的声子平均数均随极化子的速率的增加而增加．     

二维极化子有效质量与温度的关系

该文计及晶格的原子结构,讨论了极化晶体中二维极化子的性质.用二次量子化方法处理晶格振动及其与电子的相互作用,导出了二维极化子的自陷能和有效质量,给出了二维极化子有效质量与温度的关系.     

具有相干与压缩关联的非绝热的电子—声子耦合系统的状态表示和 …

求出了在电子－声子耦合系统中由于电子密度的涨落的导致的非绝热声子对系统的基态，极化子的特征和声子测不准关系的量子修正，在这计算中我们使用了一个表征和相干压缩声子和电子有相互关联的新的变分表示式。由此求出的系统基态比无关联时的基态更加稳定，极化子能带变窄的效应受到抑制。由于同电子的非绝热耦合而使声子的测不准关系增量。研究表明具有相干压缩关联的新状态表示对于大压缩特性和强耦合情况特别适合。     

半无限极性晶体中的极化子

本文采用线性组合算符法,并通过简单的幺正变换,导出了极性晶体中强耦合表面极化子的有效哈密顿量.对于电子靠近晶体表面和远离表面的两种极限情况,得到了镜像势和自陷能的解析表达式.     

N型4H—SiC中载流子密度和霍耳迁移率的模拟及研究

采用流体动力学平衡方程在温度为３０ Ｋ 到１０００ Ｋ 范围内计算了霍耳迁移率，并用补偿模式研究了载流子密度与温度的关系．结果表明，电离杂质散射对霍耳迁移率与温度的关系有很大的影响．霍耳迁移率的低温值主要由电离杂质散射确定，而它的高温尾取决于声学声子，极化光学声子和谷间声子散射．计算的霍耳迁移率与实验数据相符     

半导体量子阱中电子的回旋质量与温度的关系

随着分子束外延技术的发展,人们对半导体超晶格和量子阱结构各种性质的研究产生了极大的兴趣。人们如此重视这个领域是因为它不仅在技术上有着广泛的应用,而且提供了在实际观察电子运动量子化行为的理想条件。 极化子磁光学的研究与实验联系更紧密,从回旋共振的测量,可以直接获得电子-声子作用的信息,因而人们尤其感兴趣电子在磁场中的回旋共振的研究。随着研究的深入,人们也开始重视在有限温度下研究极化子的性质。本文将讨论有限温度下,GaAs-GaAlAs量子阱中的磁极化子的自能、回旋质量与温度的关系。     

半无限极性晶体中强耦合极化子的温度依赖性

随着固体科学和技术的发展,晶体表面和界面极化子的性质,一直受到人们的重视^[1,2].近年来,已有不少作者^[3,4]研究了表面和界面极化子,其中很多工作集中于弱,中耦合的情形.     

GaN基量子阱结构的界面光学声子及其电声相互作用性质的研究

GaN基量子阱结构在光电子领域具有较为重要的应用前景,理解其物理性质是加快应用的关键之一.研究了GaN基量子阱结构的光学声子特性及其电声相互性质,给出了GaN基量子阱结构中光学声子及其电声相互作用的基本理论,分析了影响界面光学声子的频率和电声耦合强度的相关因素,并对纤锌矿Al0.8Ga0.2N/GaN/Al0.8Ga0.2N,GaN/In0.8Ga0.2N/GaN对称单量子阱的界面光学声子及其电声相互作用的电声耦合强度进行了数值计算.结果表明,界面光学声子在长波区域色散较为明显,电声耦合强度在小波矢区域内最强.     

光场纠缠态制备

利用Ｒａｍｓｅｙ场以及大失谐民政部下的二能级子与光场的色散作用可以制备光场的Ｅｉｎｓｔｅｉｎ－Ｐｏｄｏｌｓｋｙ－Ｒｏｓｅｎ（ＥＰＲ）态和多光场的纠缠态，得出这些量子态之间的距离最大并且上人有最大纠 度和是了大冯．诺依曙熵．最乒指出这些态在量子信息光学中的应用。     

S—开空间的性质

该文讨论了ｓ－开空间的若干性质，主要有：（１）ｓ－开的Ｔ＾ｓ３空间是紧空间；（２）Ｔ＾＊１型ｓ－开空间族的半正则化族的积空间Ｘ是ｓ－闭空间当且仅当Ｘ是极不连通空间；（３）若积空间是ｓ－开空间，则各因子空间也是ｓ－开空间；（４）若拓扑空间Ｘ是有限个ｓ－开的开子空间之并，则Ｘ是ｓ－开空间；（５）ｓ＾＊－连续映射保护ｓ＾＊－集。     

表面光学声子对表面杂质激发态的影响

用变分法计算了表面光学声子对表面浅态杂质原子的激发态的影响，发现表面光学声子对其激发态也有明显的影响。     

电子—声子相互作用与导电聚合物的带隙

采用考虑电子－电子（ｅ－ｅ）相互作用的扩展的紧束缚模型，研究了非简并基态的导电聚合物－－顺式聚乙炔（ｃｉｓ－ＰＡ）的能带结构，发现电子－声子（ｅ－ｐｂ）耦合增强可使其导带底端能极发生劈裂，从而使事隙变窄。     

反铁磁薄膜磁极化子的色散性质

研究当外场平行于反铁磁薄膜（d=500um）的各向异性轴时，其体极化子和表面极化子的色散性质．在外场的作用下体极化子由原来的两个窗口分裂成三个窗口；表面极化子也由原来的一个窗口分裂成两个窗口并且仍然满足互易性．     

聚丁二炔晶体中三阶非线性光学特性的研究

本文研究聚丁二炔（ｐｏｌｙｄｉａｃｅｔｙｌｅｎｅ）晶体中的三阶非线性光学过程；从激子模型出发，建立了一套描述聚丁二炔晶体中的三阶非线性光学过程的数学公式；对三阶极化率Ｘ（３）进行了数值计算，与实验符合．对其产生三阶非线性光学过程的微观机理进行了详细的讨论．     

基于零折射率材料的弯曲声学波导

设计了一种具有零折射率效应的三维声子晶体,该声子晶体的有效密度和倒体积模量在类狄拉克频率附近均趋近零,声波的有效速度接近于无限大,波长远大于所通过结构的尺度,声波可以完美地穿过声子晶体且不会改变其传输特性.利用该声子晶体设计了一种弯曲的声学波导,研究发现涡旋声束通过该波导后,涡旋特性稳定不变,对于声学涡旋的多方向操控具有指导意义.     

用表面等离子体测量GaAs半导体的三阶光学非线性极化率

本文给出了用依赖于强度的表面等离子体色散关系研究三阶光学非线性极化率ｘ（３）的新方法．可得ｘ（３）的大小和符号．实验中所用激光波长为１．０５μｍ,样品为ＧａＡｓ,ｘ（３）（ω）～１．２×１０－９ｅｓｕ．     

具有相干与压缩关联的非绝热的电子声子耦合系统的状态表示和基态特征(英文)

求出了在电子声子耦合系统中由于电子密度的涨落所导致的非绝热声子对系统的基态,极化子的特征和声子测不准关系的量子修正,在这计算中我们使用了一个表征相干压缩声子和电子有相互关联的新的变分表示式．由此求出的系统基态比无关联时的基态更加稳定,极化子能带变窄的效应受到抑制,由于同电子的非绝热耦合而使声子的测不准关系增量．研究表明具有相干压缩关联的新状态表示对于大压缩特性和强耦合情况特别适合．