氧缺位对纳米SnO2喇曼谱及超精细参数的影响

采用溶胶－凝胶技术制备了ＳｎＯ２纳米微粉，测定晶粒尺寸在３～１５ｎｍ范围内ＳｎＯ２的喇曼光谱，并由穆斯堡尔谱给出其表面相与晶体相的超精细参数．此外还测定了氧缺位对分别在真空与氧气氛下退火的试样的喇曼谱的影响，并从超精细参数的变化给予解释．     

高CO-Ni二次硬化马氏体钢AF 1410的穆斯堡尔谱

用穆斯堡尔谱技术对ＡＦ１４１０钢在不同回火温度下超精细磁场的变化进行了研究。分析了合金元素的分布与超精细磁场的关系及对力学性能的影响。结果表明，高Ｃｏ－Ｎｉ二次硬化马氏体钢ＡＦ１４１０的超精细磁场中出现一些高场成分，平均超精细场在４８０￣５１０℃出现一峰值，此温度是屈服强度二次硬化峰的峰位。奥氏体量在４３０℃附近有一极小值，此回火温度下冲击韧性最差。     

玻璃退火的应力分析

基于ANSYS有限元模拟软件建立了玻璃线性冷却的退火模型,通过该模型对玻璃退火过程进行了数值模拟,得到了玻璃温度随时间的变化曲线。在退火过程中的不同时刻,对玻璃模型表面和中间层的应力值、温度值进行采样,得到了应力随时间的变化曲线,分析了温度梯度和应力松弛对玻璃应力的影响。通过设置不同的B区平均热力密度,改变退火速度,得到了玻璃永久应力随B区退火速度的变化规律。     

非晶态Ni—Si—B系合金结构驰豫的电阻法研究

本文通过精密测定非晶态Ｎｉ－Ｓｉ－Ｂ系合金的电阻率在不同温度下等时退火后的变化，研究了该合金的结构驰豫过程，得到其电阻率变化随退火温度而作振荡性起伏的关系曲线，并利用作者提出的结构缺陷形成机制对该振荡性曲线作出了比较合理的微观机理解释。     

非晶态Ni－Si－B系合金结构驰豫的电阻法研究

本文通过精密测定非晶态Ｎｉ－Ｓｉ－Ｂ系合金的电阻率在不同温度下等时退火后的变化，研究了该合金的结构驰豫过程，得到其电阻率变化随退火温度而作振荡性起伏的关系曲线，并利用作者提出的结构缺陷形成机制对该振荡性曲线作出了比较合理的微观机理解释。     

退火对Ni74Si10B16非晶合金电阻温度特性的影响

采用DC四端电阻测试法，测试了不同退火条件下Ni74Sil0B16非晶合金223～423K温区的电阻温度特性曲线，发现：淬态与退火态非晶合金试样的电阻均随温度近线性变化，并且，随着退火时间的延长或退火温度的升高，非晶合金电阻温度系数α上升，而室温电阻率ρ0下降，基于Nagel推广的液态金属Ziman理论，本文对此结果进行了分析和讨论。     

高温退火对石墨烯摩擦性能的影响

为了探讨高温环境下石墨烯摩擦性能变化对其作为固体润滑剂性能的影响,采用原子力显微镜研究了单层石墨烯在空气中不同温度下退火后的摩擦学性能,比较了不同温度下退火前后摩擦力及黏附力的变化.通过拉曼光谱检测石墨烯的缺陷并计算石墨烯的缺陷密度,最后建立了不同荷载下单层石墨烯摩擦力随缺陷密度的变化关系.实验结果表明:在空气中退火后...     

Cr-Fe-Mn粉末混合物的机械合金化及其磁交换作用

对主要成分为Cr72Fe18Mn10的粉末混合物进行机械球磨。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和Mǒssbauer谱仪对球磨不同时间的样品的结构进行研究。研究结果表明：在球磨过程中，存在铁磁性的a—Fe及Fe基的超精细场分布组元和顺磁性的Cr基固溶体，球磨30h能形成顺磁性的纳米晶Cr-Fe-Mn合金；样品的矫顽力随球磨时间的延长先增加后减小，球磨12h时样品的矫顽力最大，为17．313kA／m；球磨样品在高于Cr的奈尔温度退火后场冷却时的矫顽力大于相应的零场冷却时的矫顽力，主要由体系中的铁磁-反铁磁交换作用所引起，其强弱随球磨时间的不同而不同。     

退火处理对Dy4(Co21Cu79)96颗粒膜结构和巨磁电阻效应的影响

采用磁控溅射法制备Dy₄(Co₂₁Cu₇₉)₉₆颗粒膜,研究薄膜的巨磁电阻（GMR）效应及磁性能.应用X射线衍射仪（XRD）对薄膜微观结构随退火温度的变化进行分析,采用四探针及振动样品磁强计（VSM）测量薄膜的磁电阻和磁性能.X射线衍射实验结果表明:制备态的薄膜形成了单相亚稳态面心合金结构,退火处理将促进Cu和Co的相分离.磁电阻测试发现:所有不同成分的Dy_x(Co₂₁Cu₇₉)_100-x（x=0,4,8,9,12,14）薄膜样品均随着退火温度的升高,颗粒膜巨磁电阻（GMR）效应不断增大,当达到最佳退火温度之后,GMR值又随退火温度的升高而降低.当退火温度为425℃时,Dy₄(Co₂₁Cu₇₉)₉₆薄膜的巨磁电阻效应达到最大,GMR值为-4.68%.退火前后样品磁滞回线的变化表明薄膜中发生了从超顺磁性到铁磁性的转变,矫顽力H_c随退火温度的升高逐渐增大.     

CdCl2处理退火CdS多晶薄膜的电学性质研究

对ＣｄＳ薄膜用不同浓度的ＣｄＣｌ２溶液处理后在不同温度下退火,发现其暗电导率σｄ和电导激活能Ｅａ随ＣｄＣｌ２溶液的浓度和退火温度的不同而不同,而且用ＣｄＣｌ２处理再退火的样品,暗电导率σｄ随温度Ｔ变化的关系（ｌｎσｄ１０００／Ｔ）为分段直线,对应于不同的Ｅａ．本文就上述结果进行了讨论,并用Ｃｌ－的扩散进行了解释．     

几种Fe－Ni基非晶态合金的穆斯堡尔谱研究

作者利用穆斯堡尔诺对几种Ｆｅ－Ｎｉ基非成态合金进行了研究．通过对相应的越精细参数及越精细场分布的分析和讨论，得到了有关结构信息．     

Reducing the core loss of amorphous cores for distribution transfor mers

Although amorphous alloy ribbons have lower core loss,serious loss deterioration occurs in amorphous cores constructed from amorphous alloy ribbon for distribution transformer.In the present study,the ...     

BEHAVIORS OF THE HYPERFINE FIELD AND THE ATOMIC MAGNETIC MOMENT IN AMORPHOUS Fe80-xTxB20（T=Co,Ni ,Mn ,V,Ti） ALLOYS

The mean hyperfine field at the Fe nuclei in amorphous alloys Fe_(■0-x)T_xB_(20)(T=Co,Ni, Mn, V, Ti) by fitting the Mossbauer spectra is displayed. The behaviors of both the hyperfine field and the atomic magnetic moment in these amorphous alloys and the relation between both the properties are discussed.     

铁基非晶态合金的退火脆性

本文研究Fe_(80)B_(20-x)Si_x(x=6,8,10,12)非晶态合金的退火脆性规律,给出了合金成分原料纯度,薄带厚度以及薄带表面状态对非晶态合金退火脆性的影响。铁基非晶态合金在低温退火过程中已明显变脆。这种退火脆性是由非晶态合金亚稳特性决定的结构弛豫所致。     

多元非晶径向分布函数计算程序

本文介绍了一种计算多元非晶径向分布函数的新程序,该程序把所有元素所需的数据存入相应的文件。使用时只要输入元素的原子序数,即可从文件中取出所需的一切参数,既省时间,又避免了人工出错。     

非晶合金短程序研究与回火条件的选取

用核磁共振和穆斯堡尔效应配合研究了Ｆｅ８４Ｂ１０Ｃ６非晶合金的短程序。探讨了用回火非晶合金来研究短程序时的最佳热处理条件。结果表明，在淬态非晶合金中存在体心四方的Ｆｅ３Ｂ和正交型的Ｆｅ３Ｂ两种短程序。当用晶化方法来研究非晶合金的短程序时，推荐采用较低的回火温度（略高於非晶合金的晶化开始温度）和短的回火时间。     

Fe-Si-B-Nb-Cu-Zr非晶（纳米晶）合金的磁性机理研究

采用单辊甩带法制取了Fe-Si-B-Nb-Cu-Zr非晶合金薄带。利用X射线衍射仪（XRD）、差示扫描量热法（DSC）和振动样品磁强计（VSM）等手段对非晶态和晶化后的薄带的微观结构和磁性能进行了表征和测试,研究了Fe-Si-B-Nb-Cu-Zr合金中磁性能随着Zr含量以及退火温度变化的磁性机理。结果表明,在铸态Fe-...     

Tailoring of microstructure and martensitic transformation of nanocrystalline Ti–Ni-Hf shape memory thin film

The amorphous Ti-Ni-Hf thin films with the specific compositions were prepared from single Ti-Ni-Hf alloy target by adjusting processing parameters of direct current magnetron sputtering deposition. Prior to the crystallization,a glass transition occurred in the present Ti-Ni-Hf thin films. The annealed Ti-Ni-Hf thin films were characterized by the nano-crystalline. With the annealing temperature increasing, the grain size firstly increased and then decreased owing to the presence of(Ti,Hf)_2Ni precipitate. Two endothermic and exothermic peaks corresponding to B19'■B2 martensitic transformation in heating and cooling curves were observed for the Ti-Ni-Hf thin films with the lower annealing temperature and shorter annealing time, which was closely related to the inhomogeneous composition. However, the Ti-Ni-Hf thin films annealed at higher annealing temperature and longer annealing time showed the single stage B19'■B2 martensitic transformation. In addition, the martensitic transformation temperatures firstly increased and then decreased with the annealing temperatures rising.     

纳米SnO_2的氧缺陷研究──Mossbauer谱与PAT寿命谱

本文采用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱和ＰＡＴ寿命谱对纳米ＳｎＯ_２进行研究。结果表明，纳米ＳｎＯ_２的界面相和在真空环境处理造成的氧缺陷，使Ｓｎ４＋的离子特征下降，改变了样品的超精细结构参数。根据正电子在表面缺陷湮没的两种不同机制，分析了捕获缺陷的类型及其浓度的变化情况。实验表明，纳米ＳｎＯ_２晶界缺陷处Ｓｎ原子附近的电子密度较大，结构中的氧缺陷使电子密度进一步增大。     

Sb-Se系和Ge-Sb-Te系相变光盘记录介质微观结构及光学性能研究

利用X射线衍射仪 ,分光光度计对Sb Se系和Ge Sb Te系相变光盘记录介质材料非晶态薄膜相变前后结构的变化 ,光学性能进行了系统的研究 ,X射线衍射分析表明 :SbSe非晶态薄膜退火后有Sb的析晶峰 ,SbSe2 有Se的析晶峰 ,符合化学计量比的Sb2 Se3 全部是Sb2 Se3 的共晶峰 .GeSb2 Te4 非晶态薄膜在热退火过仇逐首先形成fcc亚稳相 ,升高退火温度 ,Fcc相转变为稳定的hex相 ,GeSb4 Te4 非晶态薄膜退火后在发生上述变化的同时 ,还有Sb的析晶峰 .分光光度计测试表明 :Sb Se系非晶态的光稳定性很不理想 ,随着波长的改变 ,反射率变化太快 .对于Ge Sb Te系合金 ,在各种波段处 ,两种合金都有较大的反衬度 ,其非晶态的光稳定性也较理想 ,随着波长的改变 ,反射率变化不大