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相似文献
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1.
用MBE生长了GaAs/Si/AlAs异质结及其对比样,通过深能级瞬态谱技术(DLTS)和X射线光电子谱测量(XPS)研究了Si夹层的引入对异质结的影响,研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷,异质结仍保持较好的质量,但使GaAs/AlAs的带阶发生了改变。  相似文献   

2.
对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。  相似文献   

3.
本文通过低压MOCVD方法,采用改进的两步法工艺,即基片表面的高温处理一生长过渡层-退火-外延生长-退火工艺,在向[011]方向偏3°的Si(100)衬底上生长了GaAs膜,并对外延膜进行了X射线衍射,喇曼散射和光致发光分析.发现X射线衍射曲线光滑尖锐,无杂峰,(400)峰的摇摆曲线很锐,喇曼散射谱中TO峰与LO峰的强度比lTO/lLO很小,光致发光谱的半峰宽只有12.4meV,说明在Si上异质外延的GaAs单晶膜具有相当好的质量.  相似文献   

4.
常压MOCVD法在多孔硅上生长GaAs   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用自己发展的HF化学预处理技术和常压MOCVD法在多孔硅(PS)上首次生长出了基本上是单晶的GaAs膜,研究了GaAs膜的结构和光学特性.通过对Si、PS、GaAs/Si和GaAs/PS的Raman散射分析,初步论述了PS的Raman散射谱的峰肩起源可能与表面氧化有关.  相似文献   

5.
采用紧束缚方法计算了生长在CexSi1-x合金(001)面上的应变GaAs层的带间光跃迁振子强度,以及生长在Si(001)衬底上的应变超晶格(Si2)4/(GaAs)4的三次非线性光极化率.  相似文献   

6.
采用紧束缚方法计算了生长在GexSi1-x合金(001)面上的应变GaAs层以及生长在Si(001)面上的应变超晶格(Si2)4/(GaAs)4的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响.  相似文献   

7.
阐述了利用高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究表面晶格振动的原理和方法,结合2种不同类型的半导体GaAs(110)和Si(111)表面声子谱的实验观察,讨论了表面声子谱的特征。确定了GaAs(110)剖理面在液氦温度下及Si(111)剖理面在室温下的表面声子能量分别为35.6和56meV,其1次增值峰对损失峰的相对强度分别为0.002和0.1。  相似文献   

8.
研究了单 (Si )双 (Si / As )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ,对注入层电激活影响不大 .采用多重能量 Si 注入 ,可改善栽流子纵向分布的均匀性 ,采用 Si / As 双离子注入可改善 L EC SI-Ga As衬底中 EL 2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响 ,可获得注入层横向的电激活 .  相似文献   

9.
采用射频磁控共溅技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜,GaAs在薄膜中所占分子百分比达19.0%,光电子能谱分析表明随着基片温度升高,薄膜中元素Ga,As的被氧化程度有所增强,但元素Ga,As仍主要以化合物半导体GaAs的形式,元素Si,O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中。  相似文献   

10.
GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层 Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应.  相似文献   

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