GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能

本文采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法，研究了极性晶体膜内电子－声子弱耦合的基态能量，得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能，对ＧａＡｓ晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。     

NaI晶体能态密度的研究

ＥＨＭＯ方法结合特殊点方案，利用自包容子程序，计算了ＮａＩ晶体的态密度，确定了价级位置，得出了其能隙和价带宽度。     

正弦色散对一维声学激子能量的影响

采用顾世洧处理体内激子方法，把Ｗｉｌｓｏｎ提出的一维极化子哈密顿量推广到一维激子，并考虑了声子的色散效应，运用微扰法计算正弦色散时一维声学激子基态能，与无色散时一维声学激子，极化子做了比较。     

极性晶体表面的电子—声子相互作用

本文在长波近似条件下对存在γ（γ１，２，…，ｎ）支声子模式且与真空接触的半无限极性晶体中的电子－声子相互作用进行了探讨，得出了两支模情形下声子和电子－声子相互作用的哈密顿算符的具体形式。     

压电晶体中表面极化子的性质

研究了压电晶体中表面极化子的性质．首先用微扰法导出了压电晶体中表面极化子的有效哈密顿量，有效质量以及电子-表面声学声子作用的有效势，进而用变分法计算了表面态能量．研究结果指出：表面极化子的自陷能、有效势和有效质量不仅与压电常数、质量密度、声速、声子的德拜波数有关，而且也与电子至表面的距离有关．随着电子远离晶体表面，有效势、有效质量逐渐减小．压电晶体中电子-声学声子作用诱生的有效势是库仑型的，它使电子的能级降低，形成表面态．     

零温极性—极性晶体中界面磁极化子的性质

计入电子与纵光学（ＬＯ）声子和界面光学（ＩＯ）声子的互作用，进一步研究了界面磁极化子的性质，并给出了磁极化子的能级，重整化回旋质量和自陷能的表达式。结果表明，重整化回旋质量也依赖于纵向量子态和磁场强度，而自陷能也与横向量子态和磁场强度有关。     

极性晶体中的慢速运动极化子

本文计及电子发射和吸收多个虚声子对极化子的影响，用改进了的线性组合算符法讨论了极性晶体中的慢速运动极化子的性质，给出了极化子基态能量，有效质量和围绕电子的平均虚声子数的解析式，在极限情形下，得到了中间耦合理论和强耦合理论的结果，在普适耦合情形，给出了数值计算结果，在电子－声子耦合常数α≥7．2时，得到了较强耦合理论更为合理的基态能量上限，以及围绕电子的平均虚声子数和极化子的有效质量。     

GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能

本文采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子－声子弱耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对ＧａＡｓ晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。     

外磁场中的强耦合极化子性质

运用变分法系统地研究了外磁场下极化子的电声子耦合作用,其中具体考虑了电子和表面光学声子（ＳＯ）的强耦合作用以及与体纵光学声子（ＬＯ）的弱耦合作用,应用Ｈｕｙｂｅｒｔｃｈ提出的变分方法和二次么正变换,给出了电子－声相互作用能,数值结果表明：随着电子和晶体表面距离的增加,电子－表面光学声子相互作用能的数值减小,而电子－体纵光学声子相互作用能的数值增大;磁场增强,电子与两种声子之间的相互作用均增强。     

二维极化子有效质量与温度的关系

本文计及晶格的原子结构讨论了极化晶体中二维极化子的性质。用二次量子化方法处理晶格振动及其与电子的相互作用,导出了二维极化子的自陷能和有效质量,给出了二维极化子有效质量与温度的关系。     

晶体的热力学行为研究

在德拜模型的基础上研究晶体的热力学行为．德拜模型频谱函数在高频区与实验曲线相比偏差较大，对此，我们认为在高频区声子间的相互碰撞不能忽略，并对德拜近似模型作了一定修正，所求出的频谱函数在高频区能更好地接近实验曲线和反映频谱变化规律，用修正后的模型计算晶体的热容量与德拜模型保持一致，能很好地与实验结果符合．     

NaF晶体能带结构的研究

利用扩展休克尔方法，采用自包容子程序，计算了离子晶体ＮａＦ能带结构，与实验数据及其它理论计算结果进行了比较，定性解释了中性基态Ｎａ原子的低能ＥＳＤ实验结果。     

二维非极性晶体中声学激子的性质

本文研究了二维非极性晶体中通过形变势与声学声子强、弱耦合激子的性质,采用线性组合算符和简单的么正变换,得到了强、弱耦合情形的非极性晶体中表面激子的有效哈密顿量、激子的自陷能和电子—空穴通过形变势与声子作用诱生的作用势表示为电子(空穴)一声子耦合参量α_1(α_2)的降幂级数,其首项为α_1(α_2)的一次方。     

N维极性晶体中的慢速运动光学极化子

本文用改进了的线性组合算符法讨论Ｎ维极性晶体中的慢速运动光学极化子．在强耦合和中间耦合（含弱耦合）极限下，导出了极化子的基态能量、有效质量以及围绕电子的平均虚声子数．在普适耦合范围内，给出了相应的数值计算结果．     

EHMO方法对CaF2晶体能带结构的研究

利用扩展休克尔方法结合特殊Ｋ点方案，采用自包容子程序，计算了离子晶体ＣａＦ２的能带结构，得出了价带位置和能隙宽度。能级结构计算结果表明，能级Г１２位于Г＇之下，一些能级的位置被排斥上移，导带的最小点在Г１，而不是像其他半经验方法计算的那样在Ｘ３。采用的方案计算简便，大大节省了计算时间，所得结果较好地解释了实验光谱数据。     

极性晶体中声学形势表面极化子的温度依赖性

有些极性晶体，电子与表面光学声子（ＳＯ）耦合强，与表面声学声子（ＳＡ）耦合弱，本文采用线性组合算符方法，导出了极性晶体中声学形变势表面极化子的振动频率和有效哈密顿量，并对两种极限情况进行了讨论。     

一维花岗岩/丁腈橡胶声子晶体的带隙及其应用

 采用集中质量法计算了一维花岗岩/丁腈橡胶声子晶体的振动带隙,研究了集中质量数、晶格常数、组分比及丁腈橡胶的粘弹性对带隙的影响.结果表明,增加集中质量数能提高带隙精度,晶格常数及组分比对带隙结构有较大影响,而丁腈橡胶的粘弹性能增大带隙宽度.根据以上结论,对声子晶体的材料参数和结构参数进行了优化,设计出1种能屏蔽人耳最敏感的1.5~2.5 kHz噪声的一维声子晶体.     

层状晶体负热膨胀系数探讨

根据热力学和统计物理理论，应用德拜模型，求出石墨晶体的自由能。在此基础上导出石墨晶体热膨胀系数随温度变化的关系式。结果表明：对石墨晶体，除T＝OK外，在温度为15K和42K附近，热膨胀系数为零；在15－42K的温度范围内，它为负值；在较高温度范围内，它近似为常数。理论计算与实验结果相符，出现负热膨胀现象的原因在于层状晶体中，平面层中原子横向声振动对自由能有较大统计权，某些温度范围内，横向声振动会导致垂直平面层方向原子间距离随温度的变化情况与平面层方向的情况相反，出现膜效应。     

多原子晶体中体极化子的激发能量

研究多原子晶体中体极化子内部激发态的性质，采用么正变换和Huybrechts的方法计算了多原子晶体中弱耦合体极化子的激发能量．结果表明，体极化子的基态能量和激发能量表示为耦合常数a的幂级数。     

多原子晶体中强耦合表面极化子的声子平均数

研究多原子晶体中强耦合表面极化子的性质．采用Tokuda改进的线性组合算符和幺正变换方法导出了表面极化子的振动频率和声子平均数，讨论了多原子晶体中强耦合表面极化子的振动频率和声子平均数与拉格朗日乘子u和电子一声子耦合参数α的关系．结果表明：表面极化子的振动频率λ和声子平均数N随耦合参数α和拉格朗日乘子u的增加而增加．