P沟道恒流二极管的电流扩展方法

介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制作,得到兼容后的结构,并对兼容结构进行了特性仿真。介绍了工艺流程,讨论了沟道长度、沟道厚度、沟道杂质浓度、基区宽度等结构参数对器件特性的影响。并用该兼容工艺将P沟道恒流二极管的恒定电流值放大了73倍。     

新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性

研制了一种新模式的半导体场效应晶体第－－垂直沟道的偶载场效应晶体管（VDCFET），这种结构可以避免现有光刻技术的制约，使用常规的半导体双极晶体管工艺，既可把有效沟道长度减短，大大提高器件的速度，又可将电源电压降低到小于1V，大幅度降低功耗，改进其电学性能。本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路。从纵向和横向报道了器件的设计思想，并给出了器件特性的测量结果。     

氧注入制成SOI材料的研究

采用加热靶和少量氮离子注入制成了 SOI 材料,在1180℃、氮气保护下进行了2小时的退火。离子沟道背散射测量和电子通道花样观测结果表明:加热靶和少量氮离子注入能有效地改善顶部硅层的单晶质量.     

静电感应晶闸管（SITH）沟道势垒的分析

首先对ＳＩＴＨ通态和阻断态的Ⅰ－Ⅴ特性给出了物理考察和解释,然后在解析方法所得沟道电势分布表达的基础上,用有限差分法和迭代法精确地求解了沟道电势,得到了马鞍状的势分布,而而研究了沟道势垒随偏压的变化。     

利用托马斯-费米方程对晶体平面沟道场的研究

根据同一晶向的晶面具有平移周期对称性,将托马斯-费米方程引入晶体的平面沟道中求解Si(110)平面沟道内的电场;然后把求得的结果用于计算平面沟道临界角.结果表明:用托马斯-费米方程求得的平面沟道场能较好地描述Si (110)平面沟道内的电场特征.     

MBE-GaAs/Si的背散射沟道分析

对 MBE-GaAs/Si 进行离子注入和退火.GaAs 外延层的厚度为0.9-2.0μm.Si离子的注入能量及剂量分别为1.2-2.8MeV,l×10~(14)-7×10~(15).cm~(-2).退火采用红外瞬态退火(850℃,15s)及白光退火(1050℃,8s).背散射沟道分析采用4.2MeV~7Li.实验表明,注入结合退火是改善 GaAs 外延层晶体质量的一种有效方法.注入剂量过大,由于正化学配比遭到破坏,外延生长终止.     

沟道地貌自动提取技术下的贺家川镇沟道整治研究

选取陕北黄土高原地区沟壑地貌典型的神木县贺家川镇作为研究区域,从沟道地貌的空间形态特征和沟道整治的坡度组合思想着手,以DEM地貌信息自动提取为技术支撑,绘制出沟道地貌特征区域分布图和沟道整治潜力区域分布图,定量化掌握研究区沟道地貌的空间分布和面积情况,并针对不同地貌类型进行沟道整治模式探讨。     

正弦平方势与小振幅近似下的沟道辐射

引入正弦平方势,将面沟道粒子的运动方程化为无阻尼、无受迫的Duffing方程,并用Jacobian椭圆函数和椭圆积分解析地给出了系统的解和粒子运动周期,讨论了正电子面沟道辐射谱的一般特征,指出了利用沟道辐射作为激光的可能性.     

Excel在火电厂循环水沟道结构设计中的应用

本文运用Excel软件建立火电厂循环水沟道结构设计的计算程序,详细介绍了钢筋混凝土单孔及双孔闭合矩形沟道计算程序的编制过程和使用方法,浅显易懂而且方便实用。     

浅谈彰武县柳河流域的沟道治理模式

彰武县柳河流域的沟道经过10年治理,有效地控制了水土流失。本文通过实例,阐述了沙化漫岗区沟道治理措施与治理模式,旨在对同类流域提供借鉴。     

交流法短沟道MOS器件模型参数计算机自动提取

本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术.它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面迁移率μ_0、迁移率退化因子θ、阈值电压V_T、平均表面态密度D_(it)等SPICE模拟程序中的模型参数.对LDD、硅栅CMOS等短沟道MOS器件测试结果表明它还具有抗干扰能力强之特点,是一种LSI-MOS电路制造的有效的CAM手段.     

VDMOSFET沟道区的研究

讨论了影响沟道长度及沟道的夹断区长度的因素,通过沟道区的优化促进了VDMOSFET性能的提高．     

氧流量对a-IWO薄膜及其薄膜晶体管电学性能的影响

本文采用射频磁控溅射方法,制备了非晶掺钨氧化铟(a-IWO)薄膜及其薄膜晶体管(TFTs),并探讨了溅射过程中氧流量对a-IWO薄膜及其TFTs性能的影响.研究发现,随着沉积过程中氧流量的增加,a-IWOTFTs器件的饱和迁移率降低,阈值电压正向偏移,说明溅射过程中氧流量的增加有效抑制了a-IWO沟道层中氧空位的产生,降低了载流子浓度.当溅射过程中氧气/氩气流量比为2∶28时,制备的TFT器件饱和迁移率为27.6cm2·V-1·s-1,阈值电压为-0.5V,电流开关比为108.     

运动阻尼对沟道辐射的影响

用正弦平方势描写了粒子－晶体相互作用，在运动方程中首次引入了阻尼项，讨论了运动阻尼对沟道辐射的影响。结果表明，运动阻尼不改变最大辐射频率，但明显地影响了辐射强度。     

VDMOS—NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＾＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散口有成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶性互连线。     

Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析

Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。     

离子沟道自由电子激光的自发辐射谱

计算了离子沟道中的库仑场,在小振幅条件下导出了相对论性电子束的运动轨迹,运用麦迪定理研究了电子的自发辐射谱分布,并对结果进行了讨论.     

减缓轴承套圈沟道磨削烧伤的探讨

轴承套圈沟道磨削加工时产生的高温会造成磨削工件表面局部升温而形成不均一的组织和硬度,从而导致轴承质量合格率大幅下降.论文探讨了砂轮速度与工件速度之比（a）、砂轮修整时间以及磨削冷却措施对轴承套圈沟道表面烧伤的影响.试验结果表明：当速度比a处在45～55时,可以减少烧伤并能获得较好的表面质量;采用较短的砂轮修整时间对减少烧伤有利,并对零件的表面粗糙度影响不大;通过强化磨削加工区的冷却能有效降低工件的温度,进而显著缓解轴承套圈沟道的烧伤程度.     

稀性泥石流沟道侵蚀试验研究

泥石流对沟道的侵蚀破坏作用比一般水流强烈,由于对其侵蚀深度的估计不足,往往导致防治工程的失效。通过室内等比模拟稀性泥石流沟道侵蚀试验来探究其规律。试验研究表明:坡度变化对侵蚀效果的影响大于流量的影响;在一定范围内,侵蚀深度随泥石流的磨损力增大呈线性增加,并给出经验公式。结合野外调查,对于松散堆积物源较厚的沟道流通区,该经验公式具备一定的适用性。     

用新型核技术——沟道离子束合成法研制稀土硅化物

新型核技术－沟道离子束合法，在研制稀土金属硅化物的过程中被发展和采用，沟道离子合成法比传统的注入方法有很多优点，背散射沟道分析，电镜分析和Ｘ射线衍射测试结果表明，生成的稀土硅化物具有很好的结晶品质和很高的相稳定性。