首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
水合硅酸分子电子结构的从头算与基组效应研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
应用能量梯度技术,在从头算自洽场分子轨道的水平上,借助于最小基和扩展基中的7种基组,优化得到了水合硅酸分子的平衡态几何构型,并与成键参数的实验植进行了比较,从而确定了以6-31G基组进行几何构型优化最为合适,对基态能量(S0)进行了自洽场(RHF)、组态相互作用(CI)、MХller-Plesset(MP2、MP4)的计算,并利用CI法计算了水合硅酸分子体系的第1激发态(S1、T1)能量,其结果表  相似文献   

2.
本文介绍一个用FORTRANⅣ语言编写的SCF-LCAO-MO法从头计算通用程序。它可用于计算闭壳和开壳的、包含s,p,d轨道的各种中小分子、离子和自由基。程序配备了RHF和UHF两种方法。藉助于局部数学模型的简化和计算方案的优化提高了运算速度。在本程序上采用不同的基集计算了若干分子和离子,结果与国外著名文献报导相符。程序对UHF法作了尝试性改进并用于最低激发态的计算,取得较好的结果。本程序使用灵活方便,易读易懂,适于普及。  相似文献   

3.
对Sn原子采用SDB-cc-pVTZ基组,O原子采用 6-311++G基组,利用密度泛函中的 B3P86方法对 SnO分子的基态结构进行了优化计算,并研究了外场对 SnO基态分子的键长、总能、电荷布居分布、能级分布、电偶极矩、谐振频率和红外谱强度的影响。并利用杂化密度泛函理论(CIS DFT)方法研究了外电场对 SnO分子由基态到前 6个单重激发态跃迁规律的影响。结果表明,在所加电场范围内,随着正向电场 F的逐渐增大,基态分子的键长 Re先减小后增大,在 F=004a.u.时取得最小值 01796nm;总能先增大后减小,其在 F=003a.u.时取得最大值 -21448396eV;电偶极矩则先减小后增大,在 F=003a.u.时取得最小值 02124Debye;SnO基态分子的最高已占据轨道(HOMO)能量 EH和谐振频率逐渐增大;红外光谱强度、分子的最低未占空轨道(LUMO)能量EL和能隙 Eg则逐渐减小。外电场的大小与方向对跃迁电偶极矩、跃迁波长、激发能和振子强度均有很大影响。  相似文献   

4.
本文在强场图象下推导了3d^4/3d^6离子在三角晶场中包括自旋-轨道相互作用的哈密顿矩阵公式,采用双SO轨道模型计算了Fe^2+在Ⅱ-Ⅵ半磁半导体CdTe和CdSe中的基态精细结构分裂(FSS),理论计算的FSS和实验结果符合很好,并且发现自旋三重态对基态折FSS起着重要的影响。  相似文献   

5.
本文在强场图象下推导了3d4/3d6离子在三角晶场中包括自旋-轨道相互作用的哈密顿矩阵公式.采用双SO轨道模型计算了Fe2+离子在Ⅱ-Ⅵ半磁半导体CdTe和CdSe中的基态精细结构分裂(FSS).理论计算的FSS和实验结果符合很好.并且发现自旋三重态对基态的FSS起着重要的影响  相似文献   

6.
采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法, 在6-311+G(2df)基组水平上, 对气相赖氨酸(Lys)分子和Lys2-的基态稳定构型进行优化, 并用含时密度泛函理论(TD DFT)方法考察气相Lys分子和带电离子体系单重激发态的特性. 结果表明: Lys分子体系捕获双电子时, 其体系能量有所增加; S1单重激发态与S0基态能量差值变小; 分子体系的荧光波长增加; S7单重激发态跃迁轨道数减少.  相似文献   

7.
采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法, 在6-311+G(2df)基组水平上, 对气相赖氨酸(Lys)分子和Lys2-的基态稳定构型进行优化, 并用含时密度泛函理论(TD DFT)方法考察气相Lys分子和带电离子体系单重激发态的特性. 结果表明: Lys分子体系捕获双电子时, 其体系能量有所增加; S1单重激发态与S0基态能量差值变小; 分子体系的荧光波长增加; S7单重激发态跃迁轨道数减少.  相似文献   

8.
在单电子Hartree-Fock近似及扩展离子处理方法(SLC方法)的基础上,考虑了KF中F心电子处于激发态时晶格相互作用的四极子模型;计算了基态和激发态的能量;给出了相应的能量和离子坐标间关系的能量-位形图。计算的辐射能和实验符合得很好。  相似文献   

9.
用Huckel分子轨道法计算丙烯醛分子基态和激发态的能量及基态与激发态的偶极矩,结合极性溶剂与丙烯醛的分子间作用力,得出丙烯醛分子在极性溶剂中电子跃迁能量变化.结果表明:n→π*跃迁时ΔE极>ΔE非;π→π*跃迁时ΔE非>ΔE极,与实验结果相符合  相似文献   

10.
用半经验量子化学程序PM3对吡啶分子基态及第一激发态做了结构全优化计算,得到吡啶基态及第一激发态的分子轨道和其相应的能量,同时得到吡啶环各碳原子的电荷密度、成键度和自由价。计算结果表明Cl.与吡啶基态分子发生聚代反应,优翻天复地成2-氯吡啶,Cl.与吡啶激发态分子反应,优先生成4-氯吡啶。  相似文献   

11.
本文报导了硫醚系列化合物DMS(二甲基硫醚),DpCPS(二对氯苯硫醚),DpTS(二对甲基苯硫醚)气相Hel紫外光电子能谱(UPS)其中Dpcps,DpTS的UPS谱为首次获得。对各体系利用MNDO方法进行了分子构型优化,对优化得到的优势构型实施了RHF/6-31G量子化学计算,并利用计算结果对各个分子体系的UPS谱指认,计算结果分析显示;a)S原子的孤对电子在DpCPS和DpTS中起到阴碍形成  相似文献   

12.
在单中心球对称模型近似下,将单中心的XHn分子体系的基态总能量公式进行相关能修正,并把得到的理论公式编成程序,计算了XHn(X=C、N、O、Si、P、S)分子基态总能量,其结果比用其它方法的计算结果更接近实验值,且计算量小,为解决多中心分子问题提供一有效途径  相似文献   

13.
在LDF理论基础上,按Slater过渡态理论,利用Kohn-Sham-Dirac方程对原子系统的芯态和价态离化能进行第一性原理计算.以Ca和S原子为例,根据LDF本征值ξi、基态和激发态的LDF自洽收敛总能差△SCF、Slater过渡态理论三种方法计算结果与实验值对比表明,△SCF和Slater过渡态理论可以明显改善原子系统激活能的计算结果,而后者更具有实用且简单的优点,可推广到更复杂的系统.  相似文献   

14.
本文将文献[1]提出的应用于量子体系基态的最速逼近微扰理论(SAPT)推广到了激发态。本文证明,只要保持激发态尝试波函数正交于对称性相同的激发态或基态波函数,就能避免计算过程的变分坍陷,并通过逐步迭代(逐一计入其他各态的贡献)计算逼近体系精确的激发态能量和相应的波函数,且不存在瑞利-薛定谔微扰理论(RSPT)的无穷求和和最陡下降微扰理论(SDPT)需计算哈密顿量二次和三次方矩阵元的困难。本文的方法可用于求精确的激发态能量和波函数。  相似文献   

15.
运用AM1和PM32种自洽场分子轨道(SCF-MO)方法,通过能量梯度全估化计算,获得了6种4-甲醛环己硅烷生物分子的稳定几何构型、原子电荷、Wiberg键级、分子轨道能级、前沿轨道能级差以及生成热、偶极矩和第一电离能等分子的基本性质。2种方法的计算结果十分相近。  相似文献   

16.
用半经验量子化学程序PM3对吡啶分子基态及第一激发态做了结构全优化计算,得到吡啶基态及第一激发态的分子轨道和其相应的能量,同时得到吡啶环各碳原子的电荷密度、成键度和自由价. 计算结果表明, Cl·与吡啶基态分子发生取代反应,优先生成2-氯吡啶,Cl·与吡啶激发态分子反应,优先生成4-氯吡啶.  相似文献   

17.
首次报道了2-苯基喹喔啉和2,3-二苯基喹喔啉的气相HeI紫外光电子能谱,借助Gauss-94程序的RHF/3-21G基组优化几何构型,并彩RHF/6-31G基组进行了SCF分子轨道计算,依Koopman定理和谱带的特点对它们的UPS谱带给予指认,并通过对母体喹喔啉和丙苯基取代分子电子结构的研究来寻找电离能变化的规律性。  相似文献   

18.
采用密度泛函理论中的B3P86方法,在6-311++G(d,p)基组水平上,优化气相丙酮分子及带电离子的基态稳定几何构型,并用含时密度泛函理论(TD-DFT)方法,研究气相丙酮分子和离子的低激发态特性.结果表明:随着分子获得电子数目的增加,体系能量逐渐增加;S1激发态能量与基态能量差值ΔE减小;分子荧光波长急剧增加;电子跃迁轨道数减少.  相似文献   

19.
4种药物分子荧光光谱的量子化学研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用量子化学半经验RHF/AM1,对4种抗疟药物分子进行了构型优化,并用RHF/CIS方法分别计算了它们的荧光激发光谱,所得结果与实验值基本符合。  相似文献   

20.
本文采用可调相邻原子间距离及共振积分的P.P.P.-SCF-CI分子轨道法.计算程序为自编的P.P.P.-SCF-CI-1程序,采用ALGOL-60语言。计算在TQ-16型计算机上进行.对含有16个共轭p-轨道原子的蒽醌,经25次迭代即可收敛自洽.计算时间为 10分钟左右。 本文计算了几个与染料化学有关的简单有机化合物──非交替烃的富烯、含氮杂原子的吡啶、含氧原子的1,4萘醌、9,10-蒽醌的键级、键长、电荷密度及单重态、参重态跃迁能.计算结果与实验光谱数据符合得很好. 因此可以认为,该法可适用于计算具有较大共轭体系的染料及中间体化合物的吸收光谱.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号