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在盐酸介质中,以(NH4)2S2O8为氧化剂,杂多阴离子[CrMo6O24H6]3-为掺杂剂合成出了聚苯胺掺杂材料,用FT-IR,XRD进行了表征,测定了该材料的电导率、常见溶剂中的溶解度及其荧光性质.该材料的电导率为1.4×10-2S·cm-1,最高溶解度可达到0.60mg·mL-1,在以260nm和332nm为激发波长,可分别在425nm和567nm处得到荧光发射峰。 相似文献
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曹立群 《长沙水电师院学报》2001,16(4):79-80
制备了SO4^2-/TiO2/La^3 固体超强酸,并将其用于催化乙酸和乙醇的酯化反应,考察了影响反应的各种因素,获得了适宜的反应条件。 相似文献
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本文采用量子化学从头算方法在4-31G基组水平上对S3N2^2+、S3N2^+、B3N2^2+、B3N2^+离子进行了几何全优化,从优化几何、Mulliken重迭布居、原子净电荷等角度分析了这四种离子的电子结构,结果发现S3N2^2 和S3N2^ 电子结构相差很大,而B3N2^2 、B3N2^ 却很相似,产生此差别的原因主要是因为硫氮环与硼氮环离域π键的不同。 相似文献
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以水杨酸(H2Sal)和二吡啶[3,2-a:2′,3′-c]并吩嗪 (DPPZ)为混合配体,利用水热技术合成了未见报道的配合物{[Zn2(HSal)2(Sal)(DPPZ)2]2[Zn4(Sal)4(DPPZ)4]}·4H2O,并通过元素分析和X 射线单晶衍射对其结构进行了表征.结果表明该晶体属于三斜晶系,P-1空间群,a=13.821(2)(A),b= 15.694(3)(A),c=22.969(4)(A),α= 84.481(4) °,β=83.300(3)°,γ=64.366(3)°,V=4455.3(14)*!3,Z=1.该化合物由两个双核和一个四核结构单元构筑而成,且在相邻的配合物单元之间通过π-π堆积作用以及O-H…O氢键作用拓展为三维超分子结构. 相似文献
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采用计量电流法测定Os(bpy)3^2 在聚合物AQ单层和AQ和PVP组成的复合膜修饰电极中的扩散系数,结果显示复合膜中离子的扩散系数比单层膜中的扩散系数大。 相似文献
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在水热条件下,合成了一个新的配合物[Zn(TTBT)2(Hndc)2]·3H2O(1),并利用元素分析和X-射线单晶衍射对其结构进行了表征.结构分析表明:配合物属于单斜晶系,C 2/c空间群,a=28.186(6)(A),b:10.174(2)(A),c=19.050(4)(A),α=90°,β=113.26(3)°γ=90°,V=5 018.8(17)(A)3,Z=4,dc=2.224 g/cm3,μ=7.319mm-1F(000)=3 224,R1=0.068 3,wR2=0.168 4. 相似文献
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用X射线衍射及电子探针微区成分分析技术,研究了ZnO-Bi2O3-Sb2O3-BaO为基的压敏陶瓷的显微结构.除通常的ZnO、Bi2O2和Zn2.33Sb0.67O4晶相之外,发现了一新的晶界相.分析表明,新的晶界相是固溶有微量Zn的BaSb2O6晶相;它以颗粒状夹杂于弥散的Bi2O3晶界相中;随钡含量增加,BaSb2O6相的数量增多,粒径也增大,相应地Zn2.33Sb0.67O4相的数量则减少.同时还发现,晶界层中组分及结构的这种变化,使压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性得到改善. 相似文献
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杯芳烃是一种具有独特空穴结构和良好性能的大环超分子主体化合物,在超分子材料、离子传感器等研究领域具有广泛应用.以邻苯三酚、异戊醛为原料合成了2,8,14,20-四异丁基-邻苯三酚杯[4]芳烃.运用红外光谱,核磁共振氢谱、碳谱以及X-射线单晶衍射对其结构进行了表征. 相似文献
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对[0,1]格上双线性方程A☉X=B☉X解的一些性质作了讨论,然后给出了双线性方程A☉X=B☉X的结果集ρ.={R:(E)X∈x,A☉X=B☉X=R},最后得到该方程的解集N={X:A☉X=B☉X}. 相似文献
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本文合成了螯合萃取剂1-苯基-3-甲基-4-苯氧乙酰基-5-吡唑啉酮,并对Th4+、La3+、Cu2+、TiO2+、Cr3+6种金属离子的萃取行为进行了研究. 相似文献
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本研究了在弱酸性介质中,EDTA、Vc对H2O2—Fe^3 —o—AP反应体系的影内,实验结果表明,在H2O2—Fe^3 —o—AP反应体系中加入EDTA,由于EDTA对Fe^3 的络合作用,使Fe^3 的催化作用减弱,催化反应速度明显降低;加入Vc,由于Vc的还原作用,使Fe^3 还原为Fe^2 ,Fe^2 与H2O2发生Fenton反应,产生羟自由基,使催化反应速度明显增加. 相似文献
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探讨了光催化剂TiO2/C的制备条件和不同制备条件对NO2^-的光催化氧化效果,研究表明,制备TiO2/C的最佳条件为:Ti(OCH3)4的用量为10ml,附载光催化剂样品在400℃下焙烧5hTiO2/C的用量为0.5g时光催化效果最好。 相似文献
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本文研究了500keV As_2~ 和250keV As~ 注入单晶硅引起的辐射损伤及其退火行为.结果表明,As_2~ 注入比As~ 注入在硅中引入更大的辐射损伤;经快速热退火后,两类注入样品均能消除损伤,获得高的杂质替位率和电激活率;As_2~ 和As~ 注入样品的载流子浓度的分布有所不同,这是由于As_2~ 注入引入较大辐射损伤引起杂质的快速扩散所致. 相似文献