二次击穿的协同学原理

本文研究PN结的二次击穿。考虑温度与电流的合作行为,写出时率方程;进行稳定性分析;应用协同学原理,得到发生二次击穿的条件和预防二次击穿的途径;对电压急剧下降现象给出了物理解释。     

巨型功率晶体管二次击穿检测

概述了双极功率晶体管二次击穿机理.介绍了二次击穿的测试电路和测试方法.讨论了降低电流型二次击穿的方法和防止电流型二次击穿的电路改进措施.     

GaAs红外发光二极管的可靠性研究

从反向测试中出现的二次击穿器件，分析了其失效原因，表明晶体内缺陷或机械损伤琪的热斑引起器件发生二次击穿，从而提出了工艺改进措施。     

D574集成稳压器二次击穿的研究

本文分析了Ｄ５７４集成稳压器热二次击穿和电二次击穿的机理，详细论述了发生这两类二次击穿的条件和原因。     

变电站10KV电压互感器O相绝缘击穿故障原因分析与探讨

本文通过对某站由于10kV电压并列装置二次回路接线错误,导致10kV电压互感器O相在10kV线路接地时出现绝缘击穿的现象进行分析,针对暴露问题提出了采取的整改和防范措施。供电力系统的同行在发生类似问题时参考。     

鎢单晶体中位錯蝕斑的研究

本文指出了在钨单晶体{100}面产生金字塔形浸蚀斑,{111}面产生三角锥形浸蚀斑的浸蚀剂和浸蚀条件。通过浸蚀——抛光——再浸蚀的方法及亚晶界的分析,初步建立了位错和浸蚀斑间一一对应的关系。进一步运用这一技术研究了钨单晶中的亚晶界,通过倾侧性亚晶界的交结点的分析,指出钨单晶体中存有二组〈100〉柏格斯矢量的刃位错组成的不对称倾侧亚晶界,二组1/2〈111〉柏格斯矢量的刃位错组成的不对称倾侧亚晶界。文章还提出了分析二组非正交的异柏格斯矢量的刃位错所构成倾侧晶界(且观察面不与位错线正交)的较为一般的极图分析法。     

没有设备也要出成果——金德在、王凤芝同学坚持勤俭办科学的精神

六四金属物理的金德在、王凤芝小组的论文题目是“氯化钠单晶体中位错观察”。在半年的论文工作中,他们对二千五百多个样品进行了三千多次观察,拍摄了三百多张照片。除了验证前人的结论外,也提出了某些新的看法,把“浸蚀——退火——再浸蚀”的方法试用到亚晶界和位错运动过程的观察方面。实践证明。这是一个行之有效的     

开关电源中功率晶体管的二次击穿及防护

本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因，并结合开关电源的设计及生产实际，介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施。     

开关电源中功率晶体管的二次击穿及防护

本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因，并结合开关电源的设计及生产实际，介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施     

功率晶体管二次击穿无损测试研究

根据功率晶体管二次击穿的物理变化过程,设计出可行的二次击穿无损测试系统,并对系统各部分电路的工作原理作了介绍     

提高大功率开关晶体管二次击穿容量的一种方法

本文简述了硅双极型大功率开关晶体管产生正偏二次击穿的机理,提出一种提高硅双极型大功率开关晶体管二次击穿容量的有效方法,并以一种功率为225W(TC=25℃),BVCEO=200V,ICM=30A的高速开关晶体管为例,介绍了一种通过特殊版图设计和工艺设计的方法,使晶体管的发射结面积得到充分应用,消除了大电流时发射极的电流集边效应,从而提高了功率开关晶体管的正偏二次击穿功率容量.     

功率晶体管二次击穿无损测试研究

根据功率晶体管二次击穿的物理变化过程，设计出可行的二次击穿无损测试系统，并对系统各部分电路的工作原理作了介绍。     

功率晶体管(GTR)正偏二次击穿测试仪的研制

本文对功率晶体管(GTR)正偏二次击穿测试仪的研制进行了说明,并给出了主要技术参数。最后利用该仪器对GTR进行了测试,并对测试中的现象进行了分析。     

金属材料表面二次冶金对电击穿的影响

研究了合金真空击穿后,表面二次冶金过程及表面熔化层的显微组织对真空电击穿的影响．介绍了真空击穿的实验过程,测定了ＣｕＣｒ５０、真空Ｃｕ、４０Ｃｒ及ＣｒＣｕ５０中添加ＷＣ等合金的耐电压强度Ｅｂ,并对ＣｕＣｒ５０合金一次击穿和经１００次击穿后的表面组织进行了观察．研究结果表明：材料的首击穿具有选择性,电击穿老炼是电弧作用下表面发生二次冶金的过程,在ＣｕＣｒ合金中添加ＷＣ提高了Ｃｒ相的耐电压强度．     

低频大功率晶体管芯片的电子束退火研究

本文研究了电子束退火对低频大功率晶体管芯片的影响,结果证明,经电子束退火,芯片的机械抛光损伤、热氧化层错和位错都有显著减少.本文还研究了低频大功率晶体管的"云雾击穿".讨论了电子束退火对"云雾击穿"的影响.     

压痕诱发GaAs单晶中的位错组态

利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的位错组态进行了研究.结果表明,压痕周围产生了玫瑰型不对称的位错组态和二次对称分布的孪晶结构.这种位错组态是由晶体中六个滑移面上的形核、运动及相互作用而成.它们与材料中不同运动速度的α、β位错密切相关.     

NaCl晶体中位错观察

利用化学浸蚀法观察了NaCl晶体中的位错,验证了位错与蚀坑间的一一对应关系[1]。进一步利用浸蚀——退火——再浸蚀法研究了退火前后位错密度的变化,指出亚晶界吸收或放出位错是导致位错密度降低或升高的可能原因,并得到了实验证据。研究了亚晶界移动以及亚晶粒长大的过程,并对亚晶粒的长大机理进行了分析。最后指出,浸蚀——退火——再浸蚀法是研究亚晶界及亚晶粒组态的一种有效的方法。 利用交替浸蚀——抛光的方法研究了亚晶界的空间分布,指出在一般情况下亚晶界是空间曲面。     

开关稳压电源性能的改进

详细分析了开关稳压电源的工作过程，并针对功率晶体管的二次击穿，提出了RC吸收网络，并通过优化基极驱动减少晶体管的开关损耗，从而提高开关稳压电源的性能。     

基区调变晶体管的“交叉点击穿”

本文研究了基区调变晶体管的电击穿现象,提出了描述这种电击穿的“交叉点击穿”理论方法,并应用这个理论方法计算了集成电路中横向PNP管的交叉点雪崩击穿电压,理论值与实验值符合得相当好。     

扭转变形及退火处理对MP35N高温合金力学性能及微观结构的影响

采用扭转变形和退火处理调控MP35N合金的微观结构并改善其力学性能,对其力学行为进行微观机理分析。研究结果表明：扭转变形在合金径向上引入了梯度位错密度,使应变最大的表面处晶粒细化并引入大量层错。梯度结构的引入使得扭转变形后合金的强度显著提高至约767 MPa,同时拥有可观的均匀伸长率(约40%);进一步的退火处理并未改变扭转变形引入的梯度结构(包括梯度位错密度和晶粒尺寸),但退火处理导致合金中一部分位错的湮灭,并使得表面区域的层错转变为纳米孪晶。退火处理导致纳米孪晶的形成以及“铃木(Suzuki)效应”的作用使得合金发生了二次硬化。退火过程产生的二次硬化与位错湮灭导致的退火软化相抵消,二次硬化提供的强度约为76 MPa。