Zn~(2+)对电化学合成聚苯胺膜的影响

应用循环伏安法和扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnSO4 对电化学合成聚苯胺(PAN)的影响.结果表明,在含0.1 mol/L苯胺的1.0 mol/L硫酸溶液中加入 0.1~1.0 mol/L的 ZnSO4,能提高 PAN膜的电沉积速度;Zn2+还能使电聚合的PAN膜在1.0 mol/L H2SO4 溶液中的电化学降解速度降低,并导致PAN膜的表面呈现多孔状的形貌.     

电沉积铜箔CVD工艺生长缺陷可控少层石墨烯

通过气相化学沉积(CVD)工艺生长的石墨烯薄膜具有缺陷程度低且可实现层数可控等优良特点。基于硫酸铜酸性镀铜工艺,在不同的电流密度条件下采用电沉积技术制备超薄铜箔,并用作CVD工艺的基体,合成高品质少层石墨烯。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及多测试位置拉曼光谱技术对不同电沉积铜箔结构、表面形貌及其上生长的石墨烯进行分析。结果表明:电沉积铜箔的结构具有很强的择优晶面取向性,且其取向晶面与沉积的电流密度有关,在高温、H_2气氛退火处理后拥有比商业冷轧铜箔更有利于石墨烯生长的平整表面及连续滑移台阶;通过调控铜箔基体电沉积过程的电流密度及其厚度、反应前驱体气体H_2与CH_4流速比、CVD沉积时间以及铜箔退火时间等工艺参数,实现在电沉积铜箔表面生长出缺陷程度可控的少层石墨烯薄膜。     

超声波对电沉积Ni-Al_2O_3复合镀层的影响

采用超声-电沉积方式制备Ni-Al2O3复合镀层.并利用硬度仪、扫描电子显微镜(SEM)等研究超声波对镀层性能的影响.结果表明,最佳工艺为超声波频率f=19 kHz,超声波功率P=160 W;电流密度4 A/dm2,镀液中Al2O3颗粒浓度30 g/L,镀液pH值4.5,温度40℃.适当超声波作用下电沉积获得的复合镀层致密、平整,Al2O3颗粒在镀层中的分布状况有较大程度的改善.     

不锈钢基PbO2电极的制备及其电催化性能研究

采用阳极恒电流电沉积技术在0.30 mol/L、pH=1 ～2的Pb( NO3)2溶液中制备不锈钢基PbO2电极.采用X射线衍射、扫描电镜技术对电极的结构及表面形貌进行了表征和分析.对不锈钢基PbO2电极电催化氧化活性酚类模拟废水的去除率进行了研究,结果表明,在50 mA/cm2电流密度下降解0.01 mol/L酚类模...     

阴极电沉积法制备ZnO及其特性研究

用ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,采用阴极电沉积法在导电玻璃上制备出了一系列的ZnO薄膜。实验发现ZnCl2的浓度对ZnO薄膜的光学性质有重要影响,ZnCl2浓度依次为0.01mol/L、0.03mol/L和0.05mol/L。当ZnCl2的浓度为0.01mol/L时薄膜的光学性能最好,此时发射谱出现紫峰和绿峰。XRD分析表明,薄膜是ZnO的多晶结构。     

聚苯胺电致变色薄膜的制备及性能

以苯胺单体为原料,采用电化学沉积法在玻璃衬底FTO导电薄膜上合成聚苯胺电致变色薄膜.采用恒电流法,研究苯胺单体浓度、酸的种类、电沉积时间、电流密度等对薄膜制备及电致变色性能的影响,确定合成聚苯胺薄膜的最佳条件.结果表明,聚苯胺电致变化薄膜的最佳制备条件是0.15,mol/L苯胺单体的1,mol/L硫酸溶液,以10,μA/cm2的电流密度电沉积40,min.该条件下制备的薄膜的着色效率较无机电致变色薄膜高,但仅能循环105次.     

镀液成分对Fe-Co-W薄膜结构和磁性能的影响

采用电沉积法在铜电极上进行了Fe-Co-W磁性薄膜的制备,并研究了镀液中钨盐(Na2WO4·2H2O)含量对Fe-Co-W薄膜形貌、结构和磁性能的影响。镀液组分浓度为Fe SO4·7H2O 0.08 mol/L,Co SO4·7H2O 0.05 mol/L,Na2WO4·2H2O 0.01-0.015 mol/L,H3BO30.2 mol/L,Na3C6H5O7·2H2O 0.2mol/L。结果表明,Na2WO4·2H2O含量对薄膜的表面形貌影响较大。随着溶液中Na2WO4·2H2O含量的增加,薄膜中W含量增加,纳米晶晶粒尺寸减小,薄膜矫顽力减小,在Na2WO4·2H2O为19.8 wt.%时薄膜为非晶态,Co含量反常增加,导致矫顽力反常增加。在Na2WO4·2H2O含量为27.3 wt.%时,其薄膜矫顽力为2.74 Oe,软磁性能最佳。     

利用离子膜电解槽在氯盐电解质中电沉积金属锰

对阴离子交换膜电解槽在氯盐电解质中电沉积锰进行研究,并采用循环伏安法对其进行电化学分析。研究结果表明:电解最佳条件是锰离子浓度为0.9 mol/L,氯化铵浓度为2.4 mol/L,电解温度为40℃,电流密度为450A/m2,pH为7.3,SeO2浓度为0.36 mmol/L,在此条件下,金属锰的电沉积效率为90.8%,电耗为4 816 kW·h/t;其晶型为γ型;利用离子膜电解槽电沉积金属锰能有效地防止阴极表面Mn2+的浓差极化,提高电流效率,该过程所发生的还原反应为扩散过程控制。     

Mn3+/Mn2+间接电氧化法分解辉钼矿

采用Mn3 /Mn2 间接电氧化法湿法分解辉钼矿.在强酸介质中,媒介Mn3 /Mn2 氧化能力很强,能将MoS2氧化分解为MoO3和硫酸,且锰离子可以循环利用.探讨了Mn3 /Mn2 间接电氧化法的工艺条件,结果表明:在H2SO4浓度为7 mol/L,MnSO4浓度为0.5 mol/L,电解电量为20 A·h·g-1,电极间距15 mm,阳极电流密度为800 A·m-2,矿浆液固比为40,温度为55 ℃的条件下,钼的浸出率为88.5%.此外,对氧化浸出过程采用了超声波外场强化,Mo浸出率可以提高到92.3%.     

间接电合成邻溴苯甲醛

采用间接电合成法,以Ce4 /Ce3 为媒质合成了邻溴苯甲醛.在隔膜电解槽中Ce3 电氧化的最佳条件是c(Ce3 )=0.6mol/L,c(H2SO4)=0.5mol/L,电流密度200A/m2,电量1.0F/mol,Ce4 的电解收率90.9%;槽外合成邻溴苯甲醛的最佳条件是n(Ce4 )∶n(邻溴甲苯)=4∶2,c(H2SO4)=0.5mol/L,反应温度80℃,邻溴苯甲醛反应收率82.3%.