大功率白光LED恒流驱动电路系统设计

设计了一种新型LED恒流源电路.根据LED在低电流驱动时端电压与PN结温度成线性的特点,采用＂低电流测压法＂间接测量LED的结温,防止LED结温过高,延长LED寿命.采用LT3755为LED恒流驱动芯片简化电路,并采用无电解电容的DC/DC电路延长恒流源寿命.实验结果表明：LED恒流源电路工作稳定,效率高.     

浅谈半导体灯具的散热机构设计

LED灯珠是一种半导体材料,与普通二极管一样具有PN结,由于高亮二极管的功率相对比较大,所以与功率半导体器件相同,需要考虑散热问题,结温过高会直接影响LED灯珠的寿命,并且会增大LED灯珠的光衰,情况严重的会将LED灯珠烧坏,所以如何有效提高半导体灯具的散热效果成为人们关心的问题之一。文章探讨半导体灯具的散热机构设计,希望能在室内外照明及装饰等诸多领域得到推广与应用。     

LED知识问答

※什么是LED?LED是英文Light Emitting Diode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封。     

探究热管在大功率LED路灯中的应用

LED（Light Emitting Diode,发光二极管）属于半导体发光器件,而半导体器件伴随着自身温度的变化,其特性会明显的变化。对于LED。结温的升高会导致器件各方面性能的变化与衰减。这种变化主要体现在如下3个方面：     

大功率白光LED的结温与发光光谱特性研究

 以两种不同型号的大功率白光LED为研究对象,通过热阻法和正向压降法综合测量LED的结温,利用荧光光度计测量LED光谱,研究大功率白光LED的结温与光谱之间的关系。结果发现对于不同类型的LED管,光谱蓝白比W/B（W为整个白光发光光谱的积分,B为蓝光部分的积分）与PN结结温Tj均存在线性关系,但线性关系式不同;对于同一LED管,小电流对应直线斜率的绝对值比大电流的大。对这些特点及其相关的物理机制做了分析。     

功率LED芯片键合材料对器件热特性影响的分析与仿真

针对倒装型功率发光二极管器件,描述了功率LED器件的热阻特性,对不同芯片键合材料的功率LED热阻进行了分析,并运用AN SY S软件对3类典型芯片键合材料封装的功率LED热特性进行了仿真。仿真结果表明:采用功率芯片键合材料提高了功率LED的散热特性、降低器件PN结温,而采用普通热沉粘接胶作为芯片键合材料的功率LED的PN结温则较高,因此普通热沉粘接胶不适合用作功率LED的芯片键合材料。     

对电子测温系统的研究与实现

PN结半导体二极管测温是现代家电设备(例如热水器)中常用的一种技术,即用来测试外界温度。本设计将采用传感器、数字和模拟电子、单片机技术实现温度检测和控制,再利用数码管显示温度值。本系统由四个模块构成:采样模块,A/D转换模块,控制模块,显示模块。由于温度信号是一个模拟量,不能直接与单片机交换信息,要由PN结半导体二极管进行采样,放大处理,再经过芯片ADC0809进行A/D转换,然后采用动态扫描方式驱动四位LED数码管显示。控制模块由AT89S51提供,往AT89S51编程,用软件来实现温度控制和温度的显示。整个电路简单,在这个精度要求不太高测温系统易于实现。     

肖克莱对表面物理的贡献

本文依据所掌握的物理学史料,在简要回顾固体物理和表面物理发展历史的基础上,着重叙述肖克莱对表面能级的描述、表面态的最早认识和半导体表面特性研究,尤其是对开启了半导体电子时代的大门的半导体PN结表面特性的开创性研究.时至今日,PN结表面的研究还在继续.为了重新认识肖克莱对表面物理的贡献,在肖克莱诞辰100周年纪念之际,特撰此文.     

高功率微波激励下p—n结器件响应

通过采用时域有限差分方法（FDTD）和混合算法处理半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组，建立PN结半导体器件在高功率微波（Hight Power Microwave）激励下瞬态响应的一维模型，并在此基础上进行二极管功率耗散情况的分析和对微波信号响应截止频率的计算，从而对PN结半导体在高功率微波激励下的损伤机理进行研究，计算表明，二极管功率耗散主要集中在源电压正半周峰值附近，器件的热击穿应发生在信号的正半周期内，10GHz应可视为该二极管对微波信号响应的截止频率。     

LED汽车前照灯的散热机理与模拟

利用热电制冷原理对LED汽车的前照灯进行系统散热模拟,研究LED的结温,半导体制冷器的工作状态,散热器热阻之间的关系。模拟结果表明,利用多级半导体制冷给汽车LED前照灯散热比较有实用价值。     

PN结在大注入条件下的数学分析

本文结合半导体物理中的复合理论的知识对发生大注入条件下的PN结的电流公式进行数学推导。在学习理工科课程的过程中若只接触到语言性描述是很不足够的,有必要通过对数学描述的逻辑理解而达到一个认知的高度。由于大部分教材对于PN结大注入的数学描述往往是一笔带过的,许多学生不免对PN结大注入条件下的电流公式的得出颇感困惑。针对这一问题,本文详细介绍了PN结大注入条件下的电流公式的得出过程,旨在帮助初学者理解PN结大注入这一物理现象。     

注入判据

一、建立注入判据的必要性PN结理论是半导体结型器件的理论基础,PN结的正向电流—电压特性是这个理论基础的重要组成部分,这个理论以在小注入和大注入两种特殊情况下正向PN结空间电荷区边界处非平衡少子浓度和结电压之间的关系为基础,导出了正向PN结电流——电压之间的两种关系式,这是人们所熟知的。以均匀掺杂的N~ P结为例,即小注入(小注入条件是△n(xp )∠∠Ppo)时     

PN结在大注入条件下的数学分析

本文结合半导体物理中的复合理论的知识对发生大注入条件下的PN结的电流公式进行数学推导。在学习理工科课程的过程中若只接触到语言性描述是很不足够的,有必要通过对数学描述的逻辑理解而达到一个认知的高度。由于大部分教材对于PN结大注入的数学描述往往是一笔带过的,许多学生不免对PN结大注入条件下的电流公式的得出颇感困惑。针对这一问题,本文详细介绍了PN结大注入条件下的电流公式的得出过程,旨在帮助初学者理解PN结大注入这一物理现象。     

我国LED技术发展及应用

<正>LED(Light Emitting Diode)是一种借外加电压激发电子而发光的光电半导体组件,其基本结构是将一块电致发光器件置于一个有引线托架上,四周用环氧树脂密封并保护内部芯线。由于不同材料禁带宽度不同,LED可发     

脉冲激光沉积制备ZnO电致发光器件的研究进展

电致发光器件具有广阔的应用前景。而ZnO具有优良的发光特性,已成为制备电致发光器件材料的研究热点。近年来人们一直积极探索利用各种工艺方法制备ZnO电致发光器件,希望获得发光效率高的器件,其中利用脉冲激光沉积（PLD）法制备ZnO电致发光器件成为备受关注的课题,本文综述了用脉冲激光沉积制备ZnO电致发光器件的研究进展,包括ZnO同质结器件和ZnO异质结器件。     

蓝光LED的前世今生

<正>它被誉为"爱迪生之后的第二次照明革命"第2.5次工业革命中,有一项重要的成果,就是蓝光LED。蓝光LED是属于半导体光电子领域的一个重要成果,它的发明被誉为"爱迪生之后的第二次照明革命"。2014年11月7日,瑞典皇家科学院宣布将2014年诺贝尔物理学奖授予日本科学家赤崎勇和天野浩以及美籍日裔科学家中村修二,表彰他们为"发明有效率的蓝色发光二极管,催生明亮而节省能源的白色光源"做出的贡献。在下文中,我们就来讲讲蓝光LED的前世今生。     

基于热传导设计的光辐射二极管器件散热研究

大功率光辐射二极管(light emitting diode,LED)散热技术已成为半导体照明产业发展的一项关键技术。设计了一种含热导管的LED散热器,分析了工作原理和结构特点。利用热电类比的方法对该散热器的热阻进行了详细的分析;并且推出了散热器总传热系数的方程式,最后通过实验测试了散热器各特征点的温度,验证了该散热结构设计的可行性与正确性。     

GaN基二维八重准晶光子晶体制备与应用

针对半导体发光管（LED）器件普遍存在的出光效率低下的问题,首次采用聚焦离子束技术成功地在GaN基发光器件上制备了GaN二维八重准晶光子晶体（2D-8PQCs）结构。并将二维八重准晶光子晶体应用于电注入器件,当刻蚀孔径为600nm,空气填充因子为30％时,得到了表面出光效率高达2.5倍的增强。通过微区电致发光与发光图样的研究,证实二维八重准晶光子晶体结构抑制了导波模式的传播,将LED中导波模式耦合到辐射模式,从而起到改进表面出光的作用。上述结果为二维准晶光子晶体在GaN基发光器件中的应用提供了一种可能的途径。     

物理学奖：蓝光LED成就全新高效光源

10月7日，诺贝尔物理学奖评审委员会在瑞典首都斯德哥尔摩宣布，3名日本出生的科学家因发明高亮度蓝光发光二极管（LED）而获得2014年度诺贝尔物理学奖。3名获奖者分别为85岁的日本名城大学教授赤崎勇、54岁的名古屋大学教授天野浩和60岁的美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二。     

四、LED政策发展分析——我国及主要省市LED产业政策分析

LED产业是当前全球最具发展前景的战略性新兴产业之一。在全球各国加紧制定LED发展规划的同时，我国政府也高度重视、政策频出，紧锣密鼓地推进LED产业的发展步伐。2008年底，科技部、财政部启动半导体照明应用工程（简称“十城万盏”）试点工作。2009年10月，国家发改委、科技部等六部委联合发布《半导体照明节能产业发展意见》。我国还在＋大重点节能工程、高技术产业化示范工程、企业技术升级和结构调整专项、863计划新材料领域中分别设立了LED技术的研发和产业化项目。此部分主要从产业政策的角度，介绍国内、省内LED产业政策，并研究美国、日本、韩国等主要国家和地区的LED产业政策，分析借鉴先进经验和做法。