蒙特卡罗法模拟低失能近轴背散射电子能谱

用蒙特卡罗法模拟了探测到的高能同轴凝散射电子的能谱,分析了入射电子能量、靶原子序数和探测角对归一化能谱的影响,结果表明：当入射电子能量增加和靶原子序数减小时,弹性散射峰值逐渐降低,背散射电子数峰位向低能端移动;探测角的改变对能谱形状基本没有影响,利用较低的入射能量、较大的探测能量窗口和角值有利于背散射率的提高;大的入射电子能量和小的探测能量窗口对应较大的背散射率的相对变化率,探测角值对背射率的相对变化率基本没有影响,可以利用大的探测角值提高背散射率以改善信噪比。     

低失能近轴背散射电子的蒙特卡罗模拟计算

基于低失能近轴背散射电子的新型分析扫描电子显微镜的３个可调参数,入射能量、探测能量和探测角,本用蒙特卡罗方法模拟入射电子在被分析样品中的运动轨迹,分析和讨论了上述３个参量对背散射率,原子序列度,形貌衬度,信噪比和分辨率等的影响,结果表明蒙特卡罗模拟计算对实验调试具有指导作用。     

蒙特卡罗法模拟薄样品中低失能近轴背散射电子

用蒙特卡罗方法模拟计算了样品中的高能同轴背散射电子的背散射率和厚度衬度。结果指出：用较大的探测能量窗口和大的探测角可在确保厚衬度的前提下增强信噪比,大的入射能量虽有利于厚度衬度,但不利于提高信噪比,薄膜沉积在异质衬底上的模拟结果显示,虽然背散射率中包含有衬底材料的信息,但还是膜层厚度的单调变化函,有可能通过凝散射率的测量来判定薄膜厚度。     

YWD—1A型扫描电子显微镜的背散射电子成象

现在的扫描电镜几乎毫无另外地有背散射电子成象系统。这是由于在扫描电镜里,背散射电子象比二次电子象虽然在信号强度、分辨率等方面赶不上二次电子成象,但是背散射电子象具有一些二次电子象所比不上的优点,如能观察高蒸汽压样品,原子序数Z的反差较高,在正常工作电压下信噪比较高,消除了电荷积累造成的假象等等。 背散射电子探测方式可以是多种多样的。可以是与二次电子的探测共用一个Everhart探测系统;可以是用独立的Everhart系统专门探测背散射电子,把其放在适当的位置,以图达到最好的效果;可以是几个Everhart探测系统放置在样品附近的不同位置,以期从不同的角度探测需要的背散射电子;可以是用一可塑性光导管代替Everhart系统中的玻璃光     

电子背散射衍射分析技术——一种新型的晶体材料研究方法

介绍了一种新型的晶体材料研究方法——电子背散射衍射分析技术.简介了电子背散射衍射分析的发展,阐明了电子背散射衍射产生的机制和电子背散射衍射分析的基本原理。说明了电子背散射衍射分析系统的性能特点,概述了电子背散射衍射分析的应用.     

基于纳米MOSFET噪声的背散射系数研究

传统噪声理论提取背散射系数时,引入的参量较多并依赖量子力学计算,或是采取大量的假设而使得到的结论存在偏差.本文将基于Navid模型推导MOSFET噪声的背散射系数,进一步得到了短沟道器件在线性区和饱和区的背散射系数,并给出测量背散射系数的方法.在此基础上,对背散射系数随沟道长度、偏置电压和温度的变化特性进行分析,除此之外,用实验和Monte Carlo模拟验证了背散射系数与偏置电压特性,该方法得到的背散射系数与各参量的变化特性与文献给出的结果相吻合.     

同轴背散射电子相互作用体积的蒙特卡罗模拟

根据利用高能同轴背散射电子的扫描电子显微镜的工作原理，用蒙特卡罗方法模拟了电子束在样品中的相互作用范围，分析被探测电子的出射深度分布、计算了逸出面密度分布、平均进入深度和平均逸出距离，讨论了上述量与入射电子能量、能量损失窗口、探测角及样品体密度之间的关系，结果表明，入射电子能量、能量损失窗口和样品体密度对相互作用范围影响较大，而探测角对相互作用范围基本没有影响，最后指明了改变分析范围的途径。     

不同加速电压对不导电样品扫描电镜图像的影响

利用蔡司Ultra55场发射扫描电镜观察原子力显微镜探针和聚苯乙烯微球在不同加速电压下的二次电子图像和能量选择式背散射电子图像.结果发现:在合适的低加速电压下,样品可以直接观察,不需喷金处理,而且二次电子图像所呈现的样品表面细节更丰富,更清晰;能量选择式背散射电子图像样品成分衬度明显,可以有效消除荷电现象和各种假象.     

原子内壳层电离截面研究中薄靶厚度的卢瑟福背散射分析

作者使用^241Amα标准源与卢瑟福背散射相结合的方法，对四川大学原子核科学技术研究所的2．5MeV静电加速器进行了能量刻度，并利用卢瑟福背散射方法测量了一系列A1衬底金属薄靶的厚度，所测结果与称重法进行了比较，作者将卢瑟福背散射方法所测厚度值运用到电子碰撞引起原子内壳层电离截面的测量工作中，取得了满意的结果。     

电解抛光技术在电子背散射衍射分析中的应用

电解抛光技术是一种简便易行的表面加工技术,获得试样的表面粗糙度低,光亮度高,常用于电子背散射衍射技术测试试样的最终处理。文章在对电解抛光原理分析和加工工艺的选择和调整的基础上,分别对TRIP钢和钛合金试样进行电解抛光工艺,试样表面满足电子背散射衍射技术的要求。文章对相关的试样制备具有很好的借鉴作用。     

背散射成像及能谱分析在细粒煤流化床分选中的应用

对细粒煤进行气固流化床分选实验,并利用扫描电子显微镜背散射电子成像(BSE)和能谱仪(EDX)元素面分布技术对分选结果进行分析,探索该技术在评价细粒煤气固流化床分选效果中应用的可行性.结果表明,根据不同元素背散射系数差异,背散射电子图像可以很好地区分出各分选产物中的煤与其他无机矿物质组分,元素面分布定性和定量分析也可有效判断无机质元素的赋存状态,两者的联合使用,可快速有效地评价分选结果.     

新型扫描电镜分辨率的蒙特卡罗模拟

用蒙特卡罗方法模拟计算了利用高能同轴背散射电子的扫描电子显微镜的空间分辨率，点源模型的模拟结果显示小的入射能量、探测能量窗口及探测角值对应较好的分辨率，对由两种不同元素构成的边界而言，模拟结果显示：好的分辨率对应较小的探测能量窗口和较大的探测角，最佳的入射能量是10keV。在合理优化电镜工作参数的前提下，最佳空间分辨率可达束斑大小的量级。     

电铸超细晶材料的微观组织研究

应用电铸法制备超细晶粒金属Cu ,对电铸工艺参数与形成的材料的微观组织的关系进行了探讨。运用扫描电子显微镜 (SEM )和电子背散射衍射 (EBSP)等实验手段 ,对电铸Cu的显微组织及晶粒的生长方向进行了系统研究。研究表明 :电铸Cu材料晶粒十分细小 (晶粒尺寸在 1μm 3μm范围 ) ,且内部晶粒的晶体取向沿材料的法线方向存在择优取向 ,即有丝织构的存在 ;同时 ,通过对电子背散射所获得的极图与反极图进行分析可知 ,丝织构受电铸液成份的影响     

医用X射线在背散射成像中应用初探

在分析X射线背散射原理和成像机制的基础上,通过对利用医用X射线放射成像设备进行背散射信号的获取、存储及图像处理的说明,分析了医用X射线背散射成像的可行性和主要的技术方向.从理论和实验两个角度,描述了物质原子序数对X射线背散射成像的影响、试验环境的影响和噪声的产生机理及影响。实验表明,医用X射线作为对人体安全的射线源能够提供有效的信号,可以进行人体的X射线背散射成像研究。     

HR3C奥氏体耐热钢晶界蠕变损伤的电子背散射衍射分析

对不同条件下的HR3C奥氏体耐热钢蠕变试样进行性能测试和微观结构观察,研究奥氏体耐热不锈钢蠕变沿晶破坏行为和损伤特征。电子背散射衍射（EBSD）分析结果表明,不同蠕变速度下材料的晶粒尺寸基本不变,未产生择优取向,但高蠕变速度条件下部分孪晶界演变成一般晶界,而低蠕变速度下原始孪晶结构基本保持不变。EBSD分析结果清楚地反映了微观蠕变应变的不均匀性。沿晶微裂纹和蠕变空洞的产生和扩展是最显著的损伤特征,这些损伤现象与不同蠕变速度下的蠕变机制及晶界性质密切相关。     

P—D背散射截面及质子在固体中的多次散射

报道了由质子束轰击Ｍｏ厚衬底上的氘化钛薄膜的背散射谱得出的Ｐ－Ｄ背散射的截面数据。由于－ＰＤ散射谱是叠加在Ｐ－Ｍｏ背散射谱上的，所以通过对服从卢瑟福塔面公式的Ｐ－Ｍｏ背散射谱进行理论合而间接得出Ｐ－Ｄ背散射产额。     

P－D背散射截面及质子在固体中的多次散射

报道了由质子束轰击Ｍｏ厚衬底上的氯化钛薄膜的背散射谱得出的Ｐ－Ｄ背散射的截面数据．由于Ｐ－Ｄ散射谱是叠加在Ｐ－Ｍｏ背散射谱上的，所以通过对服从卢瑟福截面公式的Ｐ－Ｍｏ背散射谱进行理论拟合而间接得出Ｐ－Ｄ背散射产额．讨论了质子在固体中的多次散射对Ｐ－Ｍｏ散射谱高度的影响，这种影响是不能忽视的，它使实验谱和不考虑多次散射效应而得出的理论谱有很大差异．并根据实验数据总结出了多次散射造成谱的升高对散射能量、散射深度、及散射角度的依赖关系．     

固体乏燃料表面的卢瑟福背散射模拟研究

为了研究固体乏燃料表面核素的种类、含量以及厚度对卢瑟福背散射能谱的影响,通过SIMNRA软件模拟背散射能谱,研究了I、Pm、U等典型核素及核素含量、靶材厚度对背散射能谱的影响.结果表明,不同核素对应不同的能量峰,核素的元素质量数越大,背散射能量越大;核素含量越高,相应的能谱高度(峰面积)越大.此外,能谱的半高宽度与靶材的厚度存在线性关系,能谱的半高宽度正比于靶材的厚度越厚.     

铒离子注入碳化硅后的射程分布和射程离散

鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散对器件性能的影响,应用卢瑟福背散射技术研究将剂量为5×1015cm-2的400 keV能量的Er+离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。用SRIM2006模拟软件对能量为400 keV的Er+离子注入SiC晶体的深度分布进行了理论模拟,把理论模拟值跟测出的实验值进行比较,发现两者符合较好,从而为今后利用Er+离子注入SiC晶体掺杂制作光电集成器件提供参考依据。     

B、N掺杂4-ZGNR电子输运性质的理论计算

运用密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法,对锯齿型石墨烯纳米带4-ZGNR掺杂B、N原子的电子输运进行了计算.结果得到在0～1.0V的电压范围内,4-ZGNR及其分别掺杂B、N原子3种纳米器件的电流-电压曲线具有明显的非线性关系;掺杂B、N对4-ZGNR费米能级附近电子的输运起到了一定抑制作用,在一定能量区域的电子存在完全共振背散射;4-ZGNR掺杂B原子后表现出负微分电阻现象.