KMgF3：Mn^2＋晶体自旋晶格—耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下，建立了轴对称（三角和四角）晶场中3d^5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式，进而得出相应的自旋-晶格耦合系数G11和G44，并将上述公式应用于KMgF3：Mn^2 晶体，在不引入调节参量的情况下，得到的计算值G11和G44与实验结果符合较好。     

KMgF_3∶Mn~(2 )晶体自旋晶格-耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下 ,建立了轴对称 (三角和四角 )晶场中 3d5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式 ,进而得出相应的自旋 晶格耦合系数G11和G4 4.并将上述公式应用于KMgF3 ∶Mn2 晶体 ,在不引入调节参量的情况下 ,得到的计算值G11和G4 4与实验结果符合较好 .     

Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu2+离子中心各向异性g因子研究

采用3d9离子斜方对称g因子的高阶微扰公式计算了Nasico型晶体Cu0.5Zr2(PO4)3中Cu2+离子中心各向异性g因子(gx,gy,gz),其中斜方晶场参量由重叠模型并联系晶体中Cu2+离子所处的局部结构确定。研究表明,晶体中Cu2+离子中心配体八面体平面键角相比理想斜方对称的90°要小10°左右,由此所得的因子计算结果与实验符合较好。     

ZnGa2Se4:V3+ 光谱的理论研究

应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵, 在考虑和忽略静电参量B00的条件下, 分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa2Se4:V 3+能级以及低对称分裂的影响; 计算了ZnGa2Se4:V 3+晶体的能级的低对称分裂, 并与实验值进行比较. 计算结果与实验值符合很好. 研究发现: 在对ZnGa2Se4:V 3+晶体的光学性质进行理论研究时, 在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的; 晶场参量B00对ZnGa2Se4:V 3+的能级有重要影响, 因此不能忽略.     

Nd3+∶Er3+∶YAlO3激光晶体中的能级结构

利用晶体场理论和不可约张量方法，采用中间态耦合及新的参数公式，对稀土离子能级精细结构及波函数进行理论计算，给出Er     

3Cu(IO3)2·2H2O中Cu2+离子两种占位的吸收光谱和g因子

在晶体场理论基础上,推导出了3d9离子在压缩四角对称晶场中2B1g态混合进基态2A1g的EPR g因子的三阶微扰公式.用该公式研究了晶体3Cu(IO3)2·2H2O中Cu2+离子两种占位的EPRg因子,并分别计算了它们的电子吸收能级,理论研究合理地解释了实验结果.     

过渡金属钨钼碳化物和氮化物的弹性常数计算

利用局域密度泛函理论和LMTO-ASA方法结合线性弹性理论,从第一原理计算了B1结构的WC、MoC、WN和MoN晶体的弹性切变模量C_(11)-C_(12)和C_(44),再由体弹性模量B_o=(C_(11)+2C_(12))/3求得上述四种晶体的弹性常数C_(11),C_(12)和C_(44),由于目前尚无上述四种晶体的弹性常数实验数值,本文的计算结果可作为一种理论预测值。     

(C12H8N2)2MnCl2晶体的水热合成与表征

用水热方法合成(C12H8N2)2MnCl2晶体,并用X射线衍射仪对其结构进行表征.该晶体属单斜晶系,P21/c空间群,a=0.9472(2)nm,b=1.52036(11)nm,c=1.4527(2)nm,α=γ=90°,β=98.96(2)°,V=2.0664(6)nm3,Z=7.     

ZnGa2Se4:V3+ 光谱的理论研究

应用区分t₂和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵, 在考虑和忽略静电参量B₀₀的条件下, 分别研究了t₂和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa₂Se₄:V ³⁺能级以及低对称分裂的影响; 计算了ZnGa₂Se₄:V ³⁺晶体的能级的低对称分裂, 并与实验值进行比较. 计算结果与实验值符合很好. 研究发现: 在对ZnGa₂Se₄:V ³⁺晶体的光学性质进行理论研究时, 在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t₂和e轨道共价性的差异是非常有必要的; 晶场参量B₀₀对ZnGa₂Se₂4:V ³⁺的能级有重要影响, 因此不能忽略.     

(Na0.5Bi0.5)0.945Ba0.055TiO3单晶的生长及光学性能研究

采用顶部风冷籽晶助熔剂法成功生长出了(Na0.5Bi0.5)0.945Ba0.055TiO3(简称NBBT5.5)晶体,晶体尺寸达到了Φ35mm×12mm;研究了粉料的热学性质、晶体的结构、光学性能及压电性能.实验结果表明,晶体具有三方相四方相共存的钙钛矿结构.通过研究粉料的DSC-TG曲线,得到了制备单晶材料的预烧结的温度以及烧结温度,优化了NBBT单晶材料的制备工艺,降低了Bi2O3和Na2O的挥发.晶体具有优良的光学性能,在369nm处晶体处于全吸收,390nm以上晶体是透明的,1 000nm处透过率达到72%.NBBT5.5晶体的压电常数d33为438pC/N,是一种极具应用潜力的无铅压电材料.