中心Ga原子和周边取代基F原子对Corrole荧光性能的影响

采用稳态和时间分辨的光谱技术对比研究了Corrole大环中插入镓（Ga）原子及环周边取代基氟原子（F）数目的增多对Corrole荧光性能的影响.稳态吸收和荧光光谱表明：Corrole环中Ga原子的插入能增强Corrole的B带和Q带吸收,而周边修饰的拉电子取代基F的增多则减小Corrole的B带和Q带吸收.Ga原子的插入大大提高了Corrole的荧光量子产率;周边修饰的拉电子取代基F的增多亦能使Corrole的荧光量子产率有所提高.瞬态发光动力学测量结果表明：环中Ga原子的插入导致了Corrole更短的荧光寿命,周边修饰的拉电子取代基F的增多反而使得Corrole的荧光寿命稍变长.分析表明：在Corrole大环中插入Ga原子既大大提高了Corrole的荧光量子产率又缩短了其荧光寿命,使得相应的辐射跃迁几率提高了10倍左右;周边修饰的拉电子取代基F的增多提高了荧光量子产率且亦增长了Corrole荧光寿命,但最终使得辐射跃迁几率略微有所增加.     

新型光敏剂Corrole激发态动力学研究

通过采用稳态和飞秒荧光上转换的激光光谱技术,测量了三种新型光敏剂镓Corrole:F10-Ga、P-OHGa及P-P-Ga分别在非极性溶剂甲苯和极性溶剂乙醇中的吸收和发光过程。结果表明,苯环上的单羟基与吩噻嗪取代对镓Corrole的吸收和发光性能影响不明显。而三种镓Corrole在乙醇中的B带吸收峰都明显蓝移、荧光峰则明显红移、荧光量子产率减小,而且激发态弛豫过程S2→S1明显比在甲苯中慢。     

一种用于光动力治疗的新型Corrole化合物发光特性研究

通过稳态光谱和皮秒时间分辨的瞬态光谱技术详细研究了一种用于光动力治疗的新型化合物-5,10,15-三(五氟苯基)Corrole(F15TPC)的发光性质.结果表明:F15TPC具有双荧光发射特性;与卟啉相比,F15TPC的S2态荧光量子产率低,S1态荧光量子产率高,F15TPC的S1态荧光寿命为4.8 ns,F15TPC的S1态具有荧光量子产率高、荧光寿命短的特点.这是由Corrole和卟啉发色团本身的电子结构以及其空间结构和对称性差异引起的.根据实验结果及Corrole和卟啉在光学性质方面的相似性,对Corrole的S2态电子转移过程进行了类似的讨论.     

一种用于光动力治疗的新型Corrole化合物发光特性研究

 通过稳态光谱和皮秒时间分辨的瞬态光谱技术详细研究了一种用于光动力治疗的新型化合物－5,10,15-三（五氟苯基）Corrole（F₁₅TPC）的发光性质。结果表明：F₁₅TPC具有双荧光发射特性;与卟啉相比,F₁₅TPC的S₂态荧光量子产率低,S₁态荧光量子产率高,F₁₅TPC的S₁态荧光寿命为4.8 ns,F₁₅TPC的S₁态具有荧光量子产率高、荧光寿命短的特点。这是由Corrole和卟啉发色团本身的电子结构以及其空间结构和对称性差异引起的。根据实验结果及Corrole和卟啉在光学性质方面的相似性,对Corrole的S₂态电子转移过程进行了类似的讨论。     

新型光敏剂HA的激发光物理特性与敏化单态氧测量系统

为了进一步揭示HA(hypocrellinA)的激发态能级结构和物理机制,我们采用了强激光激发的方法进行了实验验证.结果表明利用HA的强激发辐射效应从一个侧面证实了ESIPT的存在,对于HA分子需要双光子吸收才能实现ESIPT过程.在此基础上建立了一种新的测量HA单态氧荧光光谱和量子产率的方法,定量测定了HA光敏剂敏化单态氧的量子产率.结果表明:测定单态氧在1270nm的荧光光谱,是在红外区精确测量HA敏化单态氧量子产率的直观方法.     

同分异构体蒽和菲的荧光特征比较

荧光寿命和荧光量子产率在揭示同分异构现象对有机分子荧光的影响机制方面具有重要作用,有望成为区分水体中结构相似的有机污染物的光谱参数。对同分异构体蒽和菲的三维荧光光谱、荧光寿命和荧光量子产率进行了研究,结果表明：在三维荧光光谱中,蒽强荧光峰的发射波长相对于菲发生了红移,蒽弱荧光峰的激发波长和发射波长相对于菲均发生了红移;在激发波长为254.5 nm、质量浓度为5 mg/L的条件下,蒽和菲的荧光寿命分别约为4.4 ns和14.9 ns;蒽和菲的最大吸收波长分别为355 nm和292 nm,在25℃、质量浓度为1 mg/L的条件下对应的荧光量子产率分别为(29.07±0.61)%和(4.94±0.12)%。密度泛函理论的计算结果表明：在发射态下,蒽和菲的前线分子轨道能级差ΔE分别为0.284 56 eV和0.325 77 eV,说明蒽的分子硬度比菲小,蒽较不稳定,其π电子更容易从基态被激发到激发态,因而荧光强度和荧光量子产率比菲大;同时蒽上离域的π电子完成π-π^*跃迁所需的时间更短,因此荧光寿命更短。     

Se(IV)与藻蓝蛋白相互作用的谱学研究

用吸收、荧光、红外等谱学方法研究了藻蓝蛋白(PC)与Se(IV)的相互作用.结果表明,SeO2-3加入后,藻蓝蛋白在620nm处的特征光吸收减弱,并随Se(IV)浓度和时间的增加而降低,而278和347nm处的光吸收增强;荧光发射和荧光激发也逐渐减弱,而599和629nm处的2个激发峰的相对强度与对照相反.PC在475和662nm处分别出现共振散射峰.Se(IV)与PC的作用后,在595nm处出现强的共振散射峰,被指认为液相纳米硒粒子与PC生成的缀合物的共振散射峰.红外光谱图中,PC的酰胺I带为1653 2cm-1,为α螺旋,而PC-Se(0)生物缀合物的酰胺I带为1647 0cm-1,属无规则卷曲.     

菁染料的聚集态与荧光效应

本文着重研究了三只增感效率较高的菁染料在不同溶剂和不同浓度下的聚集态和荧光光谱。通常在甲醇溶液中染料的吸收光谱呈单分子态,荧光光谱有Stokes位移,在碱性水溶液中吸收光谱有明显双峰荧光光谱,而无Stokes位移,同时还计算了相应的荧光量子产率,结果为J聚集态的染料Ⅰ比产生二聚集态的染料Ⅱ的荧光量子产率高。菁染料的荧光光谱强度随不同的浓度、不同pH卤盐和表面活性剂的加入而发生变化。     

芘有机硼化合物的合成及对氟离子的识别

通过在硼原子上引入大体积的芳香取代基合成稳定的含芘二米基硼化合物(Ⅰ)。经紫外可见吸收光谱和荧光光谱分析,研究其光物理性质及对F-的识别性质。结果表明:化合物具有较强的蓝色荧光发射,在四氢呋喃(THF)中荧光峰位为428 nm;由弱极性溶剂正己烷(荧光峰位在413 nm处)到强极性溶剂乙腈(荧光峰位在435 nm处),化合物荧光光谱峰值红移22 nm,荧光量子产率由0.98降为0.68;将四丁基氟化铵逐渐滴加入化合物Ⅰ的THF溶液中,其吸收光谱和荧光光谱均伴有旧峰消失和新峰出现的现象:吸收光谱的旧峰在383和399 nm处,新峰出现在324、338和353 nm处;荧光光谱的旧峰在429 nm处,新峰出现在385和403 nm处;继续滴加四丁基氰化铵,其吸收光谱和荧光光谱均无明显变化。     

联苯基取代聚噻吩衍生物的合成及其发光性能研究

为了研究侧链芳香基团对聚噻吩衍生物发光性能的影响 ,采用偶联反应合成了反应单体 3-联苯基噻吩 ,然后在三氯化铁的氧化作用下聚合 ,得到了聚 (3-联苯基 )噻吩 (PBPTH) .通过红外光谱、紫外可见光谱以及核磁共振氢谱对材料的结构进行了表征 .在紫外光谱上 ,PBPTH的最大吸收峰位于 4 0 6nm处 ,比聚(3-辛基 )噻吩 (P3OT)的吸收峰蓝移了 34nm .在荧光光谱上 ,PBPTH的光致发光峰位于 5 36 8nm处 ,比P3OT的发光峰蓝移了 32nm .研究结果表明 :由于侧链联苯基的空间位阻作用 ,导致了聚合物共轭程度的降低 ,从而造成了吸收光谱和发光谱的蓝移 ;PBPTH的发光强度与P3OT相比有了明显的下降 ,说明联苯基生色团不足以补偿共轭程度降低对发光性能的影响     

Pr~(3+)掺杂Ge-Ga-S-KCl硫卤玻璃的近红外发光研究

采用熔融淬冷法制备掺Pr3+(0.1%,0.3%,0.5%,0.7%)(按物质的量计算百分数,下同)的0.64GeS2-0.16Ga2S3-0.2KCl硫卤玻璃.测试玻璃的光学吸收谱和光致发光谱,在红外吸收谱中有4个明显的吸收峰,分别是Pr3+的基态3H4向3F4,3F3,3F2和3H6激发态跃迁引起的吸收.近红外区的3个发光峰,分别对应1D2→1G4(~1 390 nm),3F4→3H4(~1 430 nm)和3F3→3H4(~1 480 nm)的跃迁.0.5l%PrCl3掺杂时该组分玻璃的发光强度最高,而且吸收峰和发光峰峰值位置比相应的硫系玻璃有蓝移.分析表明:吸收峰和发光峰的蓝移是由于硫卤玻璃的离子键性比相应的硫系玻璃的离子键性强,导致Pr3+的相应能级间隔增大.     

银纳米粒子/玻璃复合材料的离子交换和溶剂热法制备及其光学性质的研究（英文）

利用离子交换技术结合溶剂热还原法在玻璃中及其表面生长Ag纳米颗粒制备了银纳米粒子-玻璃复合材料.通过扫描电镜、紫外-可见吸收光谱和荧光光谱对样品的形貌和光学性质进行了表征,并研究了离子交换及还原条件对复合材料性能的影响.结果表明:随交换温度、还原时间或还原温度的增大,银纳米粒子-玻璃复合材料的吸收峰均蓝移;而随交换时间的延长,吸收峰先是红移再发生少量蓝移.在波长为400 nm的激发光下,银纳米粒子-玻璃复合材料在530 nm附近具有一个较宽的发射带,且其发光强度随交换时间、还原时间或还原温度的增大逐渐降低.     

基于紫外光修饰法调控水热合成ZnSe量子点的荧光光谱的研究

水热合成的ZnSe量子点具有严重的表面缺陷,导致了其荧光发光不稳定,限制了它的实际应用。采用紫外光修饰法,调控水溶性ZnSe量子点的荧光光谱,结果表明:随着紫外光修饰时间的增加,近带边发射峰红移且发光强度显著增强;同时出现584 nm的表面缺陷峰且发光强度逐渐增强。随着紫外光对合成产物ZnSe量子点溶液修饰时间的增加,增加了量子受限效应和表面缺陷,使得近带边荧光发射峰强度增强且红移,而表面缺陷辐射峰值位置不变,但强度有大幅的增加。此研究结果可以应用于生物传感和光开关等器件领域。     

碳纤维/ZnO复合材料的制备和性能研究

通过对碳纤维表面进行修饰,利用低温液相沉淀法制备了碳纤维/ZnO复合材料并对其结构、形貌和发光性能进行了研究.结果显示,样品的紫外-可见吸收峰约为376nm,相应的带隙宽度约为3.30eV.由样品的荧光光谱得出,样品除了具有位于384nm的微弱的近带边紫外发光峰之外,还有位于597nm的强的绿光发光带.样品经过退火之后,绿光峰降低.这可能归于ZnO中氧空位的减少.通过对原始样品和经过退火处理样品的荧光光谱的研究得出,样品的绿光发射归于氧空位.     

Cd与Se比例对CdSe量子点发光性能的影响

硒化镉(CdSe)量子点具有荧光量子产率高、稳定性好以及光谱易于调节等优点,在发光二极管、太阳能电池及荧光标记等领域有着广阔的应用前景,而研究不同工艺条件对其性能的影响具有重要意义.以金属氯化物为Cd和Se源,以巯基丙酸(3-MPA)为包覆剂利用水相回流反应法在100 ℃下反应120 min制备了系列CdSe量子点,并讨论了不同Cd与Se比例时样品的形貌、带隙及光学性能的变化.CdSe量子点的尺度在2.19~2.57 nm,最强激发峰位于431 nm,发射峰位于561 nm,吸收光谱带边从460 nm蓝移到450 nm,表明样品在合成过程中,Cd与Se比例对样品的性能有一定的影响.     

C6H5X·Y-（X,Y=F,Cl,Br,I）中氢键和卤键的理论研究

通过MP2/aug-cc-pVDZ理论方法计算研究了C6H5X.Y-(X,Y=F,Cl,Br,I)体系中的氢键和卤键.计算表明所有的卤代苯都能与卤素离子形成氢键相互作用,氢键强度顺序为:C6H5FCl->Br->I-.C6H5Cl,C6H5Br,C6H5I能与卤素离子形成卤键相互作用,卤键强度顺序为:C6H5ClCl->Br->I-.分析结果可以发现体系中的卤键强度差异要大于氢键,说明在此体系中卤键具有比氢键更大的选择性.     

分子筛负载CdS及改性PE复合材料的制备与性质

 采用分子筛负载CdCl₂,再与Na₂S反应获得负载纳米CdS的分子筛M-CdS,将其与聚乙烯复合得到具有特殊光性能的材料PE/M-CdS。通过紫外可见吸收光谱、荧光光谱和DSC等对复合材料的光性能和结晶性能进行了表征。结果表明：PE/M-CdS复合材料在540~550 nm波长范围呈现明显的荧光发射现象,并且随着M-CdS含量增加,荧光发射峰略微红移,荧光强度先增强后减弱。紫外光谱显示复合材料在280~325 nm有明显的吸收峰,且随着M-CdS含量的增加而增强。M-CdS对PE具有异相成核作用,复合材料结晶温度提高。随M-CdS含量增加,PE结晶生长受阻,熔融热焓下降,结晶度降低。     

萘醌溶液的吸收和荧光光谱分析

研究了萘醌的吸收光谱特性和紫外光激励下的荧光光谱特性,分析了吸收光谱和荧光光谱随萘醌浓度改变的变化规律及两种光谱技术检测萘醌的工作曲线和检测限。结果显示,萘醌溶液对波长245 nm的紫外光有强烈的吸收,在331 nm处有次吸收峰出现,且吸收峰的强度随溶液浓度的降低(10→2μM)呈线性衰减。萘醌吸收光后有较好的荧光发射性能,在250~600 nm波段有明显的荧光发射,荧光峰位于423 nm处。最佳激励波长为306 nm,荧光峰的强度随溶液浓度的变化(10→2μM)呈线性分布。萘醌浓度梯度的吸收和荧光光谱分析结果显示,两种检测方法对于萘醌的检测限均为2μM。     

盐酸巴马汀的光谱性质研究

在不同极性和不同酸度介质中考察并探讨了巴马汀的荧光光谱和紫外光谱特性.随着溶剂极性的增加,巴马汀的溶解性增大,吸收峰强度明显增大且红移.巴马汀的荧光发射光谱受溶剂极性的影响也很显著.随着溶剂极性的降低,源于醇式巴马汀的第二个荧光发射带紫移且荧光强度显著提高,而第一个发射带对极性不敏感.pH对巴马汀溶液的吸收和荧光光谱影响都较小.量子产率在二氯甲烷溶剂中达到最大.结果表明,巴马汀对周围介质环境的敏感程度较高.     

Ga掺杂70Ge纳米晶的制备与研究

通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂70Ge(锗)纳米晶,并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)、激光拉曼散射谱(LRS)的测量与研究.结果表明：随着Ga杂质浓度的增加,580 nm附近的荧光峰的发光强度不断地下降,这可能是非辐射的俄歇复合过程与纳米晶数量的减少共同作用的结果.此外,从PL上面看到580 nm附近的荧光峰蓝移则可能是由纳米晶尺寸的减小和非辐射的俄歇复合过程引起的.