背面敏感SRSF传感器的研究

针对＂传感器中毒＂现象，在正面敏感的扩展电阻硅流量（ＳＲＳＦ）传感器的基础上，提出背面敏感的ＳＲＳＦ传感器，并设计出相应的表面贴装元件（ＳＭＣ）封装形式。理论推导和测试结果表明：背面敏感的ＳＲＳＦ传感器的输出电压与流体流速、流向的关系可表述为：；芯片厚度对灵敏度影响很大，其最佳值为１５０μｍ。在最佳厚度下，背面敏感方式虽然牺牲了ＳＲＳＦ传感器的１０％的灵敏度，但却能有效防止传感器中毒，ＳＭＣ封装形式使背面敏感ＳＲＳＦ传感器的正、反流向对称性大大改善。     

Sn－SnO_x薄膜的湿敏特性研究

研究了利用ＶＥＴＯ技术获得的一种新的Ｓｎ－ＳｎＯｘ电阻式薄膜湿度传感器；湿敏薄膜包含β－Ｓｎ、ＳｎＯ和ＳｎＯ２态，ＳＥＭ观察表明，孔尺寸在０．１～０．５μｍ之间的表面结构对应着高性能的湿度传感器，环境湿度从１１％～９７％ＲＨ的变化过程中，传感器阻抗变化约三个量级，传感器具有小子３０ｓ的恢复时间。     

集成扩展电阻硅流量传感器的研究

提出了一种新型集成扩展电阻硅流量传感器。此结构的工作原理是基于热传导原理，即当流体流过加芯片时，芯片两端的温差可以用于测量流体的速度。由于应用硅扩展电阻作温度敏感元，故ＳＲＳＦ传感器适用于测量温度较高的流体。分析和实验研究结果表明，ＳＦＳＲ传感器具有如下特点：小流量时灵敏度较高，有方向敏特性；与标准ＩＣ工艺兼容，可制成集成化流量传感器。     

主动噪声抵消中初级传感器到次级声源间系统函数的辨识

提出了一种应用于主动噪声抵消系统中求解初级传感器到次级声源之间系统函数的辨识算法，简称ＰＳＩ，算法以频域最小二乘系统辨识算法为核心，首先根据实测数据用ＩＦＬＳ算法辨识出初级传感器到误差传感器之间的系统函数Ｈ，再根据实测数据用ＩＦＬＳ算法辨识出次级声源到误差传感器之间的系统函数Ｈ２，然后用模拟激励方法通过白噪声间接激发初级传感器到次级声源之间的各种模态；再次利用ＩＦＬＳ算法辨识初级传感器到次级声源之     

SPR 光纤传感器

ＳＰＲ光纤传感器是把光纤和ＳＰＲ原理结合在一起而形成的，既利用了ＳＰＲ高灵敏性的特点，又利用了光纤的特殊优点，具有很大的潜在价值     

集成CMOS流量传感器

本文提出了一种与硅栅ＣＭＯＳ工艺相兼容的集成ＣＭＯＳ流量传感器，该器件由于采用了交叉差分恒流源技术，与硅双极型流量传感器相比，具有相近的灵敏度。     

一种新型声表面波温度传感器的研究

利用声表面波技术（ｓｕｒｆａｃｅａｃｏｕｓｔｉｃｗａｖｅ，ＳＡＷ）研究传感器，能使传感器无源且易于实现遥测，从而可以使其应用于某些普通传感器无法应用的特殊场合。研究设计了一种ＳＡＷ无源温度传感器以及相应的遥测系统，指出了其中的几项关键技术，计算了该传感器的灵敏度。实验证实，这种温度传感器及其系统是完全可行的。它不仅具有灵敏度高、测温范围广等特点，而且由于传感器的无源和遥测，可望用于转子温度测量等特殊场合。     

改进型PVDF—MOSFET超声传感器声学和电学特性

本文提出了一种利用绝缘钝化ＰＩ膜垫高扩展栅电极的改进型ＰＶＤＦ—ＭＯＳＦＥＴ超声传感器的结构，从而达到减小寄生电容和提高灵敏度的目的．实验测量表明，该传感器工作在λ／４的振动模式下，具有良好的电压传输特性和频响特性，灵敏度比普通ＰＯＳＦＥＴ传感器提高了３．８ｄＢ。     

Si3N4／SiO2栅pH—ISFET传感器的设计与模型

提出了一种含微参比电极和择优差补偿单元的背面引线ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的新结构，实现了敏感元和信号处理电路的完全隔离；基于ＳＤＢ／ＳＤＩ材料和硅微机械加工技术，研制成ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器；讨论了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２绝缘栅中硅醇基与胺基所占比率对Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ４栅ＰＨ－ＩＳＦＥＴ的敏感性能和稳定性的影响，对进一步改善ＰＨ－ＩＳＦＥＴ的敏感性能提供了一种实际的考虑。     

YDS-Ⅲ79B,YDS-Ⅲ79K型石英晶体三维力传感器的设计与研究

本文着重叙述了三维压电石英力传感器的原理和优点，介绍了所研制的 ＹＤＳ－ Ⅲ７９Ｂ及ＹＤＳ－Ⅲ７９Ｋ型三维力传感器的结构设计、工艺特点、压电效应与晶片切 型的选择，并对传感器在力、电转换过程中可能出现的一些问题，从各个方面进行了 分析，指出了解决的途径和可能采取的方法。 本文最后介绍了该传感器的标定及其技术指标、三维力测试系统及其应用举 例．     

POSFET压电传感器结构参数与特性的研究

本文分析了ＰＯＳＦＥＴ压电传感器的结构参数与特性。理论分析表明ＰＶＤＦ薄膜的声学灵敏度与膜的厚度和膜的弹性刚性系数成正比。实验结果显示，ＰＯＳＦＥＴ传感器的输出峰值随扩展栅面积的增加而增大，随沟道长度的减小而增大。ＰＯＳＦＥＴ传感器的灵敏度比之ＰＶＤＦ直接粘贴硅背衬传感结构提高了２０ｄＢ。     

固体电解质SO_x(x=2,3)气体传感器性能评价①

采用Ａｇ－β－Ａｌ＿２Ｏ＿３为固体电解质，以金属银为参比电极，多孔铂为工作电极，构成全固态ＳＯ＿ｘ电化学气体传感器，其响应电动势符合能斯特方程。评价研究了４５０～７５０℃温度范围内，温度、ＳＯ＿ｘ分压、气体流速与电动势响应之间的关系；在工作范围内，大量的ＣＯ＿２，ＮＯ＿２的存在不影响传感器对ＳＯ＿ｘ的响应。     

可用于＋300℃检测的新型硅扩展电阻温度传感器

提出一种结构新颖的硅扩展电阻温度传感器，这种传感器与硅平面加工技术兼容，易于集成化，当传感器在２ｍＡ的正向偏置电流下，由于少数载流子的不连纽性以及多数载流子的注入，传感器电阻的正温度系数区拓宽到５７３Ｋ以上。本文探讨传感器的图形设计理论和电阻－温度关系，与实验结果吻合。这种ＳＲＴ传感器在温度和流速检测中将得到广泛应用。     

固体电解质（SOx（x=2,3）气体传感器性能评价

采用Ａｇ－β〃－Ａｌ２Ｏ３为固体电解质，以金属银为参比电极，多孔铂为工作电极，构成全固态ＳＯｘ电化学气体传感器，其响应电动势符合能斯特方程，评价研究了４５０－７５０℃温度范围内，温度，ＳＯｘ分压，气体流速与电动势响应之间的关系；在工作范围内，大量的ＣＯ２，ＮＯ２的存在不影响传感器对ＳＯｘ的响应。     

Si（001）／α—Al2O3（1102）（SOS）膜取向的表征

通过理论分析提出了一种在Ｓｉ（００１）／α－Ａｌ２Ｏ３（１１０２）ＳＯＳ膜上，标定出Ｓｉ」１１０「方向的方法，并在实验中得到验证。该法便于精确控制和检测制作薄膜的外延方向，为制作性能优异的ＳＯＳ膜压力传感器提供了可靠的质量保证。     

多晶硅压力传感器温度自补偿性能研究

介绍了多晶硅压力传感器的温度特性。重点研究了ＬＰＣＶＤ．Ｐｏｌｙ－Ｓｉ膜的掺杂浓度对传感器温度特性的影响。通过理论分析和实验研究，找到了实现传感器温度自补偿的最佳掺杂浓度值。获得了工作温度高，温度特性好的压力传感器，实验结果与理论分析相符。     

新型二氧化硫传感器的制备

制成一种新型无参比电极,由ＮＡＳＩＣＯＮ和ＹＳＺ２种因素电解质及Ｎａ２ＳＯ４辅助电极构成的二氧化硫传感器,实验结果表明,该传感器对二氧化硫产生Ｎｅｎｓｔ响应,由于这种传感器采用了平面结构,参比电极和工作电极处于相同气氛中,消除了氧气的影响和密封问题,这种结构有利于传感器的微型化和多组元复合传感。     

平面型无参比电极二氧化硫传感器

制备了一种新型无参比电极由ＮＡＳＩＣＯＮ和ＹＳＺ两种固体电解质及Ｎａ２ＳＯ４辅助电极构成的二氧化硫传感器。实验结果表明,该传感器对二氧化硫产生Ｎｅｒｎｓｔ响应。由于这种传感器采用了平面结构,对比电极和工作电极处于同样气氛中,消除了氧的影响和密封问题,同时有利于传感器的微型化和多元复合。     

一种免疫传感器—霍乱免疫传感器

免疫传感器是叙述基于单克隆抗体固定在离子选择电极膜上，该生物传感器的电位在室温下ＰＢＳ缓冲液中测得。在１０＾６个菌体／ｍＬ时，灵敏度达到２０ｍＶ。并讨论了霍乱免疫传感器的影响因素和今后方向作了简介。     

SO_4~（2－）电化学传感器的研制与应用

以金属铅为基体电极，用电化学氧化手段修饰铅电极表面，制备了铅基ＰｂＳＯ４化学修饰的电极。实验表明，该修饰电极在选定条件下，对ＳＯ离子有近似能斯特响应，是一种的ＳＯ电化学传感器，并将该电极用于水泥试样中ＳＯ３的测定。