椭圆偏振光研究O^＋2注入Si的退火特性

用椭圆偏振仪测量了O^ 2注入Si后的椭偏参数Φ和△。给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系，同时，对离子注入片在N2气氛中进行等时热退火，测量了Φ和△，给出了O^ 2注入Si的退火特性，结果表明：O^ 2注入Si的退火特性曲线，对不同的注入剂量和注入能量分别为“V”形和“W”形，对此结果，我们进行了初步地分析和讨论。     

椭圆偏振光研究O_2~+注入Si的退火特性

用椭圆偏振仪测量了O+2 注入Si后的椭偏参数Φ和Δ ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系 .同时 ,对离子注入片在N2 气氛中进行等时热退火 ,测量了Φ和Δ ,给出了O+2 注入Si的退火特性 .结果表明 :O+2 注入Si的退火特性曲线 ,对不同的注入剂量和注入能量分别为“V”形和“W”形 .对此结果 ,我们进行了初步地分析和讨论     

B^＋注入Si的辐射损伤和退火特性

本文用ｘ射线衍射仪测定了Ｂ＾＋注入Ｓｉ的摇摆曲线，用阻尼最小二乘法模拟实验曲线，借助于“多层模型”和ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｂ＾＋注入Ｓｉ后辐射损伤随注入深度，注入剂量的变化，并用不同的温度进行等时热退火，给出了辐射损伤恢复的退火特性。     

双晶衍射研究O2^＋注入Si

本文用双晶衍射给出了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．用Ｌｅｖｅｎｂｅｒｇ—Ｍａｒｇｕａｒａｔ法模拟实验曲线，根据ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ后，晶格应变随注入深度、注入剂量和退火温度的变化．我们还给出了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ的椭偏参数、△，并将它们换算成折射率ｎ．结果表明，Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ引起晶体微观结构的变化—晶格应变与晶体宏观光学性质—折射率的变化基本上一致．     

Mev^28Si^＋注入GaAs的退火行为

报导 MeV 硅离子注入半绝缘 GaAs 的快退火行为,根据缺陷作用原理分析了硅的不均匀激活和载流子分布特征.指出应按载流子浓度、迁移率、埋层电阻和击穿等特性综合评价深埋层和近表面层的品质,优化注入和退火参数.     

As^＋注入Si中的晶格应变

本文借助于双晶Ｘ射线衍射和椭圆偏光谱研究了注入能量为１６０ｋｅＶ,不同剂量６和不同退火温度（５００－７００℃）Ａｓ＾＋注入Ｓｉ的性质。用Ｘ射线衍射的动力学理论和多层模型拟 了双晶衍射的摇摆曲线,得到了晶格应变随深度的分布。     

椭圆偏振光的全反射

计算并讨论了椭圆偏振光经界面全反射后，椭圆形状随入射角的变化而变化。     

椭圆偏振光旋转特性实验研究

借助GSZF-3偏振光实验系统和计算机模拟,利用波片的相位延迟特性,将椭圆偏振光转变成线偏振光。然后根据线偏振光的振动方向,判断偏振光是左旋偏振光还是右旋偏振光。     

椭圆偏振光的定量检测

对椭圆偏振光的光强进行了相对测量，从而使得对椭圆偏振光从定性观察过渡到定量检测。     

论椭圆偏振光的旋转方向

从椭圆偏振光的表达式出发 ,讨论了椭圆偏振光的旋转方向与位相差的关系 ,由此提出了椭圆 (圆 )偏振光旋转方向的判定法则。并针对不同的光学教材所采用的电矢量的不同表达形式 ,分析了判断椭圆偏振光旋转方向易出错的原因 ,指出了判断椭圆偏振光旋转方向应注意的问题 ;同时介绍了按电矢量的空间分布特点判断椭圆偏振光旋转方向的新方法     

椭圆偏振光折反射时特性分析

以菲涅耳公式为基础,详细分析和讨论了椭圆偏振光在界面上发生折射、反射时,折射、反射椭圆偏振光的长短轴、方位角、旋光性等特性随入射角变化的规律.     

■注入Si 的晶格应变与扩展电阻

本文用全自动化x射线衍射仪给出了As~+注入Si的x射线衍射峰分布。用Levenberg-Marguarat法模拟实验曲线,根据x射线衍射的运动学理论,在试探应变函数和多层模型的基础上,通过自编程序计算给出了As~+注入Si后晶格变随注入深度、注入剂量和退火温度的变化。同时,测量了As~+注入Si后在不同温度下的扩展电阻,将扩展电阻换算成电阻率。结果表明,离子注入引起晶体微观结构的变化——晶格应变与晶体宏观电学性质——电阻率的变化基本上一致。     

椭圆偏振光和部分偏振光检验的理论依据与实验方法

利用矩阵光学的方法,从理论上推导了椭圆偏振光和部分偏振光检验的依据;建立了实验测试系统,并利用偏振光实验平台,测定了出射光的马吕斯定律曲线．实验结果和理论分析相吻合．     

偏振光器件作用效果的Poincare球表示

为更加形象直观地描述全偏光通过偏振光器件后的变换规律,以表示全偏光的Stokes矢量和表示偏振光器件的Mueller矩阵为基础,推导出了入射全偏光分别通过线偏器、旋光器和延迟器（波片）后的Stokes矢量,通过比较入射光偏振态和出射光偏振态在Poincare球上的位置关系,分析了前后偏振态的变换规律,结合数学表示和几何表示在Poincare球上清晰明确地表示出了偏振光器件的作用效果.     

线偏振光经介质分界面全反射后的偏振态

本文指出线偏振光经介质分界面全反射后一般情况下将蜕变成椭圆偏振光,并着重讨论了蜕变成圆偏振光的条件     

共振光散射法测定环境水样中镉的研究及应用

在体积分数1%的OP介质中,Cd2 与S2-反应形成憎液溶胶体系,可使体系共振散射光强度增强.通过实验确定了适宜的反应条件及共振光散射强度与镉浓度之间的关系.在λ=476nm处,共振光散射强度最大,并且共振光散射强度与镉浓度成良好的线性关系,线性范围为0.0～20.0μg/mL,相关系数r=0.9995,检出限为6.33×10-3μg/mL,RSD为1.19%～1.42%,样品加标回收率为98.80%～102.30%.该方法简便、快速,用于实际样品中镉的含量测定,其精密度和灵敏度均优于紫外可见分光光度法,测量结果与原子吸收法相比较,令人满意.