简讯

山东省科学技术委员会于一九八五年一月授予我校半导体研究所的《镓扩散工艺在高反压管生产中的应用研究》为科研成果一等奖;授予三等奖的有:生物系的《肝抑素对肝细胞增殖抑制的研究》、地理系的《利用陆地卫星图象进行鲁北盐碱土现状调查和面积统计方法的研究》和化学系的《汽轮机油抗乳化剂的研究》。     

液相钝化工艺的研究

本文对液相钝化工艺在高反压功率晶体管生产中应用方面的问题,进行了研究和总结,取得较显苦的效果。同时对生成表面钝化膜的化学反应机理、工艺操作过程以及出现的问题,作了分析和讨论。     

镓扩散工艺在高反压管生产中的应用研究

本文报导了用镓代替硼铝在高反压管中的应用。产品合格率,优品率均明显高于现行生产工艺。主要电参数已达日本BU208管的水平。实验表明,该工艺操作简便,抗沾污能力强,一是研制和生产高压器件的一条新的工艺途径。     

我校半导体研究所喜获双成果

我校半导体研究所于今年9月4日和9月28日先后通过了《开管镓扩散工艺在晶闸管生产中的应用》和《湿氢法开管镓扩散工艺及其应用》的技术鉴定。这两项技术研究均在国内有关工厂进行了试产论证,经受了实践的考验,经济效益显著。经予会专家们充分评议,一致认为该两项研究成果均属国内首创。《开管镓扩散工艺在晶闸管生产中的应用》是由裴素华等研究人员研制成功的。他们针对国内晶闸管生产存在着等级合格率(参数一致性)和动态参数较差的缺点,在原镓扩散工     

采用国产零件的高反压管热疲劳性能研究

本文详细分析了采国国产零件的高反压管的材料质量，镀层，组装工艺及热疲劳性能的相关因素，进而探索间歇寿命试验合格的国产功能器件之最佳生产工艺。     

第四届全国非晶态物理学术讨论会在我校召开

5月中旬,由我校和中国科学院物理研究所共同承办的第四届全国非晶态材料和物理学术讨论会在我校召开。中国科学院物理研究所和半导体研究所、金属研究所、北京大学、南开大学等全国80多个高等院校和科研单位的220余名代表参加了会议。这次会共收到来自全国各地的论文196篇,其中有我校3篇。这些论文,反映了我国在     

复合晶体管的电泳法玻璃钝化研究

一、玻璃钝化复合晶体管的方法 为了提高汽车电子点火装置的可靠性,复合晶体管一般采用单片式结构。我们采用Al-SiO_2膜保护,利用氢氟酸-发烟硝酸-冰乙酸组成的混合酸腐蚀挖槽,使电阻条及管芯四周台面同时形成,图1,图2分别为玻璃钝化复合晶体管管芯的平面图和剖面图。这种管子集电结结深为50～60μm,刻蚀出的台面沟槽深为70～80μm,在这个台面沟槽表面用电泳法被覆玻璃粉,然后经过熔凝制成玻璃钝化膜。     

ZQ高压功率二极管的玻璃钝化研究

本文研究报导了ZQ高压功率二极管的玻璃钝化方法,采用适当的腐蚀技术、玻璃粉涂敷技术和玻璃微晶化技术,获得了良好的内层玻璃钝化膜。实验结果表明,用该膜钝化的ZQ器件具有优良的可靠性和高温工作特性。     

高电压大电流晶闸管玻璃钝化技术研究

提出了台面造型的新方法，实现了在大台面、高电压、大电流晶闸管上采用玻璃钝化技术新的工艺途径。     

P~+-P-N硅器件表面的玻璃钝化

本文利用铅系玻璃、锌硼硅玻璃等四种不同组分的玻璃材料,对P~+-P-N结构的硅器件表面进行玻璃钝化的试验研究。用V-I法对玻璃钝化器件测试。玻璃钝化结果表明,1~#铅系玻璃可使器件常温下的阻断能力达到1800伏;含少量氧化铅的4~#锌硼硅玻璃钝化的器件表面,获得在150℃高温下具有稳定的高温阻断特性。对电泳涂层方法作了初步探讨。     

一种高压大电流半导体放电管的研究

针对常规半导体放电管在超大浪涌电流作用下,易局部过热而损坏这一问题,采用镓闭管扩散代替硼扩散、台面工艺解决二氧化硅不能掩蔽镓扩散所带来的问题、玻璃钝化工艺实现高压结面保护等方法。实验结果表明,通过镓扩散、台面刻槽、玻璃钝化和钛镍银多层金属化等工艺,提高了放电管的启动保护电压和最大浪涌电流,其最大浪涌电流达到6 kA,比设计值5 kA提高了20%。     

低温钝化玻璃的研制

本文吸收日本专利文献[1]、[2]、[3]高温钝化玻璃之特长,并与普通低温玻璃[4]相结合,研制成一种新型的低温钝化玻璃。在所试验的半导体元件(如3DK50、3 CT30G等)上获得成功。国内外已有的高温钝化玻璃,仅适用于以半导元件的整体为对象(如半导体二极管的钝化、封装)的一种模型方法;而本文研制的低温钝化玻璃适用于所有半导体元件、器件的钝化、封装。     

倒杯式耐高温高频响压阻式压力传感器

采用微型机械电子系统(MEMS)技术制作出了高精度、高灵敏度的硅隔离(SOI)倒杯式耐高温压阻力敏芯片,利用静电键合工艺将力敏芯片封装到玻璃环上,再通过玻璃浆料烧结工艺或高温胶黏剂将玻璃环装配到齐平式机械结构上,从而避免了管腔效应的影响,实现了耐高温高频响压阻式压力传感器的基本制作.通过有限元仿真和实验,分析了安装预紧力对传感器性能的影响,由传感器静态和动态实验得到传感器的精确度为±0.114%FS,动态响应频率为694.4 kHz,均满足火工品爆破测试等高温高频动态压力测试的要求.     

编写《物相分析》教材的实践与体会

<正>物相分析方法广泛应用于硅酸盐工业的各个领域,它可使工厂的生产和技术管理科学化,以达提高产品产量、质量的目的,《物相分析》是我校硅酸盐(水泥、玻璃)专业课程体系改革新设的应用性技术性的基础课程.根据教学大纲的要求,课程的教学目的主要是培养学生掌握硅酸盐工业原料及工艺产品物相分析的基础理论、基本知识和基本方法.以前,我校硅酸盐专业     

Ⅱ.具有国际先进水平的TCO膜玻璃基片中性清洗工艺

在半导体和电子元器件的生产行业中,玻璃基片的清洗是重要的工艺技术之一。以往常用的工艺多是采用酸性或碱性洗液,不仅洗涤效果不理想,而且易造成腐蚀、产生环境污染等。制备大面积透明导电膜,对玻璃基片的清洗工艺要求很高,研究设计新的清洗工艺是“七五”攻关课题的一部分。经过两年多的努力,物理系半导体研究室的同志们研究设计出了 TCO 膜玻璃基片中性清洗工艺。该工艺采用特制的 DZ—1、DZ—2     

《生产高性能电机磁瓦》项目通过上海科技成果转化促进会鉴定

2008年11月18日,在我校召开上海科技成果转化促进会《联盟计划》难题攻关项目《生产高性能电机磁瓦》鉴定会,鉴定会由上海科技成果转化促进会主持,项目负责人金鸣林教授代表项目组作项目研究报告。项目研究采取了产学研合作的形式,由上海龙磁电子科技有限公司参与项目的研究和生产,取得了良好的社会和经济效益。项目研究了将磁性材料采用稀土添加剂微米化技术及工艺优化,使得CaCO3、Si O2、H3BO3等均匀地分布于晶界之间,抑制了晶粒生长,从而使锶铁氧体电极磁瓦综合磁性能及产品的成品率显著提高,项目研究成果已达到国际先进水平,并拥有自主知识产权。鉴定委员会听取了项目研究报告和认真审阅有关鉴定材料后,一致同意通过鉴定。《生产高性能电机磁瓦》项目通过上海科技成果转化促进会鉴定     

“九五”国家重点科技攻关计划成果集锦

·信息技术· 集成电路工艺模块技术与共性技术 成果主要完成单位：清华大学微电子学研究所 联 系 人：李瑞伟 电 话： 010－ 62784681 地 址：北京清华大学 邮政编码： 100084编号： G201001 1.研究开发了高反压、超低漏电硅辐照探测器工艺,并用以研制成功系列硅光电探测器、 X射线探测器、硅微条高能粒子探测器、 64× 4 Pixel阵列硅探测器、硅紫外光探测器等,其超低漏电水平达到 0.05 nA/cm2/100μ m,处于世界领先水平。 2.对研制开发的 IC－ CAM系统进行了升级改造,系统工艺与质量管理功能更强,生产品种与工艺的调度更灵活…     

电解锰铬钝化液循环利用工艺技术研究

以电解锰工艺末端铬钝化废液为研究对象,采用氧化-分离工艺降低废液中三价铬离子、锰离子的浓度及提高六价铬浓度,对其开展氧化和树脂吸附实验,研究电解锰生产过程中铬钝化液在线循环处理.结果表明,使用高锰酸钾作氧化剂,可将废钝化液体系中的三价格转化为有效的六价铬,转化率达到86.0%,可返回钝化工序循环使用,锰离子被转化为二氧化锰,转化率达到69.5%,生成的二氧化锰沉淀易分离,氧化-分离工艺能够实现电解锰钝化废液的净化和循环利用.     

某些氧化物对ZnO-B_2O_3-SiO_2系钝化玻璃性能的影响

本文运用差热分析、X-衍射分析、偏光显微镜和电子显微镜的分析,研究了某些氧化物(SnO_2、Ta_2O_5和PbO)对ZnO-B_2O_3-SiO_2系钝化玻璃在热处理前后性能的影响。认为该系统结晶型钝化玻璃析出的晶相主要是ZnSiO_4、α-Zn_5B_4O_(11)及Zn_3B_2O_6,而且通过热处理可控制和调节玻璃的物化性能。该类玻璃可用作硅元件的钝化材料。     

我校1991年研究与发展状况在全国高校中名次居于前列

今年6月30日《广东科技报》第二版登载了中国管理科学研究院广东分院武书连等人的《中国大学评价——1991·研究与发展》一文,该评价是以国家教委发表的《1991年高等学校科技统计资料汇编》、《1991年全国高等学校社科统计资料汇编》和全国203名资深专家对上述资料汇编中反映研究与发展成果的各项指标综合评分为依据作出的。按此评价,我校总得分为53.96,其中自然