ESD对微波半导体器件损伤的物理机理分析

为了得到电磁脉冲对微波半导体器件的损伤规律,进而研究器件的静电放电损伤机理,首先对半导体器件静电放电的失效模式即明显失效和潜在性失效进行了介绍;其次分析了器件ESD损伤模型;最后通过对器件烧毁的物理机理进行分析,得到器件在静电放电应力下内在损伤原因。在ESD电磁脉冲作用下,器件会产生击穿效应,使内部电流密度、电场强度增大,导致温度升高,最终造成微波半导体器件的烧毁。     

高功率微波激励下p-n结器件响应

通过采用时域有限差分方法 (FDTD)和混合算法处理半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组 ,建立PN结半导体器件在高功率微波 (HightPowerMicrowave)激励下瞬态响应的一维模型 ,并在此基础上进行二极管功率耗散情况的分析和对微波信号响应截止频率的计算 ,从而对PN结半导体在高功率微波激励下的损伤机理进行研究 .计算表明 ,二极管功率耗散主要集中在源电压正半周峰值附近 ,器件的热击穿应发生在信号的正半周期内 ,10GHz应可视为该二极管对微波信号响应的截止频率     

高功率微波激励下p—n结器件响应

通过采用时域有限差分方法（FDTD）和混合算法处理半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组，建立PN结半导体器件在高功率微波（Hight Power Microwave）激励下瞬态响应的一维模型，并在此基础上进行二极管功率耗散情况的分析和对微波信号响应截止频率的计算，从而对PN结半导体在高功率微波激励下的损伤机理进行研究，计算表明，二极管功率耗散主要集中在源电压正半周峰值附近，器件的热击穿应发生在信号的正半周期内，10GHz应可视为该二极管对微波信号响应的截止频率。     

电子技术基础实验中集成运算放大器的代换

面对日新月异迅猛发展的半导体器件制造技术,在应用半导体集成电路越来越专业化的情况下,怎样以性能更好的新一代半导体器件代替已淘汰的半导体器件来完成电子线路基础实验.文中通过对新旧集成运算放大器LM×24系列与FC3集成运算放大器内部电路结构的分析、电路性能参数的比较,大胆提出用只有单电源应用电路的LM×24使用双电源供电,用LM×24系列集成电路代换FC3得以成功,使旧实验套件重新具有使用价值.     

PN结二极管计算机数值模拟研究

本文研究PN结半导体器件在高功率微波(HPM)激励下的损伤机理,建立起PN结稳态和瞬态行为的一维模型。利用偏微分方程软件FlexPDE求解PN结所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组,来分析其非线性响应特性。为今后的半导体器件的破坏阈值分析打下基础。     

电力半导体器件和装置的功率损耗研究

为了提高电力电子装置和电力半导体器件的运行可靠性 ,提出了估算电力半导体器件损耗和结温的热 -电联合计算方法。基于电力半导体器件的瞬态开关特性的测量 ,构造了器件精确的损耗数学模型 ,同时考虑了器件的结温对器件损耗的影响。在单个器件损耗模型的基础上分析了电力电子变换装置的损耗 ,分析了装置中器件及其散热系统组成的热阻网络及各器件的结温。最后设计了两类实验装置分别验证损耗计算的精度 ,与实验结果的对比表明该方法为合理地设计器件的散热系统、提高电力电子变换装置的效率提供了有效手段。     

黑荆树皮中缩合单宁的提取

采用微波法、超声波法和高压蒸煮法从黑荆树皮中提取缩合单宁,探索了它们的最佳提取工艺条件,并对这些提取方法进行了比较.实验发现微波法是提取缩合单宁的最佳方法.用IR、UV、TG-DTA分析和XRD分析对微波法在最佳条件下提取的缩合单宁进行了表征.     

微波调谐振荡器测量低温流体的驰豫时间

本文通过讨论微波调谐振荡器测量低温流体的弛豫时间,来分析微波谐振腔法液氢密度测量系统,用静态液氢状态方程对比法,来验证该测量系统实验方法的合理性。     

半导体器件用Al-Si合金微细丝强化途径及机理分析

通过不同的热处理工艺强化半导体器件用Ａｌ－Ｓｉ合金微细丝的方法，分析了Ｓｉ粒子的存在状态对合金机械性能、物理性能的影响，获得了高塑性变形能力和高拉伸强度的工艺，并讨论了强化后的微细丝与半导体器件焊接质量的关系。     

微波对半导体器件破坏机理：一维器件模型及稳态处理

本文在半导体器件理论的基础上,建立了微波对半导体件破坏机理研究的一维器件模型,讨论了有关计算机数值模拟的处理技巧,并给出了差分方程组。